Несколько приборных вопросов
В настоящее время имеются три основные области применения СИД: индикаторные панели, подсветка, системы передачи информации с умеренной скоростью передачи. Эти приборы достаточно экономичны, поскольку могут производиться с использованием массовой технологии. Рисунок 13.7 иллюстрирует типичную конст-
|
Рис. 13.7. Приборная структура СИД с прозрачной подложкой. |
Рукцию электролюминесцентного диода. В данном случае слои СаАБх Р1 _х эпитаксиально выращиваются на подложке ваР. При этом состав х изменяется от 0 (ваР) до х = 0,35 (£(СаА8035Р065) = 0,62 эВ)[27], что обеспечивает условия постепенного согласования постоянных решетки между подложкой и электролюминесцентным слоем. После синтеза структуры на ее поверхность осаждается 8Ю2, и она текстури - руется с использованием стандартной литографической техники для вскрытия окон в диэлектрическом слое. После этого проводится диффузия акцепторной примеси через окна в 8Ю2, и, наконец, металлические слои осаждаются на верхнюю поверхность (это обеспечивает контакт с материалом р-типа) и на тыльную сторону подложки. Поскольку ваР прозрачен для излучаемого света, свет, распространяющийся по направлению к подложке, отражается металлизацией обратно в направлении к поверхности. Это приводит к увеличению внешней квантовой эффективности электролюминесцентного диода. Все, что остается сделать — это разрезать пластину на кристаллы (или чипы) и индивидуально смонтировать их в корпусах со световыводящим окном. Предполагая, что типичные размеры поверхности кристалла СИД составляют 100 х 100 мкм2, мы можем ожидать получение около 200 000 дискретных приборов из пластины с площадью поверхности 20 см2 (т. е., выражаясь на «микроэлектронном жаргоне», из двухдюймовой пластины).
Процесс спонтанной эмиссии в полупроводнике является изотропным,.при этом диаграмма направленности излучения имеет ламбертовский характер (т. е. изменяется в соответствии с соб#— смотрите рисунок 13.8а). Обычно для усиления направленности и увеличения силы света СИД в его корпус обычно встраивается параболическая линза из эпоксидной смолы (смотрите рис. 13.8).
|
|
|
Рис. 13.8. Диаграмма направленности электролюминесцентного излучения имеет ламбертовский характер (а). Для увеличения яркости СИД они корпусируются с использованием параболических линз из эпоксидной смолы (б). |
И наконец, времена отклика СИД равны полному рекомбинационному времени /1о1. Как отмечается в специальной литературе по этому вопросу, эти времена лежат в диапазоне от 1 до 50 не, что соответствует сравнительно скромной величине частот порядка нескольких сотен МГц.
