Приобретаем- купить осциллограф, тепловизоры, источники питания

Тепловизионные камеры. Тепловизоры testo - полупроводниковые приборы, наделённые возможностью наблюдать тепловое либо световое излучение. Тепловизор flir на собственном мониторе изображает оранжевыми, красными и желтыми цветами объекты, источающие тепло, но прохладные …

Конкуренция мод: перекрестные модуляторы

В дополнении 11.Д мы видели, что вблизи порога полупроводниковый лазер может генерировать в многомодовом режиме несмотря на то. что усиливающая среда яв­ляется однородной. При достаточно сильном возбуждении настолько выше порога, …

Униполярные квантово-каскадные лазеры

Одной из характерных особенностей полупроводниковых лазерных диодов являет­ся то, что в прямо смещенном диоде принимают участие два типа носителей (элек­троны и дырки). Это делает традиционные лазерные диоды биполярными приборами. Существует …

Относительная интенсивность шума (RIN) и баланс оптической связи

Для того, чтобы определить амплитуду шума в лазерных диодах, являющегося след­ствием флуктуаций силы Ланжевена проведем разложение (13.Ж.14я) и (13.Ж.14<?) аналогично тому, как это было сделано в дополнении 13.Е (смотрите (13.Е.7). …

Уширение линии излучения

Интегрирование последнего уравнения (13.Ж.146) дает: Ф{0-ф(ь)=-^РХ(-Ф (13.Ж.16) 2 ? ^ О /0 Здесь мы использовали тот факт, что в стационарном состоянии ГС — ус = JsQ (уравнение (13.Ж. 14а)). Выполняя …

Шум и ширина полосы лазерного диода

Вы видели в дополнении 4. Г, каким образом спонтанная эмиссия, будучи результа­том квантового перехода и, таким образом, непредсказуемой, может быть представ­лена в рамках динамических лазерных уравнений виде ланжевеновских сил. Эти …

Насыщение усиления и /С-фактор

В главе 14 (уравнение (4.10)) мы видели, что усиление в газовых или ионных лазе­рах является насыщаемым, т. е. усиление в функции плотности фотонов 5 в резона­торе может быть записано в …

Спонтанная эмиссия в полупроводниковых лазерах

При предыдущем рассмотрении мы пренебрегали влиянием спонтанной эмиссии на характеристики полупроводниковых лазеров. В связи с тем, что полупроводники обеспечивают большое усиление, имеет место и значительное усиление спонтан­ной эмиссии (что называется …

Тепловые аспекты лазерных диодов и мощных приборов

Одной из особенностью лазерных диодов по сравнению с газовыми или ионными лазерами с твердотельной матрицей (как например Nd: YAG) является то, что ак­тивный объем, в котором носители рекомбинируют (излучательно или …

Функционирование УСЭЕЬ

В дополнение к одномодовому функционированию УС8ЕЬ обладают и другими преимуществами такими, как низкие пороговые токи и уменьшенная расходимость пучка излучения. Расходимость выходного пучка может быть легко рассчитана с использованием выражения …

Условия достижения порога в VCSEL

Функциональные характеристики VCSEL мы можем легко оценить, отправляясь от ряда простых рассмотрений. VCSEL может быть аппроксимирован резонатором Брэгговское зеркало М--------------------------------------------------------------- ► QW Ueff Рис. 13.В.1. VCSEL, состоящий из квантовых ям, …

Поверхностно-излучающие лазеры с вертикальным резонатором (VCSEL)

Полупроводниковые лазеры с торцевым выводом излучения представляют ряд неудобств. Начать с того, что в них проявляется тенденция к многомодовому характеру генерации (что, в принципе, связано с пространственным выжигани­ем провала — …

Лазеры с напряженными квантовыми ямами

Максимальное усиление утах для усиливающей среды с квантовыми ямами, как было получено в (13.57), составляет: Го» =«2D(l-e-” '”‘ - е-"'*-■•) (13.Б.1) Здесь a2D есть поглощение холодного резонатора для среды (т. …

Лазеры с распределенной обратной связью (ОРВ-лазеры)

Как это уже обсуждалось в разделе 13.8, полупроводниковые лазеры могут генери­ровать одновременно на большом количестве продольных мод. Однако, такое мно­гомодовое функционирование нежелательно в целом ряде применений, поскольку оно приводит к: …

Пространственное распределение

Расчет пространственного распределения энергии люминесценции, излучаемой лазерным диодом, достаточно сложен, требующий применения численных мето­дов, которые мы рассмотрим ниже. Наиболее часто используется аппроксимация дальнего поля. Напомним сейчас эту аппроксимацию. Распределение зарядов, …

Спектральное распределение

Рисунок 13.29 показывает спектральное распределение излучения лазерного диода при различных токах накачки. Ниже порога (рис. 13.29а) спектральное распределе­ние излучения следует за кривой усиления среды и модулируется разрешенными модами Фабри—Перо в …

Динамические аспекты лазерных диодов

Динамические характеристики лазерных диодов могут быть исследованы с исполь­зованием процедуры, аналогичной подходу, использованному в разделе 4.7. Одна­ко, лазерные диоды вводят новые характеристики, которые должны быть включе­ны в связанные динамические уравнения …

Правила масштабирования для лазеров с набором квантовых ям

Сравним теперь поведение лазеров с гетеропереходом и одиночной квантовой ямой. Как отмечалось в предыдущих разделах, требуемые концентрации носителей при порогах прозрачности и лазерной генерации практически идентичны вне зависимо­сти, рассматривается объемный …

Лазерный порог квантово-размерного лазера

Рисунок 13.25 демонстрирует конфигурацию квантово-размерного лазера со слоя­ми раздельного ограничения как для носителей, так и для фотонов (называемого лазером на основе гетероструктуры с раздельным ограничением или SCH — лазером). В …

Порог прозрачности

Рассмотрим р-п-диод с одиночной квантовой ямой (смотрите рис. 13.19). При прямом смещении этого диода инжектированные носители аккумулируются в кван­товой яме. Концентрация носителей на единицу площади ns может быть получена по …

Оптическое усиление в квантово-размерной структуре: общий случай

В предыдущем разделе мы видели, что пороговый ток в значительной степени про­порционален толщине активной области лазерного диода (т. е. ширине потенци­альной ямы, сформированной двойным гетеропереходом). Для дальнейшего умень­шения порогового тока, …

Выходная мощность

До тех пор, пока порог прозрачности не достигнут, прибор ведет себя точно так же, как СИД, высвобождая свою оптическую энергию по всем возможным на­правлениям. В области между порогом прозрачности и …

Лазерный порог

Полупроводниковый р—«-переход, возбужденный до уровня выше порога прозрач­ности, будет способен усиливать те электромагнитные моды (т. е. фотоны), кото­рые удовлетворяют критерию Бернара—Дюррафура. Как это описывалось в разделе 4.4, в среде будут …

Оптическое усиление в диодах с гетеропереходами

В разделе 13.3 основное внимание уделялось спонтанному излучению. Однако в главе 7 мы видели, что в том случае, когда полупроводник выводится возбуждени­ем достаточно сильно из состояния термодинамического возбуждения, становится возможным …

Несколько приборных вопросов

В настоящее время имеются три основные области применения СИД: индикатор­ные панели, подсветка, системы передачи информации с умеренной скоростью передачи. Эти приборы достаточно экономичны, поскольку могут производиться с использованием массовой технологии. …

Внутренняя и внешняя эффективность СИД

Сместим теперь центр нашего внимания со спектрального распределения Rspon(hv) излученной энергии на полную интенсивность Rspon, соответствующую оценке ин­теграла (13.6) по полной зонной структуре полупроводника. Такое интегрирование уже было проведено в …

Электролюминесценция

При появлении избыточных носителей в области перехода, они распределяются по зоне проводимости и валентной зоне, занимая все более высокие энергетические уровни (смотрите рис. 13.3). При использовании модели с единственной валентной …

Электрическая инжекция И неравновесная концентрация носителей

Обычно излучение света в полупроводнике происходит вследствие электронно-ды­рочной рекомбинации в областях, где они обладают концентрацией, избыточной по сравнению с уровнями, допускаемыми и термодинамическим равновесием. Един­ственным исключением в рассматриваемом случае является …

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ И ЛАЗЕРНЫЕ ДИОДЫ

В главе 6 мы видели, что полупроводник, выводимый из состояния термодинами­ческого равновесия, в том случае, когда возбужденные носители заряда могут ре­комбинировать друг с другом, может излучать свет (в дополнение к …

Оптический параметрический генератор (ОРО) с двойным резонансом: общий случай

И наконец, кратко приведем ниже уравнения, описывающие ЭЛОРО в общем режиме ф Я2), которые имеют значение для практических применений, но которые достаточно утомительно выводить. В предположении реализации точ­ного двойного резонанса …

ОРО с двойным резонансом: сбалансированный ОЯОРО

В случае ОкОРО самосогласованные уравнения принимают вид: (12.Е.236) (12.Е.23*) (12.Е.23г) И2^)=г2и2{Ь) 0,(0)- Ф{{Ь)= 0 + ^ + ~1-± ~ 2т, л - с Ф2(0)~ &(!) = в2 + *21 + …

Характеристики непрерывных параметрических генераторов в непрерывном режиме

Вплоть до настоящего характеристики ОРО анализировались в предположении сла­бой эффективности частотного преобразования. Это позволило нам предположить, что пучок накачки остается необедненным и, таким образом, очень удобно упрос­тить теоретические выкладки. В …

Параметрические взаимодействия в лазерных резонаторах

Как следует из (12.33) или (12.68) эффективность параметрического преобразова­ния пропорциональна интенсивности пучка накачки. Таким образом, было бы вы­ Годно, чтобы параметрическое взаимодействие могло иметь место в оптическом резонаторе самого накачивающего …

Спектральные и временные характеристики оптических параметрических генераторов

Оптическая параметрическая генерация (ОРО) имеет много общего с лазерной ге­нерацией. В обоих случаях обратная оптическая связь, обусловленная зеркалами, приводит к генерации и устанавливает условия для амплитуды усиления по отно­шению к …

Обеднение накачки при параметрических взаимодействиях

Во время нашего рассмотрения параметрического взаимодействия в главе 12 пред­полагалось, что эффективность преобразования между пучком накачки, с одной стороны, а также сигнальной и холостой волнами, с другой стороны, настолько низка, …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.