Оптоэлектроника

Двумерные экситоны

Мы видели, что в квантовой яме движение электронов может быть ограничено в пределах области размером в несколько нанометров, т. е. на расстоянии, значительно меньшем боровского радиуса трехмерного экситона. Следствием этого ограничения является то, что зоны квантуются в виде подзон, разделенных интервалом в несколь­ко десятков мэВ, что превышает энергию связи трехмерного экситона. Примени­тельно к корреляции между электронами в основной зоне проводимости и дырками в основной валентной зоне кулоновское взаимодействие может иметь место только в направлении, параллельном границам раздела. По сравнению с потенциалом огра­ничения кулоновский потенциал не играет существенной роли в перпендикулярном направлении. В этом случае экситонная волновая функция представляет собой:

У(г„ г2) = -±-£с(К„ К2)С(г,)е'к'к'«с0(г1К1"(г2)е'к>к-'«„()(г2) (8.Б.14)

К».к.

Здесь векторы И и К обозначают движение, параллельное границам раздела. Используя те же самые преобразования, что и в предыдущем разделе, получаем уравнение Шредингера, управляющее движением частиц в плоскости:

2 .

подпись: 2 .2 2

Г Ь К с »• „

*(К) (8.Б.15)

подпись: *(к) (8.б.15)Е-^м-с' -£' - Е■

2т1

При этом эффективный потенциал взаимодействия есть:

/ич (а а е С' М £ е /о с

Г-г(К) = «М*, ■ I,----------- =г ------------------------------ (8.Б. 16)

^ 4яед/Л + [г, - г2] 4жеЛ

Эта последняя аппроксимация действительна в предельном случае, когда огибаю­щие функции характеризуются пренебрежимо малой протяженностью по сравне­нию с экситонным радиусом. Решение этого уравнения для «двумерного водород­ного атома» дает следующие собственные энергии:

» = 1,2... (8.Б.17)

В этом выражении используется та же самая эффективная константа Ридберга, которая была определена в последнем разделе.

Поглощение

Двумерные экситоны

Двумерные экситоны

Энергия фотона (эВ)

Рис. 8.Б. З. Спектр поглощения квантовой ямы, модифицированного корреляцией элек­тронов и дырок, т. е. присутствием экситонов. По сравнению с процессом, в котором участвуют лишь свободные электронно-дырочные пары (тонкие линии), экситоны приводят к возникновению дискретных линий ниже края эффективной ширины запрещенной зоны, при этом каждая ступенька, обус­ловленная поглощением континуума, деформируется узким экситонным пиком (а). Этот результат выглядит особенно выразительно в эксперимен­тах по квантовым ямам различной толщины (б) (по данным D. S. Chemla, and D. A. В. Miller, Adv. Phys. 38,89 (1989), перепечатано с разрешения Taylor & Francis Ltd. Http: Www. co. uk/joumals).

Двумерные экситоны

Таким образом, двумерный экситон обладает энергией связи, в четыре раза боль­шей по сравнению с эквивалентным трехмерным экситоном.

Пример

Рассмотрим квантовую яму GaAs шириной 5 нм. В предыдущем примере мы виде­ли, что энергия связи трехмерных экситонов в GaAs составляет 5,6 мэВ. В этом примере ширина ямы намного меньше боровского радиуса экситона а* = 10,6 нм, при этом энергия связи составляет 4 х Ев или 22,4 мэВ. В результате этого суще­ственная доля ансамбля экситонов (58%) останется в связанном состоянии при комнатной температуре. Соответственно в этом случае экситонные особенности в явном виде проявляются в полощении и люминесценции этих квантовых ям (смот­рите рис. 8.Б. З).

В более реалистичном случае, когда пространственной протяженностью волновых функций g(z) и g(z) по сравнению с а*в полностью пренебречь нельзя, эффективное взаимодействие ослабляется по сравнению с чисто двумерным случаем, при этом энергия связи экситонов плавно уменьшается в направлении энергии связи трехмерных экси­тонов. Количественная трактовка этого эффекта требует, чтобы, помимо основных зон учитывались бы также и другие подзоны. Разумное описание этого промежуточно­го режима возможно только с использованием численных методов.

Как и в трехмерном случае, корреляция между электроном и дыркой карди­нально модифицирует спектр поглощения квантовых ям. В области ниже края эф­фективной запрещенной зоны Eg + £,с + Ј, v спектр содержит дискретные линии. В области выше края зоны наблюдается увеличение поглощения по сравнению со случаем свободных электронов и дырок. Рисунок 8.Б. З качественно иллюстрирует модификацию спектров поглощения.

Оптоэлектроника

Приобретаем- купить осциллограф, тепловизоры, источники питания

Тепловизионные камеры. Тепловизоры testo - полупроводниковые приборы, наделённые возможностью наблюдать тепловое либо световое излучение. Тепловизор flir на собственном мониторе изображает оранжевыми, красными и желтыми цветами объекты, источающие тепло, но прохладные …

Конкуренция мод: перекрестные модуляторы

В дополнении 11.Д мы видели, что вблизи порога полупроводниковый лазер может генерировать в многомодовом режиме несмотря на то. что усиливающая среда яв­ляется однородной. При достаточно сильном возбуждении настолько выше порога, …

Униполярные квантово-каскадные лазеры

Одной из характерных особенностей полупроводниковых лазерных диодов являет­ся то, что в прямо смещенном диоде принимают участие два типа носителей (элек­троны и дырки). Это делает традиционные лазерные диоды биполярными приборами. Существует …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Партнеры МСД

Контакты для заказов оборудования:

Внимание! На этом сайте большинство материалов - техническая литература в помощь предпринимателю. Так же большинство производственного оборудования сегодня не актуально. Уточнить можно по почте: Эл. почта: msd@msd.com.ua

+38 050 512 1194 Александр
- телефон для консультаций и заказов спец.оборудования, дробилок, уловителей, дражираторов, гереторных насосов и инженерных решений.