Схема кристаллизации сварных швов
Под схемой кристаллизации понимают форму осей кристаллитов и значение угла срастания противоположно растущих кристаллитов - угла 0 = 2а между касательными к этим осям (рис. 12.11).
Рис 12.11. Схема кристаллизации сварочной ванны: хК - ось кристаллита; хи - изотермическая поверхность кристаллизации; а - угол наклона оси кристаллита в заданной точке к оси шва; 0 - угол срастания кристаллитов; v - скорость сварки |
Ось кристаллита хк - воображаемая линия, определяющая форму и направление границ кристаллитов. Форма, ориентировка и размеры кристаллитов могут изменяться в широких пределах в зависимости от технологии сварки и оказывать существенное влияние на свойства металла шва. Направление роста кристаллита совпадает с направлением максимального теплоотвода, т. е. с нормалью к изотермической поверхности кристаллизации хи. Следовательно, ось кристаллита представляет собой ортогональную траекторию к семейству изотермических поверхностей кристаллизации, соответствующих Тип или Тп.
Математическое описание оси кристаллита хк, при использовании соотношений для изотермических поверхностей кристаллизации хи, полученных методами теории тепловых процессов при сварке, представляет определенные трудности. Для инженерных расчетов изотермическую поверхность хи аппроксимируют уравнением эллипсоида с полуосями L, Р, Я, которые соответствуют длине / затвердевающей хвостовой части сварочной ванны, половине ее ширины р и глубине проплавления h. В зависимости от схемы нагреваемого тела и типа источника теплоты изотермическая поверхность хи (рис. 12.12) может быть: 1) эллипсоидом с двумя равными полуосями (точечный источник на поверхности полубесконечного тела, Р = Я); 2) эллиптическим цилиндром (линейный источник по толщине тонкого листа, Я = 6); 3) частью фиктивного (расчетного) эллипсоида (точечный источник на поверхности плоского слоя - толстого листа, р < Р, h < Я и / < L), оси которого лежат выше поверхности толстого листа. В первом случае имеет место объемный процесс кристаллизации и оси кристаллитов являются пространственными кривыми (рис. 12.12, а). При этом поскольку поперечное сечение сварочной ванны является кругом (Р = Я), то форма осей всех кристаллитов аналогична форме кристаллитов на ее поверхности. Вершины всех кристаллитов выходят на продольную ось шва на его поверхности (линию центров). Во втором случае имеет место плоский процесс кристаллизации (рис. 12.12, б), криволинейные оси кристаллитов располагаются в одной плоскости. Линия центров осей кристаллитов совпадает с осью Oz. Форма кристаллитов идентична во всех сечениях по толщине листа. Последнее обстоятельство в обоих случаях позволяет вести экспериментальные и расчетные исследования процесса кристаллизации на поверхности сварочной ванны. В третьем, промежуточном случае характер процесса кристаллизации, форма и длина кристаллитов изменяются по глубине сварочной ванны.
Основные соотношения, характеризующие процесс кристаллизации шва, получены в результате решения дифференциального уравнения ортогональной траектории к семейству изотермических
поверхностей кристаллизации (хи) эллипсоидного типа. Были использованы выражения для длины и полуширины затвердевающей части сварочной ванны, выведенные на основе тепловой теории
в
z |
Рис. 12.12. Форма осей кристаллитов при различном очертании сварочной ванны эллипсоидного типа: а - объемный процесс кристаллизаций, соответствующий точечному источнику теплоты на поверхности массивного тела; б - плоский процесс кристаллизации, соответствующий линейному источнику по толщине листа; в - объемный процесс кристаллизации, соответствующий точечному источнику на поверхности листа (Я, L, Р - полуоси эллипсоида; h9 /, р - параметры сварочной ванны; х„ - изотермическая поверхность кристаллизации; хк - ось кристаллита; и оси
кристаллитов соответственно в кристаллизующейся сварочной ванне и в закристаллизовавшемся шве)
при сварке для быстродвижущихся источников теплоты. С помощью полученных соотношений можно определить основные параметры схемы кристаллизации:
1) уравнение оси кристаллита;
2) угол наклона оси кристаллита к оси шва (также угол срастания противоположно растущих кристаллитов в центре шва);
3) интегральный критерий схемы кристаллизации;
4) скорость кристаллизации;
5) размер поперечного сечения кристаллита;
6) градиент температуры в точке пересечения оси кристаллита с изотермой кристаллизации;
7) тип первичной микроструктуры.
Эллипсоидная форма сварочной ванны соответствует сварке с относительно небольшими скоростями (до 20...25 м/ч); при увеличении скорости сварки ванна приобретает параболоидную, а затем коническую форму. При этом методика получения основных соотношений остается прежней, а вид соотношений изменяется. Следует отметить, что в реальных условиях сварки возможны отклонения направления осей кристаллитов от ортогонального к фронту кристаллизации, которые в отдельных зонах могут достигать 30...40° в зависимости от природы и состава сплава, а также от параметров режима сварки.
Пространственный фронт кристаллизации широкого класса сварочных ванн, встречающихся в практике, можно описать уравнением эллипсоида
полуоси которого L, Р и Н соответствуют длине, полуширине и глубине фронта кристаллизации.
Для случаев действия точечного источника теплоты на поверхности полубесконечного тела и линейного по толщине листа анализ процесса кристаллизации сварного шва проводят для поверхности шва. При сварке в пределах сварочной ванны (см. рис. 12.11) одновременно осуществляются два процесса: плавление (NON - фронт плавления) и кристаллизация (NMN - фронт кристаллизации). Сварочная ванна и связанная с ней изотерма кристаллизации перемещаются вдоль оси шва со скоростью сварки.
С точностью, достаточной для инженерных расчетов, кривую NMN можно описать уравнением эллипса
Уравнение семейства эллипсов, сдвинутых вдоль оси Ох, можно представить в виде |
х + с ~ОМ |
F(x, у, с) = |
-1 = 0, |
(12.13) |
+ — [on. |
где с - параметр семейства (расстояние между соседними эллипсами вдоль оси Ох). Запишем дифференциальное уравнение ортогональной траектории к семейству эллипсов (12.13) |
dy _dFІду dx dF/dx |
OM_ ON |
У |
(12.14) |
(x + c) |
Исключением параметра с из системы уравнений |
х + с ~ОМ |
У yON |
-1 = 0; |
(12.15) |
dy (ОМ^2 |
dx |
ON |
(x + c) |
получаем дифференциальное уравнение оси кристаллита как ортогональной траектории семейства изотерм, в результате решения которого находим уравнение оси кристаллита: |
ОЩШИ |
ON |
(12.16) |
х-- ОМ |
Координату у задаем в долях полуоси ON как безразмерную координату ку=у/ON, и уравнение (12.16) принимает вид |
1 + |
(ON)1 ОМ |
^~к2у - In |
х = |
Для упрощения расчетов вводим обозначение |
Уравнение оси кристаллита принимает вид
(ОАО (12.18)
к ол/ Y
Выразив из уравнения (12.13) значение + и подставив его в уравнение (12.14), получим выражение для определения тангенса угла а, образованного касательной к оси кристаллита с осью Ох,
dy ОМ ку tga = — = - г. (12.19)
dx ON
ky
Для упрощения расчетов вводим обозначение q = -
f^y’
выражаем из (12.19) угол наклона оси кристаллита к оси шва в виде
(12.20) |
ОМ
a = arctg
ON
Значения коэффициентов у и q для различных ку, приведены В табл. 12.1.
Таблица 12.1.Значения коэффициентов у и q
ку |
V |
9 |
| ку |
9 |
|
0,02 |
-3,60 |
0,0200 |
0,25 |
-1,10 |
0,2582 |
0,04 |
-2,91 |
0,0400 |
0,30 |
-0,92 |
0,3145 |
0,06 |
-2,51 |
0,0601 |
0,35 |
-0,77 |
0,3736 |
0,08 |
-2,22 |
0,0803 |
0,40 |
-0,65 |
0,4364 |
0,10 |
-2,00 |
0,1005 |
0,50 |
-0,45 |
0,5773 |
0,12 |
-1,82 |
0,1209 |
0,60 |
-0,30 |
0,7500 |
0,14 |
-1,66 |
0,1414 |
0,70 |
-0,18 |
0,9802 |
0,16 |
-1,53 |
0,1621 1 |
0,80 |
-0,09 |
1,3333 |
0,18 |
-1,41 |
0,1830 |
0,90 |
-0,03 |
2,0647 |
0,20 |
-1,31 |
0,2042 1 |
1 1,00 |
0 |
00 |
Угол срастания противоположно растущих кристаллитов в центре шва оценивают по соотношению
где а, принято рассчитывать для ку, равного 0,04, так как при меньших значениях ку получается, что ось кристаллита асимптотически приближается к оси шва, а угол наклона стремится к нулю. Для суммарной оценки схемы кристаллизации используют ин
тегральный критерий Ка = |аdky (где dky - бесконечно малый
элемент ширины шва), который позволяет судить о преимущественном направлении осей кристаллитов по ширине шва при данном режиме сварки:
„ я ON ОМ + ОМ2 - ON2 /1ЛЛ1Ч
Ка = —і j= = In---------------------------------------- - . (12.21)
2 2 л] ОМ2- ON2 ОМ - лі ОМ2 - ON2
Таким образом, схема кристаллизации оценивается совокупностью углов, под которыми участки кристаллитов наклонены к оси Ох. На рис. 12.13 для варианта наплавки на поверхность полубесконечного тела показаны распределение угла а по ширине шва от
его оси (ку = 0) до линии сплавления (ку = 1) при различных скоростях сварки и постоянной погонной энергии (qlv = const). Зависимость интегрального критерия Ка от скорости сварки показана на
рис. 12.14. С ростом погонной энергии сварки значение Ка увеличивается.
Используя выражение (12.19), можно получить уравнение для определения скорости кристаллизации - скорости роста кристаллов vKp на различных участках их длины при сварке. Под скоростью кристаллизации здесь понимается средняя макроскопическая скорость перемещения межфазной поверхности. Вектор скорости кристаллизации направлен по нормали к изотерме кристаллизации. Для оценки скорости кристаллизации используют соотношение
Рис. 12.13. Изменение угла а наклона оси кристаллита к оси шва по ширине шва в зависимости от скорости сварки (кривые 1, 2, 3 и 4 - соответствуют скоростям сварки 1, 2, 3 и 4 см/с при q/v = 41,8 кДж/см) |
V, см/с Рис. 12.14. Зависимость интегрального критерия схемы кристаллизации Ка от скорости сварки v (кривые / и 2 со - ответствуют значениям qlv, равным 4,18 и 41,8 кДж/см) |
где АВ - длина закристаллизовавшегося участка (рис. 12.15); At - время кристаллизации.
Рассмотрим фигуру ABC. При достаточно малом At, можно считать ее прямоугольным треугольником и принять АС = Ах.
Тогда
АВ = AC cos а = Ах cos а и _ Ах
^кр~ ~^cosa’ Рис. 12.15. Схема расчета скоро
сти кристаллизации v^
Ах
так как v = скорость сварки, то
aKp=acosa. (12.23)
Скорость кристаллизации можно определить, выразив cos а через tg а и используя (12.19), с помощью соотношения
£>кр - ------------------------------------------------ (12.24)
я2 |
<h l
Рис. 12.16. Схема определения ширины кристаллита 6К/ (ВС)
С увеличением скорости сварки v изотермы вытягиваются, скорость кристаллизации и угол а возрастают. У линии сплавления акр = 0, а на оси шва vKp = v.
Ширину кристаллита в заданной точке А і оси кристаллита хк можно определить, используя схему на рис. 12.16. Принято, что кристаллиты начинают расти от оплавленных зерен основного металла. Ширину кристаллита £к/ измеряют по направлению касательной к изотерме кристаллизации хИ, используя соотношения: ВС = bKj и DC = d3. Из треугольника DBC получаем
bKi =d3 sin а, , (12.25)
где d3 - средний условный диаметр оплавленного зерна в около - шовной зоне (см. разд. 12.8.3), от которого начинает рост кристаллит; о.; - угол наклона оси кристаллита в точке А к оси шва.
При использовании формул (12.18), (12.20), (12.25) для конкретных расчетов необходимо знать размеры полуосей эллипса ОМ и ON (см рис. 12.11). Их можно определить, если известны очертания изотермы кристаллизации, рассчитанной по тепловой теории при сварке. Соотношение изотермы и аппроксимирующего ее эллипса представлено на рис. 12.17.
Рассмотрим температурное поле мощного быстродвижущегося точечного источника на поверхности полубесконечного тела в системе координат хЮ'у так как источник теплоты находится в точке 0 при этом z = 0. Принимаем обозначение х = vt, причем
Рис. 12.17. Рассчитанная по тепловой теории изотерма кристаллизации (штриховая линия) и аппроксимирующий эллипс (сплошная линия) с полуосями ОМ и ON
х' - расстояние вдоль оси О’х' от источника до рассматриваемой точки берем со знаком «+», если точка находится впереди источника, а если позади источника - то со знаком «-». Тогда выражение для температурного поля имеет вид
(12.26) |
4ах'
Определяем значение ОМ: ОМ= | - 0]; О’М' при =
= 0, откуда
(12.27) |
0'М' = —
2ккТ
С учетом равенства Т = 7ПЛ выражение (12.26) можно представить в виде
(12.28) |
1 = — |
-ехр |
2пХх'Тг |
пл |
pQO 4ах |
После логарифмирования выражения (12.28) получаем
4 ах' |
In |
(12.29) |
пл у |
2пкх'Тг |
Заметим, ЧТО 00’ = Xq при У' = Утах> т - е- ПРИ =6-
dx'
После дифференцирования выражения (12.29) пот'и прирав-
- dy
нивания нулю производной определяем значение х0:
dx'
х0=ОО' = -~~—. (12.30)
2п ХТте
Отсюда, используя (12.27) и учитывая направление оси получаем
Ґе-1'
(12.31) |
ОА/ = —
Значение ON находим, подставляя (12.30) в формулу (12.29), поскольку ON=утах при х'= х'0:
V neXvTnn
Уравнение оси кристаллита получаем, используя выражения (12.18), (12.31) и (12.32):
хк =2,328—|/. (12.33)
V
Аналогичные преобразования выполним для расчетной схемы мощного быстродвижущегося линейного источника в пластине. Температурное поле для этой схемы описывается формулой
'гЯуГ 4 ax' |
(12.34) |
Т(х',у')=~"бЩ^ехр
а уравнение оси кристаллита имеет вид
хк= 1,164-|/. (12.35)
V
Для оценки типа первичной структуры металла шва необходимо рассчитать градиенты температуры в точке А пересечения оси
кристаллита (л:к) и изотермы кристаллизации (хи) (рис. 12.18).
Градиент действительной температуры G-к в направлении
нормали п-п к изотерме кристаллизации хп равен
Рис. 12.18. Схема расчета градиента температур в точке пересечения оси кристаллита хк с изотермой кристаллизации хи:
Тд - действительная температура; п- п - нормаль к изотерме кристаллизации хи; Ах' А/ - проекции приращения Ап на оси О 'х 'и О У'
Здесь —- и проекции — на оси О'х' и Оу Для сварочных
дх ду дп
ванн, изотерма плавления которых описывается температурной зависимостью для случая мощного быстродвижущегося источника на поверхности полубесконечного тела, градиент температуры
(12.39)
где х' = хк + 00'иу' = у (00'= 0,59ОМ).
Градиент температуры для случая мощного быстродвижущегося линейного источника в пластине имеет вид
. і |
аг _ |
дп 2л:'(1 2ах' |
(12.40)
В формулах (12.39) и (12.40) Т - температура точки, в которой рассчитывается градиент температур. Для точек на изотерме кристаллизации - это температура ликвидуса (для стали ее принимают равной 1450 °С). Распределения градиента температур, скорости кристаллизации и критерия концентрационного переохлаждения вдоль фронта кристаллизации показаны на рис. 12.19, а, б и в.
Рис. 12.19. Распределение параметров процесса кристаллизации по изотерме кристаллизации: градиента температур Єж, °С/см (я); скорости кристаллизации акр, см/с (б) критерия концентрационного переохлаждения Ф, °С с1/2/см3/2 (в), а также зависимость типа структуры от содержания примеси и критерия концентрационного переохлаждения (г)
Ориентировочные числовые значения параметров соответствуют стыковой сварке листа толщиной 5 = 1 см без зазора (автоматическая дуговая сварка под флюсом, /св = 600 А, С/д = 38 В, ^св = 36 м/ч).
Тип первичной структуры сварного шва формируется в соответствии с общими положениями теории кристаллизации и условиями образования концентрационного переохлаждения на фронте кристаллизации (см. разд. 12.5.1). На рис 12.19, г приведена схема, иллюстрирующая зависимость типа первичной структуры от содержания примеси С и критерия концентрационного переохлаждения Ф.
При затвердевании расплавленного металла сварочной ванны преобладает гетерогенный процесс кристаллизации; готовыми центрами кристаллизации являются оплавленные зерна основного металла в виде выступов, расположенных на поверхности сплавления, а также твердые тугоплавкие частицы в жидком металле.
В условиях направленного оттока теплоты образуется столбчатая кристаллитная структура. В зависимости от конкретных тепловых и кинетических условий кристаллизации металла шва, химического состава сплава, градиента температуры в центральной части сварного шва возможно образование равноосной структуры. Столбчатая и равноосная структура, в свою очередь, могут быть ячеистыми, ячеисто-дендритными, дендритными. Тип структуры определяется содержанием примеси и значением критерия концентрационного переохлаждения Ф (см. (12.10а)). Можно не только получить все эти структуры в шве, но и управлять их развитием, изменяя условия роста, как это следует из теории концентрационного переохлаждения. Такие параметры роста кристалла, как скорость кристаллизации vKp и градиент действительной температуры в жидкой фазе Єж, оказывающие наиболее существенное влияние на образующуюся структуру, можно рационально подбирать и изменять при сварке. Температурный градиент в жидкости может быть повышен увеличением тепловой мощности дуги (путем повышения напряжения или силы тока) или может быть понижен при использовании предварительного подогрева. Скорость кристаллизации можно регулировать изменением скорости сварки.
На тип структуры шва большое влияние оказывает концентрационное переохлаждение. Это влияние можно оценить, рассматривая размер зоны максимального переохлаждения хк (см. рис. 12.10).
При небольшом концентрационном переохлаждении хк образуется ячеистая структура. В случае значительного концентрационного переохлаждения хкз у кристаллитов появляются ветви второго порядка и образуется столбчатая дендритная структура. Последние порции расплава могут иметь настолько большое концентрационное переохлажденние, что в них возможно зарождение новых кристаллитов в центре шва с равноосной дендритной структурой.
Обобщенная зависимость типа структуры от содержания примеси (С) и значения критерия концентрационного переохлаждения (Ф) представлена на рис. 12.19, г, из которого следует, что при кристаллизации металлов с малым содержанием примеси в случае больших значений Ф в шве образуется ячеистая структура, при высоком содержании примеси и малом значении Ф - дендритная.
При сварке сплавов часто в зоне сплавления образуется ячеистая структура, в середине шва - ячеисто-дендритная, а в центре шва - дендритная структура (рис. 12.20).
Рис. 12.20. Типовая первичная структура сварного шва низколегированной стали: участки столбчатых кристаллитов ячеистого (7), ячеисто-дендритного (2), дендритного (3) типов; равноосный кристаллит дендритного типа (4) |
На тип первичной микроструктуры оказывают влияние химический состав стали, способ и параметры режима сварки. Так, тип первичной микроструктуры в центральных зонах швов сварных соединений стали в основном зависит от содержания углерода и скорости сварки. При изменении скорости сварки (0,14... 1,4 см/с) низколегированных сталей с содержанием углерода 0,1...0,25 % первичная микроструктура изменяется с ячеистой на ячеистодендритную, а при сварке среднелегированных сталей с содержанием углерода 0,3 % и более - изменяется с ячеисто-дендритной на развитую дендритную (в том числе в виде равноосных кристаллитов).
Первичную микроструктуру сварного шва можно регулировать, используя различные металлургические и технологические приемы. Подавление столбчатой структуры с целью получения равноосных кристаллов в центральной части стальных швов возможно следующими способами:
1) введением элементов - модификаторов первого рода (Ті, V, Nb, Zr и др.);
2) введением модификаторов второго рода (поверхностноактивных примесей);
3) введением элементов, образующих избыточные фазы в твердых растворах (первичные карбиды, интерметаллиды и др.);
4) воздействием на сварочную ванну ультразвуковых колебаний, механических вибраций или электромагнитным перемешиванием металла сварочной ванны;
5) термической и термомеханической обработкой, прокаткой сварных швов.