Тонкопленочные солнечные панели: особенности и преимущества

На данный момент около 85% солнечных батарей - это тонкие панели, которые имеют множество преимуществ. Аморфные или тонкопленочные благодаря низкой стоимости и очень широкой сфере применения. Расскажем о всех особенностях …

Реактивное испарение

  Создавая условия для химического взаимодействия содер­жащихся в паре частиц различных веществ либо в процессе их перемещения от источника к подложке, либо непосредственно на поверхности подложки, можно получать пленки различных …

Физическое осаждение из паровой фазы

  Вакуумное испарение Кинетика процесса Испарение материала осуществляется при довольно высо­кой температуре, обеспечивающей необходимое давление паров. Согласно кинетической теории Ленгмюра — Дэшмана, скорость свободного испарения атомов с чистой поверхности единичной …

МЕТОДЫ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК

Образование зародышевых центров, микроструктура расту- щих тонких пленок и, следовательно, их физические свойства зависят от применяемого метода осаждения и параметров этого процесса. Двумерные слои толщиной от нескольких десятых долей нанометра …

Оптические характеристики

  Разработано большое количество экспериментальных мето­дов определения оптических постоянных (п и k) тонких пленок. Их критический анализ проведен Чопра [59]. Чаще всего при­меняется метод раздельного определения п и k по …

Анализ состава материалов

  Физические методы исследования состава материалов иг­рают более важную роль по сравнению с методами химического анализа. Особый интерес представляют те из них, которые могут быть использованы для изучения готовых приборов. …

Исследования кристаллической структуры и микроструктуры

  Методы рентгенографии [33—37] относятся к наиболее точ­ным методам исследования кристаллической структуры твердых гел, не требующим, как правило, тщательной подготовки об­разца, и, что особенно важно, являются неразрушающими. Тон­кие поверхностные пленки …

Емкостная спектроскопия глубоких уровней

  Метод емкостной спектроскопии глубоких уровней позволяет определять энергетические характеристики, концентрацию и се­чение захвата рекомбинационных центров, связанных с глубо­кими уровнями в запрещенной зоне полупроводников [25—32], а также идентифицировать ловушки для …

Емкостные измерения солнечных элементов

Для оценки качества р—n-перехода и определения его пара­метров, влияющих на характеристики солнечных элементов, чаще всего используют зависимость емкости перехода от на­пряжения [11, 14—23]. Последовательное измерение вольт-фарадной характеристики по точкам может …

СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ

Для успешного производства высокоэффективных солнечных элементов наряду с применением современных методов изготов­ления необходимо глубокое понимание процессов, происходящих в элементах. Установив соответствие между характеристиками элементов и основными структурными, электронными и оптиче­скими …

Тонкопленочные солнечные элементы К. Чопра и С. Дас

Настоящая книга посвящена актуальной проблеме совре­менной полупроводниковой солнечной энергетики — созданию и исследованию свойств тонкопленочных солнечных элементов. В полупроводниках с прямыми оптическими переходами ко­эффициент поглощения излучения столь велик, что поглощение …