СТРУКТУРЫ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ОПТИЧЕСКОГО ВЫВОДА
Поскольку полупроводники обладают высокими показателями преломления, свет, падающий на границу полупроводник-воздух под достаточно большим углом, практически полностью отражается. Из закона Снеллиуса (иногда называемого законом Снелля) можно найти величину критического угла полного внутреннего отражения. В результате полного внутреннего отражения свет как бы попадает в ловушку — локализуется внутри полупроводника. Локализованное таким образом излучение поглощается и дефектами, и активной областью, и подложкой, и всеми другими слоями.
При поглощении света подложкой электронно-дырочные пары из-за ее низкого кантового выхода рекомбинируют в основном безызлуча - тельно. При попадании излучения в активную область часть электрон - но-дырочных пар рекомбинирует с излучением фотонов, а другая часть рекомбинирует также безызлучательно. Если внутренний квантовый выход активной области меньше 100%, явления перепоглощения излучения в активной области будут неминуемо снижать квантовый выход светодиода. Поглощение света на металлических контактах является еще одним механизмом снижения коэффициента оптического вывода светодиода.
Внешний квантовый выход излучения светодиода определяется произведением внутреннего квантового выхода г)т1 и коэффициента оптического вывода 77extract:
??ext — ^int ' ^/extract■ (9.1)
Отсюда видно, что коэффициент оптического вывода сильно влияет на величину к. п. д. светодиода.
