Современные светодиоды

Излучательная рекомбинация пар электрон-дырка

(2.1)

Независимо от того, является полупроводник легированным или нет, в нем всегда присутствуют оба типа свободных носителей: элек­троны и дырки. В условиях равновесия, т. е. когда материал не подвер­гается никаким внешним воздействиям, например воздействию света и электрических полей, выполняется закон действующих масс, который гласит, что произведение концентраций электронов и дырок при задан­ной температуре является константой, т. е.

ПОРО =

где по и ро — равновесные концентрации электронов и дырок, а щ называется собственной концентрацией. Этот закон справедлив только для невырожденных легированных полупроводников (см. для примера работу Schubert, 1993) ').

Избыток носителей в полупроводниках создается при поглощении фотонов либо при инжекции в материал электронов. Суммарная кон­центрация носителей равна сумме их равновесных концентраций и концентрации соответствующих избыточных носителей, т. е.

(2.2)

п = щ + Ап; р = ро + Ар,

где Ап и Ар — концентрации избыточных электронов и дырок.

') См. книги [1-2].

Излучательная рекомбинация пар электрон-дырка

Рис. 2.1. Иллюстрация рекомбинации электронно-дырочных пар. Количество актов рекомбинации пропорционально произведению концентраций дырок и

электронов, т. е. R ос пр

Перейдем к рекомбинации пар носителей. На рис. 2.1 представлена зонная диаграмма полупроводника, на которой показаны электроны и дырки. Нас интересует скорость уменьшения концентрации носителей, которая является скоростью рекомбинации и обозначается R. Рассмот­рим теперь поведение электрона в зоне проводимости. Вероятность его рекомбинации с дыркой пропорциональна концентрации дырок, т. е. Roc р. При этом число актов рекомбинации будет пропорциональ­но концентрации электронов. Следовательно, скорость рекомбинации пропорциональна произведению концентраций дырок и электронов, т. е. R<xn-p. Используя коэффициент пропорциональности, скорость рекомбинации, происходящей в единицу времени в единичном объеме, можно определить так:

R = = = <23<

Это выражение называется уравнением скорости бимолекулярной ре­комбинации, а В — коэффициентом бимолекулярной рекомбинации. Для полупроводников типа AinBv типичные значения коэффициен­та В составляют 10~и-10-9 см3/с и его можно определить по модели Ван Розбрука-Шокли, описанной в гл. 3.

Современные светодиоды

Надежный производитель светодиодного оборудования

Украинская компания Лайтпром является профессионалом в сфере разработки и изготовления светодиодного освещения и прожекторов. Команда опытных специалистов, основываясь на передовых энергосберегающих технологиях, обеспечивает потребителю значительную экономию средств и уменьшение затрат …

Выбираем светодиодную фитолампу без ошибок

Ключевым моментом для правильного развития растений остается наличие достаточного количества света. Без него останавливается главный биологический процесс — фотосинтез. Это преобразование энергии света в углерод и воду с участием атмосферного …

Какие бывают уличные светодиодные светильники

Светодиодное освещение считается самыми комфортным, практичным и перспективным. Все благодаря преимуществам, открывающимся перед его пользователями. Приборы на светодиодах долговечны, расходуют мало электроэнергии, легко и быстро устанавливаются, отличаются небольшим весом. Это …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.