ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА
Параметры оптического излучения
Параметры оптического излучения, а также их определения, расчетные формулы, единицы величин и обозначения сведены в табл. 2.4.
Таблица 2.4. Энергетические и световые параметры оптического излучения
|
Продолжение табл. 2.4
|
Излучение в оптическом диапазоне может характеризоваться как волновыми, так и корпускулярными категориями и параметрами и может быть представлено в виде потока фотонов. Энергия каждого фотона определяется соотношением
£ф = йу = Ис/(пХ), (2.81)
Где А — постоянная Планка, равная 4,13-10-13 эВ с; с — скорость света в вакууме, равная
3108 м/с; п — показатель преломления оптической среды; V, X — частота колебаний, Гц,
И длина волны оптического излучения, м.
Пусть в единицу времени через единичную площадь проходит Л'ф фотонов. Тогда поток излучения Ф определяется выражением Ис
Ф = ЛГф£^ = ЛГф. — -5, (2.82)
Где 5 — площадь.
Поток излучения при заданном тем больше, чем короче длина волны излучения. Полезно выразить число фотонов через энергетические параметры излучения Ф Ф
=510ХТ’ (2'83>
Где — в 1/(м2 с); X — в мкм; Ф/51 — в Вт/м2.
2.1. Какой длине волны соответствует максимальная чувствительность глаза:
А) 0,41 мкм; б) 0,56 мкм; в) 0,63 мм; г) 0,72 мм?
2.2. Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области, близкой к ультрафиолетовому излучению:
А) 0,4 мкм; б) 0,45 мкм; в) 0,5 мкм; г) 0,6 мкм?
2.3. Какой длине волны соответствует минимальная чувствительность глаза в области, близкой к инфракрасному излучению:
А) 0,72 мкм; б) 0,62 мкм; в) 0,55 мкм; г) 0,5 мкм?
2.4. Какой из материалов относится к непрямозонным материалам:
А) гпБе; б) СаР; в) СаЫ; г) СёБ?
2.5. Какие из пар материалов позволяют создавать гетерооптоэлектронные приборы:
A) Ge-Ge; б) Si-Si; в) GaAs-GaAlAs; r)GaAs-GaAs?
2.6. Какой механизм генерации излучения реализуется в полупроводниках:
А) эффект термоэлек - б) эффект генерации в) эффект г) эффект фотолю-
Тронной эмиссии; электронно-дыроч - рекомбинации; минесценции?
Ных пар;
2.7. Какие из указанных материалов пригодны для изготовления излучающих приборов:
A) Ge; б) Si; в) Си; г) GaP?
2.8. Какие из указанных материалов пригодны для изготовления фотоприемников:
А) А1; б) Au; в) Ge; г) Si?
2.9. Материалы с какой шириной запрещенной зоны используются для изготовления оптоэлектронных приборов видимой области спектра:
A) AW=0,l эВ; б)Д»'=1,5эВ; в)Д»'=3,5эВ; г)Д^=6эВ?
2.10. Какая из составляющих общего тока р-п-первхода обеспечивает инжекционную электролюминесценцию:
А) обратный ток б) прямой ток в) туннельный г) ток утечки
Р-и-перехода; р-и-перехода; током; по поверхности
Р-и-перехода?