ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА

Условные обозначения

А,

Механический эквивалент света

К

Постоянная Больцмана

В

Сииий свет

К,

Коэффициент передачи по току

С

Скорость света в свободном простран­

Ку

Коэффициент световой эффективности

Стве

Коэффициент усиления лазера

Ся

Емкость диода

К

Коэффициент потерь излучения

А,

Коэффициент диффузии электронов

В резонаторе лазера

°р

Коэффициент диффузии дырок

Аф

Импульс фотона

</

Толщина диэлектрика

Яркость светящейся поверхности

Е

Энергия, освещенность поверхности,

Длина когерентности

Вектор напряженности

^лаз

Длина лазерного излучения

£фОТ

Энергия фотона

И-

Энергетическая яркость

■^фои

Энергия фонона

Яркость

£з

Энергетическая ширина запрещенной

М

Светимость излучающей поверхности

Зоны

Мф

Масса фотона

Ев

Энергия дна зоны проводимости

Ме

Энергетическая светимость

Свободного электрона

П

Показатель преломления

Е.

Энергия потолка валентной зоны

N.

Число Авогадро

Е

^■вын

Энергия вынуждающего излучения

Р

Мощность

Ее

Облученность поверхности

Р. ых

Выделяемая мощность

Е,

Энергия накачки

Р

1 ПОГП

Поглощаемая мощность

£ф

Энергия Ферми

Р

1 пред

Предельная мощность

Ею

Модуль Юнга

Р»

Импульс электрона

Е

Коэффициент теплового шума

Лол

Мощность излучения

Е{1)

Функция видности

Лтн

Мощность генерируемая внутри

/

Частота

Кристалла

/гр

Граничная частота

Рх

Мощность излучения для длины

С

Зеленый свет

Волны X

//,

Энергетическая экспозиция

П„

Плотность энергии электромагнитного

//с

Световая экспозиция

Поля

Фе

Поток излучения

Е

Добротность

Фv

Световой поток

И

Коэффициент отражения

И

Постоянная Планка

Я»

Сопротивление диода

I.

Сила излучения

ГЛ

Динамический резистор

/*

Ток насыщеня транзистора

Рогр

Ограничивающее сопротивление СИД

/„

Электронная составляющая тока

Рп

Сопротивление потерь

Дырочная составляющая тока

Последовательный резистор

'диф

Диффузионный ток

Ріс.

Темновое сопротивление

Ток насыщения

Я

Красный свет, коэффициент отражения

Обратный ток при насыщении

Б

Площадь поверхности

'обр

Обратный ток

/

Время

*ПОВ

Ток утечки по поверхности

^диф

Время диффузии

*пр

Прямой ток

Длительность импульса

*пр тах

Максимально допустимый прямой ток через светодиод

Р*тшх

Максимально допустимая температура корпуса светодиода

*рек

Ток рекомбинации

Тв

Температура перехода

/’с

Сигнальный ток

Иж

Напряжение контактной разности

'сд

Ток через светодиод

Потенциалов

Ток теплового шума

И„

Напряжение источника питания

Т. Г.

Ток термогенерации

Ипр

Напряжение прямого смещения

*тун

Ток туннельный

^обр

Напряжение обратного смещения

Шумовой ток

^обрпих

Максимально допустимое обратное

‘V

Сила света

Напряжение светодиода

С4брип. ах максимально допустимое импульсное

Обратное напряжение светодиода

С4д

Напряжение световода

К

Групповая скорость

К

Объем когерентности

*

Скорость дрейфа дырок

В электрическом поле

Уф

Фазовая скорость

Т

Относительная функция внаности

А/

Полоса рабочих частот

О/

Коэффициент поглощения,

Коэффициент затухания света

Р

Коэффициент, учитывающий потери

X

Толщина слоя

Є

Диэлектрическая проницаемость

Диэлектрика

П

Внешний квантовый выход

*1опт

Коэффициент вывода света

11,

Внутренний квантовый выход

X

Длина волны

^•шах

Максимальное спектральное

Распределение светодиода

М

Магнитная проницаемость диэлектрика

Мр

Подвижность дырок

V

Частота оптического излучения

Центральная частота излучения

Т. м

Внутримодовая дисперсия

Тк

Время когерентности

*^мд

Материальная дисперсия

Тмм

Межмодовая дисперсия

Тр

Время релаксации

Тф

Время излучения фотона

Ъ

Время жизни на уровне у

0

Угол излучения;

Характеристическая температура Дэбая

Єр

Расходимость излучения

П

Телесный угол

[1]

Величина М = —, лм/м, называется светимостью излучающей площади Д£.

Д5

Согласно (2.9) и рис. 2.4 светимость М численно равна световому потоку, излучаемому с единицы площади светящейся поверхности в телесный угол 2л ср.

[2] — обедненная область их использование в микросхемах.

[3] - 3322

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА

Приобретаем- купить осциллограф, тепловизоры, источники питания

Тепловизионные камеры. Тепловизоры testo - полупроводниковые приборы, наделённые возможностью наблюдать тепловое либо световое излучение. Тепловизор flir на собственном мониторе изображает оранжевыми, красными и желтыми цветами объекты, источающие тепло, но прохладные …

Список Сокращений

А Номинальная числовая апертура Мэв Монохроматическая АВС Активный волоконный световод Электромагнитная волна АИМ Амплитудно-импульсная Нжк Нематические жидкие кристаллы Модуляция Ов Оптическое волокно АПП Абсолютный показатель ОЗУ Оперативное запоминающее Преломления Устройство …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.