ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА
ИСТОЧНИКИ НЕКОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Источники света Разновидности источников
В прошлом к источникам искусственного света для бытового освещения и промышленного оборудования относили электрические лампы накаливания, люминесцентные лампы, газоразрядные источники света, наполненные парами, и неоновые лампы.
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 Длина волны, нм |
Излучение этих источников лежит в широком диапазоне длин волн спектра, значительная часть которого выходит за пределы видимой области. Достижения полупроводниковой электроники за последнее десятилетие позволяют включить в этот перечень новые источники света — светоизлучающие диоды (СИД). Отличительной особенностью этих полупроводниковых приборов является то, что создаваемое ими излучение лежит в весьма узком спектральном диапазоне [30] (рис. 4.1). Используемые в оптоэлектронике единицы измерения длин волн X приведены в табл. 4.1. Наиболее распространен среди них нанометр.
СО o'* її и
Рис. 4.1. Нормализованные спектры некоторых источников излучения:
1, 2— соответственно зеленый, инфракрасный СИД; 3, 4 — лампы накаливания с вольфрамовой нитью, соответственно температуре 2500 К и 3400 К; 5— неоновая лампа
Таблица 4.1. Единицы измерения длин волн
|
Согласно теории проводимости твердого тела при прохождении тока через р-и-переход в результате рекомбинации дырок или электронов с носителями заряда противоположного знака всегда выделяется световая (фотоны) или тепловая (фононы) энергия. Одним из положений квантовой теории является то, что в твердых кристаллах электроны могут иметь только определенную энергию; запрещенная энергетическая зона представляет собой промежуток между верхом валентной зоны и дном зоны проводимости. Эта зона характеризует полупроводник, а ее ширина, выраженная в электрон-вольтах (эВ), определяет длину волны испускаемого излучения. Проведенный изготовителями анализ различных полупроводниковых материалов с точки зрения их пригодности для изготовления СИД по таким параметрам, как длина волны, эффективность преобразования энергии и легкость легирования, позволил остановить выбор на арсениде галлия (СаАв), фосфиде галлия (ваР) и соединении фосфид арсенида галлия (СаАвР).