ТЕХНОЛОГИЯ СТРОИТЕЛЬНОГО И ТЕХНИЧЕСКОГО СТЕКЛА И ШЛАКОСИТАЛЛОВ
ОСВЕТЛЕНИЕ
По завершении стеклообразования стекломасса перенасыщена газами в виде пузырьков различных размеров, а также в невидимом, химически связанном состоянии.
Главный источник газов — шихта. Шихты промышленных силикатных стекол содержат в среднем 20 % по массе химически связанных газов (С02, 02, S03, N02), а также гидратную влагу; объем газов при 20 °С составляет порядка 10 м3, или более 100 объемов при один объем шихты с насыпной плотностью 1,3 т/м3. При химических реакциях в шихте газы выделяются и большая часть их уходит в атмосферу печи; однако часть в виде пузырьков различного размера остается внутри расплава. Кроме того, по завершении реакций в стекломассе остается по массе 0,2—0,3 % неразложившихся карбонатов и до 2 % сульфатов. Эти остатки солей способны разлагаться при взаимодействии с Si02 илд А1203, а также при повышении температуры, и выделять в расплав пузырьки газов. Наконец, стекломасса способна химически связывать газы и пары воды в пламенном пространстве стекловаренной печи. В результате в одном объеме промышленных стекол оказывается до пяти объемов связанных газов — паров воды, углекислоты, сернистого газа, кислорода и азота.
Видимые газовые пузырьки образуются в стекломассе еще на стадии силикатообразования в процессе реакций, протекающих на поверхности контакта зерен песка с появляющимся первичным расплавом. Пузырьки продолжают образовываться и на стадии растворения зерен песка, так как Si02, переходящий в расплав силикатов, химически разлагает остатки солей с выделением С02 и S03.
Пузырьки выделяются в местах пониженного поверхностного натяжения расплава, т. е. на его границах с растворяющимися зернами, огнеупорами кладки печи, кристаллами или инородными включениями в стекломассе. Они могут образоваться и непосредственно внутри массы расплава, так как при реакциях с участием SiOs развивается высокое давление газов, которое способно превысить прочность связей в структурной решетке стекла.
Для того чтобы освободить стекломассу от пузырьков, нужно создать такие условия, при которых они могли бы подняться к поверхности расплава и прорвать ее. В этом и заключается собственно процесс осветления стекломассы.
Скорость v подъема пузырьков в стекломассе определяется зависимостью
Здесь К — коэффициент пропорциональности, равный '/з g (g — ускорение силы тяжести); г — радиус пузырька; pi и р2 — плотности стекломассы и газов в пузырьке; т]—вязкость стекломассы.
Как видно, наибольшее влияние на скорость осветления оказывают размеры пузырьков и вязкость стекломассы: К — величина постоянная, а рг — очень мало по сравнению с pi, поэтому разность (pi—рг) изменяется мало. Размер пузырьков зависит от давления заключенных в них газов и от сил, противодействующих росту пузырьков, — поверхностного натяжения и вязкости стекломассы. Иначе говоря, главные факторы, влияющие на скорость осветления расплава, — состав шихты и стекла, а также температура стекломассы.
Пузырьки не могут выйти из стекломассы, когда их размеры малы, а вязкость стекломассы высока. При этих условиях расплав задерживается на поверхности пузырьков, не стекая с них по мере их подъема, и они остаются внутри стекломассы.
Пузырьки малого размера могут растворяться в стекломассе под влиянием сил поверхностного натяжения, величина которых обратно пропорциональна радиусу кривизны поверхности, на которую они действуют; поэтому особенно большие силы действуют на самые мелкие пузырьки, заставляя их сжиматься. Пузырьки среднего и большого размеров при осветлении растут, так как в них переходят газы, пересыщающие стекломассу, которым легче выделиться в уже имеющиеся пузырьки, чем образовать в расплаве новые.
Скорость роста или растворения пузырьков зависит от скорости диффузии газов в стекломассе, т. е. от природы газов (быстрее диффундируют газы с меньшим атомным радиусом), а главное — от вязкости стекломассы. Пузырьки растут быстрее при малой вязкости и высокой температуре расплава. Скорость же растворения пузырьков возрастает с понижением температуры; однако это происходит до определенного температурного предела, ниже которого начинает сильно уменьшаться скорость диффузии, вследствие чего скорость растворения также снижается.
Температура расплава на стадиях провара шихты и осветления должна быть высокой для облегчения выхода пузырей. Осветление ускоряется при нагревании стекломассы в тонком слое изнутри с помощью электроэнергии, а также сверху пламенем.
Если в стекломассе остались только крупные пузыри, ее температуру постепенно понижают, чтобы остановить реакции, сопровождающиеся выделением в стекломассу газов; за время охлаждения крупные пузыри успевают уйти из расплава.
Газы, находящиеся в атмосфере печи, растворяются в стекломассе преимущественно при средних температурах (1200—1250°С), когда активно идут реакции их химического связывания, а скорость диффузии достаточно высока. Растворению печных газов способствует их высокое (порядка 104 Па) давление иад расплавом. При таких условиях ускоряется и растворение мелких пузырьков, что используется при производстве оптического плавленого кварца. Напротив, в вакууме газы бурно выделяются из стекломассы, вспенивая ее и затрудняя процесс осветления. Перепады давления в 0,9—Л Па, наблюдаемые в практике варки стекла, не оказывают влияния на осветление.
Химические добавки-осветлители (см. п. 2 гл. 4) разлагаются в стекломассе при высоких температурах и образуют крупные пузыри, в которые выделяются газы, перенасыщающие стекломассу. Так как стекломасса перенасыщена главным образом углекислым газом, осветлители должны выделять в нее другие газы (например, S02, 02, Н20). Кроме того, осветлители понижают поверхностное натяжение на границе газ—расплав (Na2S04, Sb203 и др.) или же снижают вязкость стекломассы (фториды, соединения бора). Для ускорения осветления практикуют также бурление (барбо - таж) — пропускают через расплав по определенному режиму крупные пузыри паров воды, воздуха, кислорода.
При низкой вязкости стекломассы ее осветлению способствуют механическое перемешивание, вибрация, ультразвуковые колебания, центрифугирование; практическое применение пока получило механическое перемешивание (см. п. 7.2).