Устройства на светодиодах, и не только
Температура в жизни и работе светодиодов
18 |
www. finestreet. ru |
Температура в жизни и работе светодиодов
Часть 2
Температурные зависимости параметров светодиодов
Колориметрические характеристики
Зависимости колориметрических характеристик светодиодов от изменения температуры получены методом измерения спектрального состава их излучения с помощью установки, приведенной на рис. 3 (см. «КиТ» № 9’2005, с. 50). Являясь информативной и показательной частью многомерной системы параметров светодиодов, эти зависимости важны как с практической точки зрения их использования в устройствах, так и с точки зрения определения качественных показателей излучающих структур или примененных в тех или иных светодиодах кристаллов. Наибольшее влияние на уход этих параметров при изменении температуры будет оказывать процесс, протекающий в области пространственного заряда и описанный формулой (1).
Однако существует также утверждение о том, что излучающую структуру стоит рассматривать не как единую область с флуктуацией ширины запрещенной зоны Eg, а как схему, где выполнено параллельное включение множества микроскопических р-п-пере - ходов со своими, отличающимися друг от друга значениями Eg1, Eg2... Egn. Набор таких р-п-переходов и формирует все спектральное распределение кристалла, внося свой вклад в виде отдельной длины волны (моды) и соответствующей амплитуды излучения. Подобная модель излучающей структуры хорошо объясняет изменение параметров спектра с температурой, когда изменения ширины запрещенной зоны каждого элемента приводят к пропорциональному изменению интенсивности излучения на своей длине волны. Точно такое же объяснение применимо и для изменения приложенного внешнего электрического поля (прямого напряжения), которое, кстати, будет меняться обязательно, в соответствии с зависимостями, показанными на рис. 4-8 (см. «КиТ» №9’2005, с. 50-51). При повышении Uf будут включаться малые р-п-переходы с наибольшими Eg, что увеличит вклад коротковолновых составляющих в спектр. При этом рост амплитуды длинноволновых компонентов, уже включенных в работу малыми Uf на экспоненциальном участке вольт-амперной характеристики, будет значительно меньшим из-за явления насыщения и ограниченного их количества. При определенном Uf первый процесс будет доминировать над вторым. Этим объясняется характерная несимметрия спектрального распределения излучения, определяющаяся положением центроидной длины волны спектра при малых плотностях тока, выравнивающаяся при их увеличении или при изменении температуры.
В первом приближении количественный состав переходов с различными значениями Eg будет определяться гауссовским распределением относительно средних значений Eg для данной структуры, что и можно заметить при рассмотрении вида формы кривых спектрального распределения как результата сложения двух функций: упомянутой выше и функции распределения плотности заполнения Ферми-Дирака. Таким же образом состав спектра излучения позволяет судить о равномерности распределения легирующей примеси в слоях полупроводникового материала и наличии посторонних включений, что, по сути, и определяет качество излучающего кристалла и долговечность светодиода.
Сохраняя обозначенное ранее в первом пункте условное деление структур по цвету и составу (InGaN/AlGaN/GaN — синие и зеленые, AlInGaP/GaP — красные и желтые), рассмотрим приведенные на рис. 17-21 зависимости колориметрических параметров от температуры. Диаграммы справедливы для плотностей тока через кристалл 20-50 A/см2 (прямой ток через светодиод со стандартным кристаллом 300x300 мкм составляет 15-40 мА). Зависимости при других плотностях тока будут отличаться от приведенных из-за соответствующего изменения теплового действия тока.
Из рис. 17 хорошо видно, как изменяется и смещается спектр излучения при изменении температуры. Можно заметить, что все изменения происходят в заданном соответствии с описанными теоретическими предположениями. Однако приведенные здесь функции распределения светового потока по абсолютной длине волны F(X), как правило, не применяются для описания характеристик излучения светодиодов напрямую, а служат в основном исходным материалом для расчетов большого числа производных величин. Прежде всего, это связано с переходом абсолютных энергетических единиц к светотехническим, зависящим от кривой видности глаза V(X) и образующимся путем нахождения интегрированной доли исследуемого спектра в общем интеграле функции V(X). Приведенные ниже графики зависимостей некоторых величин от температуры расположены в порядке возрастания информативности для визуальной оценки излучения светодиодов.
Для некоторого пояснения стоит рассмотреть рис. 18 с деталировкой спектра излучения синего светодиода. Максимальная длина волны Lmax показывает максимальную амплитудную составляющую спектра, по которой можно определить положение пика функции спектрального распределения на шкале длин волн. Длина волны Lcen (центроидная или центральная) более информативна и, являясь «центром масс» интеграла функции F(X), может дать понятие о симметрии кривой спектрального распределения в соответствии с тем, насколько она отличается от Lmax. Это отличие обозначит фактор неиде - альности спектрального распределения как следствие нарушения гауссовского распределения переходов с различными значениями Eg. В идеальном случае Lmax и Lcen совпадут.
Наиболее часто в спецификациях встречается полуширина спектра излучения по уровню 0,5 от максимума амплитуды. Эта величина получается как разница значений длин волн правого и левого спадов спектральной характеристики излучения, соответствующих указанному выше уровню амплитуды. Полуширина функции F(X) позволяет судить о составе спектра излучения и степени монохроматичности (чистоты) цвета как качественного показателя излучения светодиода. На графике рис. 18 наглядно видно положение описанных величин, рассчитанных заранее из приведенного там спектра, понимание смысла которых позволит нам дальше подробно рассмотреть их зависимости от температуры и представить, как это выглядит в зрительном восприятии излучения светодиодов глазом человека.
Особо стоит отметить относительную спектральную световую эффективность излучения (оптический коэффициент, измеряемый в лм/Вт). Этот параметр тоже интегральный, и именно он осуществляет связь абсолютных энергетических характеристик излучения с функцией V(X), когда речь идет о световом потоке и мощности светового излучения.
рубрика |
19 |
компоненты
н |
в
н |
ш
Рис. 17. Относительное спектральное распределение излучения светодиодов при различных температурах окружающей среды от -60 до +55 °С: а) красных б) желтых, в) зеленых, г) синих
г |
ВД = F(Ta)/K(Ta). |
(5) |
Рис. 18. Деталировка спектра излучения синего светодиода. Показаны основные физические параметры, характеризующие спектр |
780 Здесь E(X) — относительное спектральное распределение светодиода, а V(X) — относительная спектральная световая эффективность (кривая видности глаза). Однако все же стоит отметить, что этот параметр включает в себя интегральную сумму всех отдельных описанных величин и поэтому служит хорошей характеристикой качественных показателей спектра. А значит, его поведение при изменении температуры, показанное на рис. 19 синей линией на всех графиках, вместе с изменением полуширины спектра позволит четко представлять картину уходов цветовых и мощностных (имеется в виду квантовый выход или оптическая мощность) характеристик светодиодов, особенно если связать |
Коэффициент К показывает, какая интегральная, «весовая» доля исследуемого спектра присутствует в излучении относительно всей «массы» — кривой видности V(X). Формула (4) для нахождения этого коэффициента хорошо известна и не нуждается в комментариях. -360 E(X)V(X)dk '780 К =683-------------- —------------------- .-------- (4) |
E(X)dk |
г 360 |
эти зависимости с люмен-амперными, показанными на рис. 11-14. Изменение параметров спектра от температуры, соотнесенное с изменением светового потока даст функцию зависимости оптической мощности светодиода от прямого тока If при разных температурах — формула (5). |
На рис. 20-21 рассмотрены зависимости колориметрических параметров от температуры, которые наиболее часто указываются в спецификациях. Это имеющие малый физический смысл доминирующая длина волны Ldom и координаты цветности. Для более удобного чтения графиков приведена таблица 1, в которой собраны все обсуждающиеся здесь колориметрические характеристики. |
Рис. 19. Спектральная эффективность излучения и ширина спектра излучения по уровням 0,1 и 0,5 светодиодов при различных температурах окружающей среды от -60 до +55 °С: а) красных б) желтых, в) зеленых, г) синих |
Происхождение этих величин также достаточно известно, и они, будучи полученными расчетным способом из спектра и функции V(X), пропорционально изменению характеристики спектрального излучения также будут изменяться с температурой. Другими словами, практически все исследования спектрального состава излучения, описанные выше, собственно и направлены на получение этих «нефизических» характеристик, регламентированных МКО в 1931 году для описания колориметрических свойств излучения. Но для пользователей светодиодов именно они явля- |
ются наиболее важными для сравнения и применения. Для наглядности описания координат цветности на графики рис. 21 дополнительно нанесены зоны ограничения применения световых сигналов по цвету в соответствии со следующими нормативными документами:
• ГОСТ 25695-91 «Светофоры дорожные. Типы. Основные параметры»;
• ГОСТ 24179-80 «Светофильтры, светофильтры-линзы, линзы, рассеиватели и отклоняющие вставки стеклянные для сигнальных приборов железнодорожного транспорта»;
Таблица 1. Характеристики спектрального состава излучения и колориметрические параметры светодиодов в зависимости от температуры. Цвет заливки соответствует цвету свечения светодиодов
|
• Официальные рекомендации Международной комиссии по освещению (МКО), публикация МКО № 2.2 (ТС-1.6). Цвета световых сигналов. 1975.
Очевидно, что такой подход к колориметрическим параметрам светодиодов для большинства устройств на их основе совершенно не требуется, но в данной статье мы рассматриваем практически все возможные, и в том числе определенные указанными стандартами, применения светодиодов на практике. Далее будет описана причина появления подобных стандартов и важность их соблюдения.
Влияние температурных зависимостей характеристик светодиодов на восприятие глазом человека результирующего излучения
Все параметры и характеристики светоизлучающих диодов, как зависящие от температуры, так и не зависящие, предназначены исключительно для того, чтобы быть замеченными именно глазом. Поэтому формирование излучения, ориентированного на глазной аппарат, должно быть всецело подчинено законам восприятия света глазом. Однако очень подробное рассмотрение физических и психологических процессов восприятия не является целью этой статьи, хотя и будет затронуто. Поэтому,
21 |
рубрика компоненты
-60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 60 |
E
И
Рис. 20. Доминирующая Ldom, максимальная Lmax и центральная Lcen длины волн излучения светодиодов при различных температурах окружающей среды от -60 до +55 °С: а) красных б) желтых, в) зеленых, г) синих. Цифрами на вставках указан усредненный градиент изменения Ldom вуказанном диапазоне температур
И
Рис. 21. Координаты цветности излучения светодиодов на Локусе МКО (1931) при температурах окружающей среды от -60 до +55 °С: а) красных, б) желтых, в) зеленых, г) синих. Показаны границы зон цветностей, регламентированных стандартами
22 |
компоненты
(6) |
возвращаясь к теме, стоит лишь обсудить, как описанные изменения характеристик светодиодов с температурой будут влиять на восприятие изображения, сформированного с помощью этих квазимонохроматических источников света, глазом человека.
Сначала следует отметить, что глаз человека является самым совершенным фотометрическим прибором в своем диапазоне длин волн. К его достоинствам надо отнести недосягаемую долговечность с сохранением всех функций, и если потребуется, то и их самовосстановлением, большой динамический диапазон освещенностей, при которых сохраняются все параметры цветопередачи и разрешения изображения, автоматически управляемая оптика с широким диапазоном изменения фокусного расстояния и диафрагмы, высокое разрешение изображения (угол зрения 1°) наряду с углом бокового обзора практически в 180°, самый большой рабочий диапазон длин волн относительно других жителей планеты, высокая скорость передачи данных в центр по их обработке наряду с большим их объемом, непревзойденная интеграция всего прибора в малом объеме и ничтожное потребление энергии, и, наконец, что выгодно отличает его в свете тематики описываемого эксперимента от предмета нашего исследования — светодиода, независимость параметров от температуры окружающей среды ввиду постоянного высокоточного термостатирования в течение всей жизни владельца «устройства», которая вполне может превышать 100 лет.
Также следует всегда помнить о том, что глаз человека предназначен для использования в условиях естественных освещенностей Земли и, адаптируя искусственный источник для необходимого восприятия его глазом, надо учитывать особенности физики и характеристик этой освещенности. Фотобиологиче - ские процессы на Земле происходят в основном в диапазоне длин волн от 300 до 900 нм. Естественен вопрос о том, почему для зрения не доступны более короткие и длинные волны? Ответ содержится в величине их энергии. Эта энергия определяется по известной со школьной программы формуле:
E = Не/Х.
Здесь Е — энергия кванта, Н — постоянная Планка (1,58х10-34кал с; 1 кал — 4,2 Дж), е — скорость света, 3х108 м/с, Х — длина волны светового излучения.
Для длин волн короче 300 нм удельная энергия превышает 95 ккал/моль. При такой энергии возникают повреждения молекул белков и нуклеиновых кислот. У волн длиннее 1800 нм, напротив, энергии оказывается недостаточно, чтобы вызвать в светочувствительном пигменте (родопсине) фотохимический процесс. Поэтому допустимая энергия светового восприятия большинства живых существ лежит в пределах от 15 до 65 ккал/моль, что соответствует диапазону длин волн от 440 до 1900 нм. Зрение человека реализуемо в более коротком диапазоне от 380 до 750 нм. Лучи, длина волны которых выходит за указанные пределы, для нас невидимы.
Подобные факты легли в основу формирования системы восприятия цвета и определения пороговых освещенностей глаза, которые необходимы для достоверной оценки цвета раздражителя в виде сигнала светофора, например, или изображения видеоэкрана при различных условиях внешней освещенности. Международная комиссия по освещению (МКО) в официальных рекомендациях 1975 года для каждого цвета сигнала предлагает по две области. Одна область определяется достаточно широкими границами цветностей, а другая является более строгой. Область с широкими границами цветностей выбрана в соответствии с числом используемых в сигнальных системах различных цветов и возможным влиянием внешних источников света. Более строгие границы областей сигналов определяют более узкие области цветности, которые обеспечивают высокую вероятность распознавания цвета сигнала в заданной сигнальной системе как для наблюдателя с нормальным зрением, так и для наблюдателя с дефектами цветового восприятия. Данные рекомендации относятся к световым сигналам, используемым на всех видах транспорта — автомобильном, железнодорожном, морском, воздушном.
Значительное сужение областей цветности стандартами диктует особые требования к источникам излучения, формирующим сигналы. Совершенно очевидно, что это относится и не только к ответственным устройствам: физика восприятия одинакова, поэтому, безусловно, все сказанное будет верно для любого источника света. Как видно из графиков на рис. 21, не все устройства на светодиодах могут реализовать обозначенные требования именно из-за ухода цветовых параметров при изменении температуры. Это является значительной преградой к использованию светодиодов, однако опыты с изучением восприятия сигналов на светодиодах, параметры которых выходят за пределы стандартов, показали, что к квазимонохроматическому излучению светоизлучающих диодов следует подходить особо, лишь отчасти опираясь на стандарты, которые были разработаны для восприятия цветных сигналов от ламп со светофильтрами. Прежде всего, это объясняется узкополоснос - тью излучения светодиодов по сравнению со светофильтром и лампой (ширина полосы меньше приблизительно в 4-5 раз). Это обстоятельство может сильно изменить границы областей цветности достоверного восприятия [4].
Доказано, что при условии одинаковой освещенности глаза сигналом на лампе с фильтром и светодиодах дальность видимости и вероятность распознавания сигнала на светодиодах значительно повышаются еще и из - за равномерного заполнения апертуры сигнала светофора светодиодами, что сильно увеличивает излучающую площадь, тогда как в прежнем варианте можно увидеть лишь проекцию нити накала лампы [4]. Оказалось, что несмотря на большое расстояние наблюдения (1000 м), когда оба исследуемых сигнала являются точечными, этот факт сильно повлиял на восприятие. То же самое было замечено и при исследованиях дальности обнаружения световых сигналов морской навигации на расстоянии до 12 морских миль. Светодиодный фонарь плавучего буя был отчетливо виден, и можно было достаточно точно определить его цвет даже с такого расстояния, несмотря на то, что из-за очень малого уровня освещенности сетчатки, глаз переходит в область малых сигналов, где доминирует палочковое зрение, не позволяющее достоверно различать цвета. Важность открытия этого факта достаточно велика: в конечном итоге правильность определения цвета сигнала светофора определяет безопасность движения и жизни человека.
Однако температурные уходы цветовых параметров светодиодов пока остаются значительными и обязательно требуют внимания и коррекции. Изменение спектрального состава излучения, показанное на рис. 17, приводит к включению для восприятия различных видов фоторецепторов (палочек и колбочек), которые существенно отличаются чувствительностью и поэтому требуют различных интенсивностей для одинаково верного восприятия различающихся по спектру и, соответственно, по цвету излучений. Именно с этим связано и большое количество несоответствий в цветовом восприятии изображений, формируемых светодиодными источниками, которые могут изменять свои характеристики с температурой. Здесь уместно говорить как о нарушении баланса белого цвета, так и об изменении цветов отдельных полей.
Но цвет — это еще не все, что составляет проблему в работе светодиода с его температурными уходами параметров. Возможности глаза ограничены не только спектральным диапазоном электромагнитных волн, но и определенным диапазоном интенсивностей света. Сетчатка глаза состоит из четырех видов рецепторов (три вида колбочек и один вид палочек) с разной чувствительностью как к интенсивности света, так и к его спектральным характеристикам. «Матрица» глаза содержит 6,5 миллионов колбочек и 110-120 миллионов палочек. Самые лучшие современные неживые аналоги отличаются разрешением на порядок величины меньшим, чем сетчатка. Световым потоком управляет диафрагма зрачка, не позволяя рецепторам выходить за пределы динамического диапазона.
Рис. 11-16 (см. «КиТ» № 9’2005, 52-53) иллюстрируют именно этот эффект, когда, попадая в одинаковые температурные условия, светодиоды разных цветов по-разному изменяют свои характеристики интенсивности излучения. Наряду с изменением цвета будет наблюдаться еще и изменение яркости, что также искажает первоначальную картину. Разные градиенты такого изменения, как вид-
5000 4500 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 |
Осевая сил |
а света, кд |
||||||
На СИД |
|||||||
/ |
|||||||
С лампой у |
|||||||
с |
ила тока, А -------------------- |
0,4 |
1,4 |
(7) |
1,2 |
0,2 |
0,6 |
0,8 |
Рис. 22. Люмен-амперные характеристики светоблоков, применяемых в железнодорожных светофорах, на основе различных источников излучения. Такую же зависимость будут иметь любые управляемые светильники |
Соответственно, в устройствах, где функция яркости источника является основной, например, в том же светофоре, с изменением температуры может измениться как определенная стандартом разница в осевых силах света между сигналами других цветов, так и интенсивность отдельных сигналов (на некоторых температурах — до неприемлемых значений, см. табл. 2). Оба этих обстоятельства недопустимы и приведут также к нарушению вероятности правильного восприятия. Также по-иному будут выглядеть и устройства, использующие управление интенсивностью свечения светодиодов, где применяется не статическая характеристика (включено - выключено), а управляемая широтно-импульсным образом с модуляцией тока или только аналоговым образом. Здесь применима лю- мен-амперная характеристика при различных температурах, показанная на рис. 11-14 (см. «КиТ» № 9’2005, с. 52). Однако следует обратить внимание на то, что динамическая характеристика чувствительности глаза имеет несколько другой вид, и, скорее, приближается к экспоненциальной, при этом не завися от температуры, как мы выяснили ранее. В то же время светодиодная характеристика излучения не только представляет собой практически прямую линию, но еще и увеличивает крутизну с уменьшением температуры. Этих проблем не имеет источник света на лампе — ее параметры мало зависят от температуры (рис. 22). Поэтому меняющееся по интенсивности излучение светодиодов, функцией изменения которого является модуляционная характеристика питания, будет восприниматься с существенным отличием от традиционных источников на лампах. Этот момент обязательно отразится на визуальном восприятии устройств на светодиодах при разных температурах или при простой замене ламп светодиодными источниками света. |
Таблица 2. Нормированная при +20 °С осевая сила света автодорожных светофоров и ее изменение с температурой в случае исполнения на светодиодах. Нижняя графа поясняет изменение соотношений осевых сил света красного и зеленого сигналов на разных температурах
|
но из графиков, приведут к появлению неравномерности на поле полноцветного изображения, сформированного светодиодами в виде нарушения цветопередачи уже не только изменением спектрального состава исходных цветов, но и изменением их интенсивности, которая также входит в известную формулу для белого цвета: |
F = rR+gG+bB. |
Некоторые вопросы методов компенсации ухода параметров Изучение всего комплекса температурных зависимостей параметров светодиодов не может не натолкнуть на поиск способов компенсации уходов этих параметров. Существует два основных пути построения системы учета и смягчения последствий температурных изменений. Первый — непосредственно влияющий на физические условия работы светодиодов. Это может быть некая термостабилизация окружающей среды, применение различных комбинаций вентиляции, радиаторов конвекционного охлаждения и, наоборот, подогрев при отрицательных температурах. Однако точно реализовать поддержание температуры в соответствии с приведенными зависимостями светодиодов этими средствами довольно затруднительно, хотя, если не требуется выполнения слишком жестких условий, то наиболее доступно и легко реализуемо. Второй способ касается в основном программно управляемых источников, таких как табло, бегущие строки, полноцветные экраны на светодиодах, где очень заметно любое, даже самое незначительное изменение характеристики светового излучения. Здесь температурные уходы очень эффективно отслеживаются с применением математического аппарата управляющего программного обеспечения, когда в зависимости от температуры в зоне работы светодиодов, регистрируемой термодатчиком, например, изменяется модуляционная характеристика светодиода. Так, при понижении температуры с целью сохранения заданной яркости табло на прежнем уровне возможно уменьшение времени зажженного состояния светодиода (при управлении широтно-импульсным способом) пропорционально зависимостям, показанным на рис. 16 (см. «КиТ» № 9’2005, с. 53). Введя в программу обработки данных формирования изображения указанные характеристики по разным цветам, можно добиться стабильной яркости полотна табло при боль- |
шом разбросе температур окружающей среды. Дальнейшим совершенствованием такого аппарата коррекции может быть и учет цветовых характеристик. Для этого потребуется вводить в программу еще и алгоритм вычисления необходимых соотношений для интенсивностей свечения основных цветов при изменении температуры по формуле (7), сохраняя баланс белого независимо от температурного изменения их спектрального состава, показанного на рис. 17 и в таблице 1. Также, если позволяет система управления, можно воспользоваться не только функцией изменения времени включенного состояния, но и изменить значение тока If в импульсе. Возможно, именно в таком варианте найдется оптимальный режим компенсации уходов параметров в широком диапазоне температур окружающей среды. ■ Автор выражает особую благодарность за организацию и поддержку экспериментов: • Владимиру Семеновичу Абрамову, к. т. н.; • Петру Павловичу Аникину, к. ф-м. н.; • Валерию Петровичу Сушкову, д. т. н. Литература 1. Мосс Т. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мир. 1976. 2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Том 1-2. М.: Мир. 1984. 3. Абрамов В. С., Никифоров С. Г., Соболь П. А., Сушков В. П. Свойства зеленых и синих InGaN - светодиодов // Светодиоды и лазеры. 2002. № 1-2. 4. Агафонов Д. Р., Мурашова М. А., Никифоров С. Г., Пинчук О. П., Столяревская Р. И. Исследования визуального восприятия красных железнодорожных светофоров на основе СИД // Светотехника. 2003. № 6. 5. Иваницкий Г. Вернисаж инфракрасных портретов // Наука и жизнь. 2005. № 8. 6. Официальные рекомендации Международной комиссии по освещению (МКО), публикация МКО № 2.2 (ТС-1.6). Цвета световых сигналов. 1975. |
Температура в жизни и работе светодиодов
Часть 1
Сергей НИКИФОРОВ nikiforov@screens. ru |
Статья посвящена исследованиям зависимостей параметров светоизлучающих диодов от температуры окружающей среды. Обсуждается поведение подавляющего большинства электрических, энергетических и колориметрических характеристик, зависящих от температуры и составляющих всю систему параметров светодиодов, разъяснен их физический смысл и природа возникновения, а также прослежена связь между характеристиками. Приведены практические примеры влияния изменения параметров излучения у светодиодов на его восприятие глазом человека. Предложены некоторые методы компенсации уходов указанных характеристик.
1. Природа различных температурных условий работы светодиодов и физические основы причин возникновения изменений их параметров с температурой
Не останавливающийся ни на минуту прогресс в области совершенствования полупроводниковых источников света необратимо завоевывает все новые области применения светодиодов и, соответственно, требует от них гораздо большего. Это обстоятельство подталкивает разработчиков на нетрадиционные решения проблем удовлетворения возросших требований. А для этого необходимо постоянно углублять знания в области физики работы светоизлучающих диодов.
Возвращаясь к проблеме продолжительности работы и стабильности параметров светодиодов, стоит обсудить еще одну очень важную сторону этой темы — влияние температуры на характеристики излучения. В большинстве случаев, когда светодиоды участвуют в формировании ответственных сигналов, определенных стандартами, или являются исполнительной частью системы передачи изображения, температурным зависимостям всегда есть место при расчетах и проектировании систем, а также при поиске методов компенсации уходов параметров. Важно отметить, что под влиянием температуры изменяются практически все фундаментальные характеристики светодиодов, указываемые в спецификациях производителем только при комнатных температурах и составляющие основу для указанного проектирования, в то время как устройства на этих светодиодах, как правило, работают в широком диапазоне температур. Знание характера изменения характеристик в зависимости от тепловых условий позволит учесть и скорректировать выходные данные указанных устройств на их основе.
Причины возникновения проблемы влияния температуры на параметры излучения светодиодов в несколько неравных пропорциях разделяется на 2 части — внешние и внутренние факторы изменения тепловых условий функционирования излучающего кристалла. Работа светодиода связана с протеканием электрического тока через р-п-переход кристалла и рекомбинацией носителей зарядов. Неоднократно упоминавшееся в публикациях значение КПД светодиода [1], каким бы оно ни было, не может обеспечить работу гетероструктуры без выделения тепла. Причем, в среднестатистическом светодиоде подавляющее большинство потребленной энергии идет именно на нагрев (КПД составляет 12-16%). Поэтому всегда, какой бы ни была температура окружающей среды, существует влияние собственного нагрева кристалла, кри - сталлодержателя и других частей конструкции на весь комплекс параметров светодиода. Оно, безусловно, непрерывно накладывается на внешние факторы изменения температуры, и прямо пропорционально зависит от динамики потребления электрической мощности светодиодом. В итоге получается очень сложная температурная характеристика работающего светодиода, учитывающая и сочетающая все перечисленные факторы. Ввиду сложности учета всех компонентов этой характеристики проще сопоставить итоги экспериментов по определению уходов параметров с физическими основами работы полупроводникового излучателя, результатом чего могут стать зависимости параметров вполне реальных светодиодов от температуры.
Поскольку основой светодиода является излучающий кристалл, стоит упомянуть о некоторых температурных особенностях его работы.
Не углубляясь в тонкости процессов, происходящих в области пространственного заряда излучающей гетероструктуры, состоящей из твердых растворов материалов группы AlnBV, можно сказать, что основным элементом сформированного р-п-перехода является запрещенная зона, где происходит рекомбинация носителей зарядов. Представляя из себя энергетический барьер для зарядов, который они должны преодолеть для того, чтобы рекомбинировать с носителем противоположного знака, запрещенная зона с ее характеристиками определяет параметры этой рекомбинации, таким образом формируя характеристики результатов актов рекомбинации — оптического и теплового излучений. Поэтому температурные зависимости ширины запрещенной зоны будут вносить подавляющий по значимости вклад в изменения колориметрических (спектральный состав), энергетических и других параметров производимого структурой излучения и электрических (прямое напряжение U) характеристик светодиода. Формула (1) показывает пропорциональность функции I(hv) (спектрального состава воспроизводимого структурой излучения) ширине запрещенной зоны Eg и плотности состояния заполнения в зоне проводимости и свободных состояний в валентной зоне в соответствии с законом распределения Ферми — Дирака для электронов и дырок; hv — энергия фотона.
I(hv2~(hv-Eg)1/2 exp[-(hv-Eg)tJT] (1)
Изменение ширины запрещенной зоны с изменением температуры связано с двумя
(2) |
(3) |
эффектами: термическим расширением кристаллической решетки кристалла и рекомбинацией с участием кванта теплового излучения — фонона. Влияние термического расширения решетки обеспечивает примерно 25% наблюдаемой температурной зависимости. Теоретический расчет вклада, даваемого этим эффектом, показывает, что ширина запрещенной зоны при высоких температурах меняется линейно с температурой. У большинства полупроводников значение Eg уменьшается с ростом температуры (рис. 1).
Большой вклад в квантовую (энергетическую) эффективность излучения будет вносить и носящая конкурирующий характер, безиз - лучательная рекомбинация, зависящая от температуры приблизительно так, как показано на рис. 2. Квантовая эффективность определяется как отношение числа возбужденных носителей, дающих вклад в излучение, к полному числу носителей, участвующих в рекомбинации, и может быть выражена формулой:
Rr /R
где Rr и R — скорости излучательной и полной рекомбинации.
Другими словами, внутренний квантовый выход излучения nq — число излучаемых фотонов на одну электронно-дырочную пару. В гетероструктурах величина nq теоретически может быть близка к 100%. Для практики, однако, важнее внешний квантовый выход излучения це — отношение числа излучаемых во внешнюю среду квантов света к числу электронно-дырочных пар, пересекающих р-п-переход. Он характеризует преобразование электрической энергии в световую и, помимо внутреннего квантового выхода (nq), учитывает коэффициент инжекции пар в активную область (у) и коэффициент вывода света во внешнюю среду по (формула 3).
Пе = ЩЧо
Данные зависимости выведены для идеализированных структур. Безусловно, на практике влияние внешних факторов гораздо больше и носит более выраженный характер из-за наличия дефектов, неизбежно возникающих при эпитаксии (выращивании кристаллов) в виде неравномерности распределения легирующих примесей и при монтаже кристаллов (контактные явления). Как правило, подобные эффекты накладываются друг на друга и лишь усугубляют результат изменения температуры.
2. Температурные зависимости параметров светодиодов
Электрические характеристики
Столь обширное влияние температуры на подавляющее число характеристик светодиодов, которые взаимосвязаны, стоит разделить на группы по природе возникновения и результату воздействия — приблизительно так, как формируются спецификации на светодиоды.
Первой группой параметров являются электрические: зависимости прямого напряжения Uf светодиода от температуры Та при неизменном токе f. Здесь же рассмотрим и изменение потребляемой энергии Pdis, которая также является функцией температуры.
Эти параметры будут зависеть в основном от характера изменения ширины запрещенной зоны р-п-перехода. Здесь и далее целесообразно рассматривать диапазон температур окружающей среды, внутри которого сохраняется работоспособность светодиода и верны приведенные значения величин. Как правило, этот диапазон не бывает менее -60 и более +60 °С. Подобные температуры характерны и для рабочего диапазона, установленного для различных узлов электронной аппаратуры, выполняющих функцию управления режимом светодиодов.
Представляя прямое напряжение Uf светодиода как функцию от температуры Uf (Ta) (рис. 4-8), необходимо иметь один фиксированный параметр, относительно которого изменяется напряжение, поэтому здесь речь пойдет о некотором семействе зависимостей
Uf( Ta) при различных прямых токах If. Отличия в поведении кривых этого семейства будет состоять в основном в различных степенях теплового действия этого тока и различной степени охлаждающей способности кристаллодержателя (конструкции светодиода), которая не линейна по отношению к изменениям температуры и If. Однако на низких температурах это сказывается мало: более влиятельным фактором оказывается внешняя низкая температура, а перегрев кристалла относительно нее (Ta) становится менее заметным и не приводит к существенной разнице в поведении кривой Uf(Ta), несмотря на увеличивающуюся потребляемую электрическую мощность (график на рис. 10). Это можно объяснить значительным увеличением внешнего квантового выхода (рис. 2) при этих температурах, что приводит к уменьшению выделения тепла при рекомбинации. В то же время, на высоких температурах увеличение температуры Та приводит к цепной реакции: снижается nq (рис. 2), уменьшение Uf не приводит к пропорциональному уменьшению Pdis, охлаждающая способность кристаллодержателя (конструкции светодиода), значительно снижается из - за малой разницы внешней и внутренней температур, исчерпывая в пределе лимит теплоемкости, в результате, с дальнейшим ростом температуры градиент напряжения уменьшается, стремясь к минимуму и являясь следствием уравновешенности динамики внутреннего и внешнего нагрева.
Ввиду существенной разницы во многих показателях у кристаллов с различными размерами запрещенных зон, материалами состава структуры и подложки для каждой группы светодиодов будут не только свои зависимости Uf(Ta), но и функции других величин, поэтому удобно условно разделить это многообразие на четыре группы по цвету излучения и составу структуры: InGaN/AlGaN/GaN — синие и зеленые, AlInGaP/GaP — красные и желтые; отдельную группу составят светодиоды на основе GaAs с доминирующей длиной волны 642 нм. Для обсуждения зависимо-
142 |
компоненты |
рубрика |
Рис. 4. Относительная зависимость Uf(Ta) светодиодов на основе Al0 35Ga0 65As с Eg = 1,98 эВ и Xdom = 642 нм (отн. Та = 20 °C) и распределение градиента напряжения Y по температуре при разных значениях If |
Рис. 3. Блок-схема экспериментальной установки для изучения температурных зависимостей светодиодов |
стей последующих величин будет принято такое же деление.
Приведенные на рис. 4-8 графики показывают, как изменяется прямое напряжение Uf при различных прямых токах If у упомянутых структур. Градиент напряжения также зависит от температуры, и его зависимость показана на нижней части рисунков, а абсолютные значения отсчитываются по вспомогательной (правой) оси Y. Все зависимости выведены для реальных светодиодов на основе экспериментальных данных и с учетом расчетов возможности теплопередачи примененных кристал - лодержателей. При измерениях обозначенных характеристик на больших плотностях тока применялся светодиод на основе кристалло - держателя, разработанного для применения в приборах с рабочим током до 80 мА (плотность тока р = 100 А/см2) через кристалл стандартного размера 250x300x250 мкм, при токах до 30 мА (плотность тока до р = 40 А/см2) измерения проводились как для такой конструкции кристаллодержателя, так и для стандартной, применяемой в подавляющем большинстве светодиодов с эпоксидной оптикой диаметром 5 мм. В обоих типах светодиодов были применены соответствующие излучающие кристаллы одинаковых конструкций для обеспечения чистоты эксперимента в части различных тепловых свойств разных конструкций: AlInGaP/GaP для красных и желтых фирмы Lumileds на подложке GaP, InGaN/AlGaN/GaN для синих и зеленых фирмы CREE MBright на подложке SiC.
Результаты экспериментов показали хорошее совпадение температурных зависимостей прямого напряжения Uf светодиодов различных конструкций при указанных плотностях прямого тока р, поэтому на приведенных графиках типы светодиодов не дифференцированы. Вольт-амперные характеристики измерялись при нахождении образцов в термокамере (рис. 3), внутри которой была достигнута заданная температура окружающей среды (Ta) двумя методами: импульсным действием тока, исключающим разогрев активной области кристалла и при статическом постоянном токе If, вносящем свой вклад в нагрев. В данной статье обсуждаются результаты второго способа измерения, как наиболее интересного для пользователей с практической точки зрения.
Расположенный внутри термокамеры светодиод подключен к источнику питания с возможностью программно изменять ток в диапазоне 0-100 мА с минимальным шагом 0,1 мА, и необходимым временем задержки между включением дискретов (возможность импульсного режима), позволяющий также формировать обратное напряжение на излучателе до 30 В для измерения обратного тока Ir. Фиксированным параметром, относительно которого строятся все зависимости, является ток через кристалл If, поэтому он жестко стабилизирован и его величина известна с высокой точностью во время каждого измерения остальных характеристик. Вольт-ампер - ная характеристика измерена с шагом изменения тока при каждой температуре 0,1 мА (1000 значений для 100 мА).
Порядок измерений был выбран следующим. Температура внутри камеры повышалась до верхнего исследуемого предела (+55 °С) и выдерживалась таковой в течение получаса для устранения переходных процессов. После этого вступала в действие установленная программа, обеспечивающая следующую последовательность. Измерялась вольт-амперная характеристика в импульсном режиме. Далее на светодиод подавалось напряжение питания с током первого дискрета измерения статических характеристик — 1 мА. По истечении 30 с (время стабилизации параметров) происходило измерение спектра излучения с максимальным временем накопления несколько секунд (для обеспечения наибольшей точности показаний), одновременно спектрофотометр получал информацию об относительной интенсивности излучения, а внутренний вольтметр источника питания присваивал значение прямого напряжения установленному току. Абсолютные значения силы света и ее пространственное распределение фиксировал двухкоординатный гониофотометр, поворачивающийся на известный угол относительно оси светодиода в камере с шагом 0,1°. При необходимости снималось несколько плоскостей диаграмм излучения светодиода для наиболее точного расчета светового потока и угловых характеристик. Далее измерялась вольт-амперная характеристика в режиме постоянного прямого тока с учетом разогрева.
Результаты измерения записывалось в виде файла, содержащего информацию о температуре, при которой было сделано измерение. Основные типы светодиодов по этой программе для всех перечисленных параметров также были измерены с применением импульсного режима питания с неразогревающим действием прямого тока независимо от его значения [3].
Далее процесс повторялся, но со следующим значением тока. В диапазоне 0-10 мА дискреты были выбраны через 1 мА, в диапазоне 10-100 мА измерения проводились через каждые 10 мА. После измерения последних значений (на токе 100 мА), в камере начинала устанавливаться следующая температура и вся программа повторялась. Таким образом, каждый светодиод каждого цвета имел не менее 20 значений всех параметров на каждой температуре в диапазоне от -60 до +60 °С с шагом в 20 °С (7 дискретов).
Как видно из графиков, градиент напряжения достаточно сильно зависит от температуры у всех светодиодов и имеет устойчивую тенденцию к росту при понижении температуры. Некоторое замедление роста градиента при температурах до -50 °С, скорее всего, связано с тепловым действием тока и уменьшением этого эффекта с понижением температуры, что особенно проявляется при небольших плотностях тока через кристалл, где саморазогрев минимален у светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN. Однако у светодиодов на основе AlGalnP наблюдается домини-
рубрика |
компоненты |
143 |
Рис. 6. Относительная зависимость Jf(Ta) светодиодов на основе AI0 35Ga016ІП0 49P с Eg = 2,21 эВ и Xdom = 592 нм (отн. Та = 20 °С) и распределение градиента напряжения Y по температуре при разных значениях If |
Рис. 5. Относительная зависимость (Jf( Ta) светодиодов на основе Ai0 3oGa0 2iIn0 49P с Eg = 2,02 эВ и Xdom = 625 нм (отн. Ta = 20 °С) и распределение градиента напряжения Y по температуре при разных значениях If |
Рис. 8. Относительная зависимость Jf(Ta) светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN с Xdom = 468 нм (отн. Та = 20 °С) и распределение градиента напряжения Y по температуре при разных значениях If |
Є~ |
Є- |
рование процесса разогрева (кривые при больших плотностях тока имеют гораздо меньшую крутизну) с одной стороны и изменение характера увеличения ширины запрещенной зоны Eg и квантовой эффективности при понижении температуры с другой. Эти обстоятельства следует учитывать тогда, когда речь идет о расчетах электрических режимов работы светодиодов в каком-либо устройстве, которое будет работать при различных температурах окружающей среды. Как правило, достаточно ему находиться на улице, и все перечисленные зависимости будут сказываться обязательно. Стоит также обратить внимание еще и на режимы оконечных каскадов или ключей, нагрузкой которых являются светодиоды при динамическом управлении (табло, вывески, экраны, бегущие строки). Их динамический диапазон и уровень напряжения питания не должны повлиять на излучательные параметры светодиодов при изменении температуры из-за нарушения электрического режима. И без этого характеристики оптического излучения светодиодов существенно изменятся с температурой. Это отражено в графиках на рис. 9-10.
Кроме того, более детальное рассмотрение представленных здесь зависимостей позволит, с одной стороны, правильно оценивать охлаждающую способность кристаллодер - жателя при разных температурах, которая вырисовывается из поведения градиента Y при различных токах (его уменьшение при увеличении тока If при одной и той же температуре свидетельствует об исчерпании охлаждающих свойств из-за несоответствия площади, материала кристаллодержателя и теплового сопротивления «среда — кристалл» тепловому действию тока If), ас другой стороны, правильно определить токовый режим работы (рабочий ток) светодиода, исключающий его перегрев.
На рис. 9 представлен более привычный вид электрической характеристики — вольт-ам - перной. Так выглядит семейство кривых при разных температурах. Здесь также видно, что изменяется не только само значение прямого напряжения, но и его градиент. Рис. 10 иллюстрирует изменение потребляемой мощности Pdis и динамического сопротивления Rdyn светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN. Графики удобны для использования при расчетах режимов оконечных каскадов — ключей, управляющих работой светодиода, характеристик теплоотводов и потребляемой электрической мощности.
Энергетические характеристики излучения Энергетические характеристики светодиодов также существенно зависят от температуры. Самый распространенный и наиболее известный среди пользователей параметр, хотя и достаточно косвенно отображающий энергетику излучения — осевая сила света IV. Поведение IV при изменении температуры носит характер, идентичный изменению других важных энергетических параметров — светового потока F и оптической мощности P, поэтому зачастую использованием этой характеристики в самых простых случаях и ограничиваются. Однако как при очень низких (-20.. .-60 °С), так и при высоких (до +80 °С) температурах данную зависимость (IV (Ta)) нельзя считать корректной при оценке энергетики оптического излучения светодиода. Не зависящая ни от одного из остальных параметров излучения, осевая сила света дает лишь относительную характеристику в от-
144 |
компоненты |
рубрика |
Рис. 9. Вольт-амперные характеристики светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN при различных температурах окружающей среды. На вставке — участки характеристики до 10 м^ Хорошо заметно существенное изменение экспоненциального участка ВАХ с температурой, связанное с изменением плотности состояний и скорости рекомбинации |
Рис. 10. Зависимости потребляемой электрической мощности Pds и динамическое сопротивление Rdyn светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN при различных температурах окружающей среды |
личие от интегрального светового потока F, который зависит не только от изменения интенсивности излучения с температурой, но и от перераспределения его плотности по поверхности кристалла, и, как следствие, от изменения вида диаграммы направленности излучения светодиода. Оптическая мощность P имеет еще более сложную зависимость из-за одновременного учета изменения светового потока и спектрального состава излучения, который также очень значительно изменяется с температурой и будет описан в следующей части статьи. Поэтому ограничимся рассмотрением и сравнением зависимостей осевой силы света и светового потока от температуры.
Как и при обсуждении электрических характеристик, в измерениях зависимостей F (If)
Рис. 11. Относительные люмен-амперные (F[if)) зависимости светодиодов на основе Al0 30Ga02iIn0,49P с Xdom = 625 нм (отн. If = 20 мА) при различных температурах окружающей среды от —60 до +50 °С |
Є- |
Є~ |
Nofmalized Lu п |
Іпмі Flux |
||||||||
МММ * S й і йа |
|||||||||
—+50 d |
|||||||||
If. niA |
О 5 1 0 15 20 25 30 35 40 |
Рис. 12. Относительные люмен-амперные (F (f)) зависимости светодиодов на основе Al0 35Ga016ІП0 49P с Xdom = 592 нм (отн. If = 20 мА) при различных температурах окружающей среды от —60 до +50 °С |
Norma |
ised Lu |
ntin«us |
lux |
||||||||||||
—-60 ---- -50 ---- -40 -20 •o ---- +20 ---- 440 |
|||||||||||||||
4 |
If. mA |
О 2.5 5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 22.5 25 27,5 30 32,5 35 37.5 40 |
О 2.5 5 7.5 10 12,5 15 17,5 20 22,5 25 27.5 30 32.5 35 37.5 40 Рис. 14. Относительные люмен-амперные (F (f)) зависимости светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN с Xdom = 469 нм (отн. If = 20 мA) при различных температурах окружающей среды от —60 до +50 °С |
Рис. 13. Относительные люмен-амперные (F (f)) зависимости светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN с Xdom = 522 нм (отн. If = 20 мA) при различных температурах окружающей среды от —60 до +50 °С
145 |
рубрика компоненты
ма пространственного излучения светодиода будет менее 15° и более 90° по уровню 0,5, или в случае применения диспергатора в составе линзы. Помимо изменения геометрических размеров оптической системы и оптических свойств ее материала с температурой, это вызвано также перераспределением областей излучательной рекомбинации по объему кристалла, который является ис- |
также был применен режим стабилизации прямого тока If через светодиод при изменяющемся от температуры напряжении Uf.
Как видно из графиков на рис. 11-14, лю - мен-амперные характеристики мало зависят от температуры окружающей среды. Их отличие обусловлено лишь тепловым действием прямого тока. И там, где его действие более эффективно, например, из-за снижения эффективности охлаждения кристалла, различия более заметны. Для наглядного примера стоит привести люмен-амперную характеристику светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN, измеренную в импульсном режиме, который исключает разогрев кристалла прямым током (рис. 15). Хорошо видно, что эти зависимости практически совпадают.
Диаграммы на рис. 16 показывают изменение осевой силы света светодиода с температурой при условии стабилизации одного параметра из двух: If или Uf. При значениях прямых токов с плотностью, выходящей за пределы указанного на диаграмме диапазона, наклон кривых может меняться в зависимости от типа кристаллодержателя. Однако следует также иметь в виду и тот факт, что будучи значительно связанной с параметрами и материалом оптической системы светодиода, осевая сила света IV непременно будет изменяться по другому закону, если диаграм-
Световой п |
ЗТОК F. OTH. efl |
||||||
РЇІ |
|||||||
/ |
г |
||||||
/ |
Пря |
мой токії. гтА ------------------ |
Рис. 15. Относительные люмен-амперные (F(f)) зависимости светодиодов на основе InGaN/AlGaN/GaN при крайних температурах окружающей среды от —60 до +50 °С, измеренные импульсным методом, без разогрева излучающего кристалла током f
точником излучения и на который настроена эта оптика.
Изменение конфигурации источника приводит к рассогласованию всей оптической системы светодиода, могущей состоять из трех или более элементов (в простом случае: кристалл — лунка — линза, в более сложных: кристалл—лунка—кремнийорганический наполнитель — люминофор — линза Френеля).
Рис. 16. Относительные зависимости осевой силы света светодиодов при различных температурах окружающей среды от —60 до +55 °С. Диаграммы справедливы для плотностей тока через кристалл 1,5—60 A/см2 и даны относительно ta = +20 °С: а) на основе GaAs, б) на основе AlGalnP, в) на основе InGaN/AlGaN/GaN сXdom = 525 нм, г) на основе InGaN/AlGaN/GaN сXdom = 468 нм |
-е-
В указанном диапазоне углов излучения (15-90°) оптическая система оказывает оптимальное влияние на ход лучей и обладает максимальным коэффициентом концентрации светового потока внутри диаграммы направленности с наименьшими потерями, поэтому изменения характеристик источника сказываются минимально. Однако когда система формирует малый (меньше 10° по уровню 0,5) угол излучения, ее КПД (коэффициент сбора потока) уменьшается, а любая несогласованность составляющих ее элементов становится очень заметной, в то время как угол излучения светодиода стремится к значениям более 100°, близким к характерным для кристалла без оптики (линза не обладает достаточной оптической силой), объемное перераспределение излучения кристалла может изменить диаграмму направленности светодиода, являясь доминирующим при ее формировании относительно оптики. Именно поэтому можно заметить, что динамика изменения светового потока, показанная на рис. 11-14 отличается от динамики осевой силы света. Все сказанное объясняет применение зависимостей, показанных на рис. 16, лишь с указанной оговоркой.
Во второй части статьи будут обсуждаются колориметрические характеристики в зависимости от температуры и особенности восприятия глазом человека излучения светодиодов в свете этих зависимостей.
Автор выражает особую благодарность за организацию и поддержку экспериментов: Абрамову Владимиру Семеновичу, к. т. н., Аникину Петру Павловичу, к. ф-м. н, Сушкову Валерию Петровичу, д. т. н. ■
Продолжение следует.
Литература
1. Мосс Т. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мир. 1976.
2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Том 1-2. М.: Мир. 1984.
3. Абрамов В. С., Никифоров С. Г., Соболь П. А., Сушков В. П. Свойства зеленых и синих InGaN - светодиодов // Светодиоды и лазеры. 2002. № 1-2.
4. Агафонов Д. Р., Мурашова М. А., Никифоров С. Г., Пинчук О. П., Столяревская Р. И. Исследования визуального восприятия красных железнодорожных светофоров на основе СИД // Светотехника. 2003. № 6.
5. Иваницкий Г. Вернисаж инфракрасных портретов // Наука и жизнь. 2005. № 8.
6. Цвета световых сигналов. Официальные рекомендации Международной комиссии по освещению (МКО). Публика ция МКО № 2.2 (ТС-1.6). 1975.
Є~