РЕЗИСТОРЫ, КОНДЕНСАТОРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
В сварочных электронных схемах широкое применение находят резисторы, конденсаторы, полупроводниковые, выпрямительные и импульсные диоды, тиристоры, стабилитроны,
транзисторы, свето* и фотодиоды, радиолампы и другие приборы.
Резисторы (сопротивления) бывают постоянные, переменные и подстроенные. В постоянных резисторах в процессе эксплуатации сопротивление не изменяется. Резисторы, с помощью которых осуществляется в аппаратуре разного рода регулировка, называются переменными, . или потенциометрами. Подстроенные резисторы позволяют изменять сопротивление цепи только при настройке электронных устройств.
По характеру основной токоподводящей части резисторы делятся на проволочные и непроволочные, в которых используются полупроводниковые материалы или сплавы с высоким удельным электрическим сопротивлением.
Единицей сопротивления является ом. Сопротивление резисторов измеряется в омах (Ом), килоомах (кОм), мегомах (МОм), гигаомах (ГОм) и тераомах (ТОм).
1 кОм = 103 Ом; 1 МОм = 108 кОм = 10е Ом;
1 ГОм = 10» МОм => 10е кОм = 10е Ом;
1 ТОм = 10» ГОм = 10е МОм = 10е кОм = Ю1* Ом.
Номинальное значение сопротивления указывается на корпусе резистора. Сопротивление до 999 Ом выражается в омах, от 1000 до 99 000 — в килоомах, от 100 ООО и больше — мегомах, от 1 • 10е до 1 • 1012— в гигаомах, от 1 • 1012 и выше — в тераомах.
Отклонения от номинального значения сопротивления зависят от класса точности. Различают три основных* класса точности:
I класс — с отклонением от номинала на =£5 % (ряд Е24);
II класс — с отклонением от номинала на * 10 % (ряд Е12);
III класс — с отклонением от номинала на * 20 % (рядЕб).
Если на резисторе отклонение не указано, его сопротивление от номинала отличается на —20 %.
Постоянные сопротивления для применения в аппаратуре высокой точности изготавливаются с меньшими отклонениями от номинала, например, =±0,01 %, *0,02 %, *0,05 %, *0,1 %, *0,2 %, *0,5 %, *1,0 % я * 2,0 %. В сварочной аппаратуре находят применение постоянные резисторы влагостойкие — ВС, металлизированные лакированные термостойкие — МЛТ, углеродистые лакированные малогабаритные — УЛМ, металлоокисные низкоомные— МОН, проволочные эмалированные влагостойкие — ПЭВ. Непроволочные постоянные резисторы отличаются небольшими размерами, обладают незначительной собственной индуктивностью, малой емкостью и мощностью.
Проволочные постоянные сопротивления обладают большой- мощностью и высокой точностью, однако их частотный диапа - *он небольшой.
В качестве переменных резисторов наиболее широко распространены: резисторы переменные — СП, резисторы переменные объемные — СПО, резисторы переменные — ВК и ТК (резисторы ТК в корпусе имеют выключатель), проволочные переменные — ПП, резисторы переменные композиционные — СПЗ, резисторы проволочные малогабаритные — СП5.
На корпусе резисторов указывается номинальное значение сопротивления с отклонением, а также в зависимости от размеров — полное или кодированное их обозначение. В полном обозначении резистора дается шифр, в котором указываются: цифрами — номинальное значение сопротивления, буквой — его сопротивление и далее цифровым обозначением — допустимые отклонения от номинального значения сопротивления в процентах или класс точности. В этом случае вместо сокращенного обозначения единицы сопротивления кОм ставится буква «к», вместо МОм ставится буква «М», а обозначение Ом не указывается, t*..
На малогабаритных сопротивлениях кодированное обозначение состоит из дифр, показывающих номинальное значение сопротивления, буквы, обозначающей единицу сопротивления, которая одновременно указывает положение запятой в десятичной дроби, и буквы, обозначающей допустимое отклонение сопротивления от номинального значения. В этом случае допустимое отклонение сопротивления резисторов от номинального значения проставляется кодированным обозначением: —0,4 % — X, *1,0 %— Р, ^ 2,0 % — Л, *5,0 % — И, *10 % - С,- * 20 % — В, * 30 % — Ф и т. д. [31.
Пример. Сопротивление 4,7 кОм с допустимым отклонением * 10 % обозначается как 4к7С или без указания отклонения: 4,7 кОм—-4к7; 0,47 МОм—М47; 45 кОм—45к; 4,7МОм—4М7.
Тип резистора может обозначаться также цифрами: 1 — углеродистый, 2 — металлопленочный или металлоокисный, 3 — пленочный композиционный, 4 — объемный композиционный, 5 — проволочный. Затем, через прочерк, дается номер разработки.
На схемах рядом с графическим обозначением резистора приводится условное буквенно-цифровое обозначение, которое состоит из буквы и порядкового номера резистора по схеме. Здесь же проставляется значение сопротивления, а внутри символа резистора условными знаками приводится номиналь-
Про і яая мощность рассеивания
■—I |----- ПроЗоло^ный резистор (рис. 4.1). В некоторых слу
чаях к обозначению резис - Резистор нелинейного тора добавляется знак, «*», сопротивления показывающий, что значе-
Обозначение мощности, Вт ние сопротивления указано
ориентировочно и подбирается при налаживании установки. На схемах рядом с проволочным^-сопротив - лением ставится надпись «Пров.», которая обозначает, что сопротивление из проволоки с большим удельным сопротивлением. В таких случаях номинальная мощность рассеивания обычно не указывается. Для работы проволочных резисторов в широком частотном интервале применяют специальные меры по уменьшению влияния на! сопротивление собственной емкости и индуктивности.
Переменные резисторы выпускаются движковые и ползун- ковые. Движковые имеют рабочий участок сопротивления круговой формы, и движок перемещается вращением. У резисторов ползункового типа рабочий участок прямолинейной формы, и ползунок перемещается поступательно.
Переменные сопротивления бываютсдвоенйые, совмещенные с выключателем, и различной мощности. По характеру изменения сопротивления в зависимости от величины перемещения рабочего органа резисторы делятся на три группы (рис. 4.2): с линейной зависимостью (группа А); с Логарифмической зависимостью (группа Б) и с показательной зависимостью (группа В).
Конденсаторы — это устройства, действие которых основано на способности двух изолированных проводников накапливать разноименные электрические заряды под влиянием подведенного к ним напряжения.
Единицей измерения емкости конденсатора служит фд- рада. На практике применяют доли фарады — микро-, нано - и пикофарады: 1 мкФ = 10-вФ; 1 нФ = 10-#Ф; 1 пФ = 10_1.*Ф.
К основным параметрам конденсаторов относятся номинальное значение емкости с допустимым отклонением, рабочее напряжение й сопротивление изоляции или ток утечки. Наибольшее напряжение, приложенное к обкладкам конденсаторов, при котором он надежно работает длительное время, надо
дывается рабочим. Кроме того, важным параметром является температурный коэффициент емкости (ТКЕ), характеризующий обратимое изменение емкости конденсатора с изменением температуры.
Конденсаторы бывают постоянные, переменные и подстроенные (рис. 4.3).
Постоянные конденсаторы делятся на электролитические и неэлектролитические. В электролитических конденсаторах в качестве одной из обкладок используется металлическая фольга (анод), в качестве второй — электролит (катод). Диэлектриком между ними служит оксидный слой на поверхности фольги. Конденсаторы такой конструкции полирны. Электролитические конденсаторы применяются только в целях постоянного или пульсирующего тока, причем плюс подают на анод, а минус на катод, обычно соединенный с корпусом конденсатора.
Для цепей переменного тока используются специальные неполярные электролитические конденсаторы. Такие конденсаторы имеют два вывода и отличаются разным материалом диэлектрика. Кроме того, применяются также проходные конденсаторы (керамические и бумажные), предназначенные для фильтрации напряжения. Постоянные конденсаторы, чаще всего керамические, рассчитаны на определенное рабочее напряжение.
резистора Рис. 4.2. Зависимость сопротивления от величины перемещения движка резистора |
Переменные конденсаторы предназначены для изменения в широких пределах емкости электрических цепей в процессе работы аппаратуры. По конструкции переменные конденсаторы отличаются формой используемых пластин ротора н статора, их числом, размерами и конструктивным оформлением.
1
т
Рис. 4.3. Условное графическое обозначение конденсаторов:
а — постоянной емкости; б — электролитический полярный; « — переменной емкости; г — подстроенный
Подстроенные Конденсаторы служат для подгонки емкости цепей в процессе настройки схем и отличаются малыми размерами и высокими электрическими параметрами.
В подстроенных конденсаторах также изменяется емкость, однако в меньших пределах, чем в конденсаторах переменной емкости. Наибольшее распространение получили подстроенные конденсаторы типа КПК — конденсаторы подстроенные керамические. КПК-1, КПК-2, КПК-3, КПК-М. Подстроенные конденсаторы состоят из неподвижного керамического статора и подвижного керамического диска-ротора. Обкладками в них служат металлизированные участки ротора и статора, имеющие выводы в виде контактных лепестков.
В зависимости от размеров на корпусе подстроенных конденсаторов указывается полное или кодированное обозначение емкости с допустимым отклонением.
В индексе типа конденсаторов одна или две первые буквы обозначают их группу: К — конденсатор постоянной емкости, КП — конденсатор переменной емкости и КТ — конденсатор подстроенный. Второй элемент обозначает разновидность конденсаторов: 1 — вакуумный; 2 — воздушный; 3 — с газообразным диэлектриком; 4 — с твердым диэлектриком. Третий элемент обозначает порядковый номер, присваиваемый при разработке.
Для маркировки конденсаторов введено также кодированное обозначение емкости и допустимые ее отклонения от номинальной. Обозначение состоит из цифр, указывающих номинальную емкость, и буквы, обозначающей допустимые отклонения емкости от номинальной.
Емкости до 100 пФ выражаются в пикофарадах и обозначаются буквой —П, емкости от 100 пФ до 0,1 мкФ — в нанофарадах и обозначаются буквой — Н, емкости от 0,1 мкФ и выше — в микрофарадах и маркируются буквой—М. Эти буквы ставятся на место запятой десятичной дроби. Если значение номинальной емкости дано целым числом, то буква, обозначающая единицу емкости, ставится после него. Когда значение номинальной емкости дано десятичной дробью, меньшей единицы, то нуль целых и запятая из маркировки исключаются и буквенное обозначение единицы емкости располагается перед числом.
Пример. Емкость 9,1 пФ обозначается 9П1, 22пФ —22П, 150 пФ — Н15, 1800 пФ — 1Н8, 0,01 мкФ — ЮН, 0,15 мкФ — М15, 50 мкФ — 50М и т. д.
Кодированное обозначение допустимых отклонений емкости от номинального значения соответствует буквам: ±0,1 % - ж, ±0,2 % - У, ±0,5 % - Д, 2=2 % - Л,
± 5 %—И, ± 10 % - С, ±20 %—В, ±30 % — Ф и т. д. Ог- клонение емкости от номинальной (%) характеризует точность значения емкости, в соответствии с которой конденсаторы делятся на десять классов: 001— —0,1; 002— —0,2; 005 — 2=0,5; 00 — ±1; / — ±5; II — ± 10; III —- ±20; IV — от —10 до +20 и т. д.
На конденсаторах большого размера обозначаются тип, . номинальная емкость и допустимое отклонение емкости от номинальной (%), а также номинальное напряжение, марка за- вода-изготовителя, месяц и год выпуска. Если конденсаторы выпускаются одного класса точности, то допуск не ставится. Допустимые отклонения ±5, ± 10 и ±20 % от номинальной емкости выбираются из рядов «Е».
Конденсаторы постоянной емкости в зависимости от применяемого диэлектрика бывают слюдяные, бумажные, керамические, стеклянные и т. д. Слюдяные конденсаторы применяются следующих типов: КСО — конденсатор слюдяной опрессован - ный, КСОТ — конденсатор слюдяной опрессованный термостойкий, СГМ— конденсатор слюдяной герметизированный малогабаритный.
В бумажных конденсаторах обкладками являются ленты из металлической фольги, а диэлектриком служит специальная бумага, называемая конденсаторной, которая пропитывается для придания изоляционных свойств вазелином или конденсаторным маслом. В пленочных конденсаторах диэлектриком служат пленки из полистирола, фторопласта или лав-, сана. Наиболее часто применяются такие типы конденсаторов, как БМ — бумажный малогабаритный, БМТ — бумажный малогабаритный теплостойкий, ПМ — полнетироловый малогабаритный, ФТ — фторопластовый термостойкий.
В металлобумажных или металлопленочных конденсаторах в качестве диэлектрика применяются конденсаторная бумага или пленка. В этом случае с одной или двух сторон бумага покрывается специальным изоляционным лаком, а в качестве обкладок применяется слой металла толщиной в несколько микрометров. В сварочной аппаратуре применяются конденсаторы МБГО — металлобумажные герметизированные однослойные, МБМ — металлобумажные малогабаритные, МБГН — мегаллобумажные герметизированные низковольтные, МПО — металлопленочные с однослойной изоляцией и др.
Керамический конденсатор представляет собой керамическую трубку или пластину с обкладками из тонкого слоя металла. В качестве металла применяется обычно серебро, которое наносится на поверхность керамического диэлектрика.
Конденсаторная керамика применяется высоко - и низко* частотная. Высокочастотная керамика характеризуется малыми диэлектрическими потерями, а низкочастотная — большей диэлектрической проницаемостью. Поэтому при тех же габаритных размерах конденсаторы из низкочастотной керамики обладают большей емкостью, а их размеры при той же емкости и номинальном рабочем напряжении значительно меньше, чем у бумажных, слюдяных, металлопленочных или металлобумажных конденсаторах. Основным преимуществом керамических конденсаторов является значительная емкость при небольших размерах и возможность надежной работы в широком интервале температур.
Условное обозначение керамических конденсаторов состоит из буквы Н и числа, соответствующего допускаемому уменьшению емкости (%) в рабочем диапазоне температур. Кроме того, керамические конденсаторы имеют цветовую маркировку. В конденсаторах с голубыми, синими и серыми метками емкость мало изменяется при колебаниях температуры. Такие конденсаторы называются термостойкими. Конденсаторы, окрашенные в красный и зеленый цвет, с повышением температуры уменьшают свою емкость и называются термокомпенсирующими.
Конденсаторы из низкочастотной керамики окрашиваются в оранжевый цвет, а некоторые их типы дополнительно маркируются цветной точкой. Существует и другой метод маркировки керамических конденсаторов, когда цвет покрытия может быть любой, а маркировка группы выполняется буквами и цифрами или двумя рядом расположенными знаками, в виде точек или полосок, соответствующих группе цветов.
Наибольшее распространение получили керамические конденсаторы: дисковые — КД-1, КД-2, трубчатые — КТ-1,
КТ-2, КТ-3 и литые секционные — КЛС-1, КЛС-2, КЛС-3. Низковольтные керамические конденсаторы выделены в отдельную группу и обозначаются: К10-7В — рассчитаны на номинальное напряжение 50 В; КЮ-17 — на напряжение 25В, КЮ-23 — на напряжение 16 В; КЮУ-5 на напряжение от 3 до 50 В.
Стеклянные и стеклокерамические конденсаторы заменяют дорогостоящие слюдяные. При изготовлении стеклокерамн - ческих конденсаторов в стеклянную массу добавляют керамику с высокой диэлектрической проницаемостью. К основным типам стеклянных конденсаторов относятся, например, конденсаторы K2I-5, К21-7 и т. д., а к стеклокерамическим— К22У-І, К22-5 и др.
Электролитические и оксиднополупроводниковые конденсаторы при значительной емкости имеют малые размеры. В таких конденсаторах одной обкладкой является металл, на котором образован слой окиси, а другой — электролит (в электролитических конденсаторах) или слой полупроводника (в оксиднополупроводниковых конденсаторах).
Оксидная пленка обладает полупроводниковой проводимостью, поэтому при включении электролитических и оксиднополупроводниковых конденсаторов необходимо соблюдать полярность включения. Неполярные конденсаторы могут ра - ботаїь в цепях как переменного, так и постоянного тока.
Широкое распространение получили сухие электролитические конденсаторы. Наиболее часто применяются электролитические алюминиевые конденсаторы К50-3, К50-ЗА, К50-ЗБ, К50-6; электролитические танталовые объемно-пористые конденсаторы К52; оксиднополупроводниковые К53-1А, К53-6А; оксиднополупроводниковые ниобиевые К53-4; оксиднополупроводниковые для печатного монтажа КОПП и др.
Конденсаторы переменной емкости бывают с воздушным и твердым диэлектриком и представляют собой пакеты параллельных пластин, перемещающихся относительно друг друга.
В них неподвижная система пластин называется статором, а подвижная — ротором. При изменении взаимного положения пластин изменяется емкость конденсатора.
Диоды полупроводниковые — это приборы, состоящие из одного р — л-перехода с двумя выводами от р- и «-областей, главной частью которых является полупроводниковый элемент. К полупроводникам относятся материалы, которые по свойствам занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками.
В полупроводниковой технике наибольшее применение получили кремний, германий, галлий, селен, арсенид галлия, карбид кремния, сульфид кадмия и другие. От остальных кристаллических материалов полупроводники отличаются электропроводностью, энергетическим состоянием кристаллов, зависимостью их электрических свойств от температуры, от - излучений и других внешних воздействий.'
Электропроводность характеризуется движением свободных электронов, которые утратили валентную связь с ядром атомов. Оказывая влияние на электронные процессы в полупроводниковых приборах, можно управлять электрическим током. Для использования полупроводников в диодах, транзисторах и других приборах, к чистым полупроводникам добавляют определенные примеси. В зависимости от вида примесей могут получаться две разновидности полупроводников, ус-
ловно получивших название /7-полупроводники и «-полупроводники. Электронная проводимость любого «-полупроводника обусловлена наличием в нем свободных электронов Электронная проводимость /7-полупроводника обусловлена наличием в кристаллических решетках свободных мест от валентных электронов, или, как их именуют, «дырок».
Важнейшим свойством р - и «-полупроводников является их односторонняя проводимость в месте спайки, которая называется р — «-переходом. Подключив «плюс» источника к /7-области, а «минус» к «-области, говорят, что переход включен в прямом направлении. В этом случае его сопротивление незначительно, а следовательно, в цепи будет протекать электрический ток. Когда с /7-областью соединен «минус» источника тока, переход включен в обратном направлении и называется «—р-переходом. При таком включении сопротивление перехода весьма велико и электрический ток в цепи почти не протекает.
Свойство односторонней проводимости положено в основу работы полупроводниковых диодов, служащих для выпрямления переменного напряжения. На этом свойстве р - и «-перехода основано также действие транзисторов, тиристоров и других полупроводниковых приборов. В сварочной аппаратуре применяются различные типы полупровфдниковых диодов, которые бывают малой, средней и большой мощности. В зависимости от свойств полупроводниковые диоды делятся на выпрямительные, универсальные, высокочастотные, стабилитроны, туннельные диоды, варикапы и др.
Выпрямительные диоды малой мощности до 1 Вт, рассчитанные на токи до 0,3 А, бывают плоские поточечные. Такие диоды в цепь включаются с помощью гибких выводов, присоединенных к его электродам. Диоды средней мощности применяются на токи от 0,3 до 10 А и напряжение до 600 В. Они имеют в качестве одного из выводов стержень с резьбой для установки на металлическом каркасе. Выпрямительные диоды большой мощности используются на токи до 2000 А и применяются в сварочных выпрямителях. Для поддержания температуры в. допустимых пределах применяется воздушное или жидкостное охлаждение. Воздушное охлаждение осуществляется за счет передачи теплоты радиатору, изготовленному из металла с большой теплопроводностью, например сплавов алюминия.
К основным параметрам выпрямительных диодов относятся максимально допустимый выпрямленный ток, максимально допустимое обратное напряжение и максимальный обратный ток при максимально допустимом обратном напряжении. Для надежной работы диодов обычно ограничивают эти параметры на 70—80 % от максимально допустимых значений. При работе электрических схем падение напряжения на переходах диодов при протекании через них прямых токов составляет для германиевых Диодов 0,2—0,5 В, а для кремниевых 0,6—1,5 В.
Высокочастотные диоды служат для выпрямления тока в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц, для модуляции, детектирования и других нелинейных преобразований. Высокочастотные диоды имеют такие же свойства, как и выпрямительные, однако с более высоким диапазоном частот.
Стабилитроны применяются для стабилизации уровня напряжения при изменении силы протекающего через них тока. В стабилитронах быстро - развивается и устанавливается электрический пробой, при котором значительное увеличение силы тока пробоя происходит при сравнительно низком и примерно постоянном обратном напряжении. С помощью стабилитронов стабилизируют напряжение от 3,3 В и выше.
Применяются также двухсторонние стабилитроны, которые могут одновременно стабилизировать положительное и отрицательное напряжения. Стабилитроны включают так, чтобы к «плюсу» источника подключался его катбд, а к ^минусу» — анод. При включении двухстороннего стабилитрона полярность включения не соблюдают. Для стабилизации малых напряжений используют стабисторы, которые являются разновидностью стабилитронов. При включении стабисторов анод подключают к «плюсу», а катод к «минусу» источника напряжении-.
В электрических схемах сварочного оборудования применяются также туннельные диоды, варикапы, светодиоды и др. Туннельные диоды имеют характеристику с отрицательным дифференциальным сопротивлением, которое выражается как отношение приращения напряжения к приращению тока. Варикапы используются там, где требуется в широких пределах изменять их емкость. Светодиоды превращают электрическую энергию в световую путем рекомбинации пар электрон - дырка при протекании через них определенной силы тока. Этим свойством обладают полупроводниковые материалы, основой которых служит карбид кремния, мышьяк или галлий, излучающие инфракрасное, видимое или ультрафиолетовое излучение.
Комбинация из спаренного светодиода и светоприемника, помещенных в одном корпусе, называется оптронами. В качестве светоприемника в этом случае применяются фоторези - сгоры, фотодиоды, фототранзисторы или фототиристоры. При работе оптронов световая энергия излучается светодиодом и попадает на свегоприемник, в котором световой сиг нал преобразуется в электрический.
В маркировке диодов в первом элементе буква или цифра обозначает исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — соединения гелия. Второй элемент в обозначении указывает подкласс прибора: А — сверхвысокочастотный, Б — приборы с объемным эффектом, В — варикапы, Г — генераторы шума, Д — диоды выпрямительные, универсальные и импульсные, И — туннельные и обращенные, К — стабилизаторы тока, Л — излучающие, Н — тиристоры диодные, С — стабилитроны и стабисторы, У — тиристоры триодные, Ц — выпрямительные блоки и столбы. Диодные сборки дополнительно обозначаются буквой С.
Третий элемент маркируется в виде числа, первая цифра которого обозначает классификационный номер.
Выпрямительные диоды: 1 — диоды малой
мощности (прямой ток до 0,3 А); 2 — диоды средней мощности (прямой ток от 0,3 до 10 А); 3 — магнитодиоды; 4 — универсальные диоды с рабочей частотой до 1 Гц; 5 — импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления более 150 не; 6 — то же, от 30 до 150 не; 7 — то же, от 5 до 30 не; 8 — то же, от 1 до 5 не; 9 — то же, менее 1 не.
Стабилитроны и стабисторы; 1 —"мощностью не более 0,3 Вт с напряжением стабилизации до 10 В; 2 — мощностью не более 0,3 Вт с напряжением стабилизации от 10 до 99 В; 3 — мощностью не более 0,3 Вт с напряжением стабилизации от 100 до 199 В; 4 — мощностью от 0,3 до 5 Вт с напряжением стабилизации до 10 В; 5 — мощностью от 0,3 до 5 Вт с напряжением стабилизации от 10 до 99 В; 6 — мощностью от 0,3 до 5 Вт с напряжением стабилизации от 10 до 199 В; 7 — мощностью более 5 Вт с напряжением стабилизации до 10 В; 8 — мощностью более 5 Вт с напряжением стабилизации от 10 до 99 В; 9 — мощностью более 5 Вт с напряжением стабилизации от 100 до 199 В. На другие диоды обозначения даны в соответствующей справочной, литературе.
Варикапы: 1 — подстроенные; 2 — умножительные.
Туннельные и обращенные диоды: 1—усилительные; 2 — генераторные; 3 — переключательные; 4 — обращенные.
Выпрямительные столбы: 1 — малой мощности, прямой ток до 0,3 А; 2 —средней мощности, прямой ток от 0,3 до 10 А.
Выпрямительные блоки: 3 — малой мощности, прямой ток до 0,3 А; 4 — средней мощности, прямой ток от 0,3 до 10 А.
Последние две цифры от 1 до 99 В в третьем элементе обозначения в выпрямительных диодах и варикапах Пока' зывают номер разработки, а в стабилитронах и стабисто - рах — напряжение стабилизации. Четвертый элемент обозначает группу разработки.
Пример. КС-133А — стабилитрон крем* ниевый, классификационный номер разработ - ки — 1, напряжение стабилизации 3,3 В, мощностью не более 0,3 Вт, группа разработки А. Предназначен для устройств широкого применения; КВ-102А—варикап кремниевый, широкого применения, подстроенный, номер разработки 02, группа разработки А.
Для полупроводниковых диодов с малыми размерами испойьзуется цветная маркировка. В диодах большой мощности буквы обозначают: В — вентиль, Б — с водяным охлаждением, Л — с лавинной характеристикой, X — обратная полярность диода. Цифры обозначают максимальный ток (А) и напряжение (В).
Пример. ВВ2-1000Х-І2-1.65У2 — вентиль обратной полярности с водяным охлаждением второго конструктивного варианта, рассчитан на силу предельного тока 1000 А, напряжение 1200 В с прямым падением напряжения на вентиле 1,65 В, исполнения У, группы 2.
В электронных схемах сварочного оборудования широкое применение нашли селеновые выпрямители, в которых также имеется р — n-переход. Такие выпрямители называют плоскостными диодами. Они представляют собой столбики или пакеты, состоящие из заданного числа ячеек. Каждая такая ячейка состоит из алюминиевой пластины с нанесенным слоем селена и затем специального сплава на основе кадмия, висмута и олова. В них р—«-переход образуется между селейом и. сплавом. Иногда селеновые выпрямители имеют соответствующие выводы от ячеек для их включения по мостовой схеме.
Максимально допустимая сила тока в прямом направлении зависит от площади ячейки и обычно не превышает 50 мА на 1 см2. Так, например, если ячейка Имеет площадь 3x3 см, допустимая максимальная сила тока составляет 450 А.
Максимальное обратное напряжение не зависит от площади ячейки и наиболее часто по амплитудному значению "Равно 20 В. Общее напряжение, второе может выдержать
селеновый выпрямитель, равно сумме всех р. п.р напряжений на отдельных ячейках. Так, если выпрямительный столбик состоит из десяти ячеек, максимальное обратное напряжение равно 200 В.
Диоды на схемах обозначаются в виде треугольника с поперечной линией. Сторона треугольника, от которой имеется вывод, Рис. 4.4. Обо- называется анодом, противолежащий ей угол значение транзи - с поперечной линией называется катодом. Сц°Рп1_яТ—рТУи Корпус диода электрически соединен с одним Я— р~ П на из электродов. Диодные столбы, блоки и принципиальных другие диодные группы обозначаются симво - электронных лами диода.
схемах Транзисторы — это полупроводниковые
приборы, состоящие из двух взаимодействующих переходов и трех и более выводов. Наиболее широкое применение получили биполярные и униполярные, или полевые транзисторы. Основным материалом для изготовления кристаллов транзисторов служат германий и кремний с примесями мышьяка, фосфора, сурьмы, индия, бора, галлия и др.
Состоит транзистор из трех областей полупроводника и имеет два взаимодействующих р — n-перехода. Когда крайние области транзистора обладают электропроводностью p-типа, а средняя область — электропроводностью «-типа, его называют транзистором структуры р— п — р (рис. 4.4 ). Если крайние области являются полупроводниками «-типа, а средняя область p-типа, то его называют транзистором структуры п — р — п. В транзисторах одну из крайних областей называют эмиттером (поставщиком носителей заряда), вторую крайнюю область называют коллектором (собирателем носителей зарядов), а среднюю область пластинки биполярного транзистора называют базой. Базу транзистора обозначают короткой черточкой, эмиттер — наклонной линией со стрелкой, а коллектор — наклонной линией без стрелки.
Переход между эмиттером и базой называется эмиттер - ным переходом, а между коллектором и базой — коллекторным р—«-переходом. Для того чтобы транзистор мог усиливать электрические сигналы, нужно к эмиттерному переходу приложить прямое напряжение, а к коллекторному — обратное.
В транзисторах структуры р—п—р-перехода стрелка направлена к изображению базы, а при структуре п—р—п стрелка имеет направление от базы. Один из электродов, ча -
ще коллектор транзистора, иногда соединяют с металлическим корпусом. На условном изображении это обозначается жирной точкой, где вывод эмиттера пересекается с символом корпуса. В транзисторных каскадах сварочной аппаратуры применяют три основные схемы включения транзисторов] с общей базой ОБ, с общим коллектором ОК и с общим эмиттером ОЭ (рис. 4.5).
^ Для усилительных^каскадов основными параметрами являются входное сопротивление RBX и коэффициенты усиления По току к/, по напряжению кц, по мощности kP:
Rax ~ UbxIIbx'i kj = Л/вых/А/вх; ku = Л£/вых/Л£/вх; kp = АРвых/ЬРвх.
Значения коэффициента усиления по току для трех основных схем равны: для схем с ОБ
Л/-с 1; ku > 1; kp = kiku> 1;
для схем с ОК
6/ > I; &с/ < 1; kp = kiku^> 1;
для схем с ОЭ
ki > 1; ku> 1; kP = kik >1.
Схемы с общим эмиттером имеют максимальный коэффициент усиления по мощности, поэтому они применяются наиболее часто. Изменяя потенциал вывода базы относительно эмиттера, можно менять проводимость эмиттерно-коллекторного перехода, а следовательно, и силу выходного коллекторного тока. Колебания коллекторного тока на нагрузочном резисторе вызывают значительные изменения выходного напряжения, соответствующие небольшим изменениям напряжения базы — эмиттера. На этом основан процесс усиления транзисторного каскада.
Напряжение на базе транзистора, приводящее к увеличению проводимости эмиттерно-коллекторного перехода, или
Рас. 4.5. Схемы включения транзисторов |
иначе к открытию транзистора, называется открывающим. Для транзистора структуры р—п—р Открывающим является отрицательный потенциал базы относительно эмиттера, а для транзистора структуры п—р—п — положительный.
а. -Ф= Рас. 4.6. Обо - зїШчение полевых транзисторов на принципиальных электронных схемах: а — со встроенным каналом; о — с индуцированным каналом |
Кроме биполярных транзисторов широко применяются также полевые транзисторы с управляемым р-п-переходом (ПТ) и со структурой металл — диэлектрик — полупроводник (МДП) с изолированным затвором. Полевые МДП-транзисторы бывают со встроенным и индуцированным каналами (рис.4.6).
По сравнению с биполярными у полевых транзисторов большее входное сопротивление, меньшая потребляемая мощность, значительно большая помехоустойчивость и меньшие габариты. МДП-транзисторы обладают высоким входным сопротивлением и сохраняют его неизменным независимо от полярности и значения входного напряжения на затворе.
Электрод полевого транзистора, на который подается управляющий сигнал, называется затвором. Электрод, с которого носители зарядов попадают в проводящий канал, называется истоком, а электрод, к которому носители перемещаются, называются стоком. Область между истоком и стоком называется каналом.
Принцип работы полевых транзисторов аналогичен принципу работы биполярных транзисторов. В этом случае затвор соответствует базе, исток — эмиттеру, а сток выполняет роль коллектора.
%- Транзисторам присваиваются обозначения из четырех элементов. Первый элемент — буква или цифра, указывающая
И |
сходный материал (Г или 1— германий, К или 2 — кремний, > или 3 — соединения галлия); второй элемент — буква, определяющая подкласс прибора (Т — транзистор, П — полевой); третий элемент — цифры, первая из которых обозначает классификационный по назначению номер, а последующие цифры от I до 99 — порядковый номер разработки. Для третьей цифры приняты следующие обозначения:
при малой мощности (до 0,3 Вт): низкой частоты до 3 МГц— 1, средней частоты от 3 до 30 МГц — 2, высокой частоты свыше 30 МГц — 3;
при средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт): низкой частоты до 3 МГц — 4, средней частоты от 3 до 30 МГц — 5, высокой частоты свыше 30 МГц — 6;
»
при большой мощности (свыше 1,5 Вт): низкой частоты до 3 МГц — 7, средней частоты от 3 до 30 МГц — 8, высокой частоты свыше 30 МГц — 9.
Четвертый элемент — буква, указывающая разновидность из данной группы приборов.
Пр и м е р. ГТ 605 А —1 германиевый транзистор широкого назначения, средней мощности, высокочастотный, номер разработки 0,5, разновидность А; КТ 802 А — кремниевый биполярный, большой мощности, средней частоты, разновидность А; КП 306 А — транзистор полевой кремниевый малой мощности с рабочей частотой 30 МГц, номер разработки 306, группа А.
Лавинный транзистор является разновидностью биполярного транзистора. При его изображении исйользуется допол-. нительный значок в виде уголка.
Тиристоры — это управляемые полупроводниковые вентили, имеющие три или более р—п - переходов. Тиристоры бывают диодные (динисторы) и триодные (тринисторы)' в открытом и закрытом состоянии.
У диодных тиристоров два вывода. Они переводятся в открытое состояние подачей напряжения, большего по значению, чем напряжение, которое остается постоянным для данного типа тиристоров.
zs zs^ |
У триодных тиристоров три вывода: анод и катод — из крайних областей, управляющий электрод — из средней р - или я-области. Такие тиристоры переводятся в открытое состояние подачей напряжения включения, которое зависит от величины сигнала на управляющем электроде, т. е. чем большее напряжение подается на управляющий электрод, тем при меньшем подведенном напряжении открывается тиристор. Обозначения тиристоров показаны на рис. 4.7. Тирисгоры широко применяются в сварочных автоматах, источниках питания дуги и других аппаратах.
Рас. 4.7. Обозначение тиристоров на принципиальных электронных схемах: а — неуправляемого; 6 — управляемого |
В цепях постоянного тока тиристор огкрывается постоянным или импульсным напряжением, в цепях переменного тока — преимущественно импульсным напряжением. Обычно на Управляющий электрод тиристора от йлока формирования импульсов (БФИ)
Рис. 4.8. Схема фазового управления напряжением с помощью тиристора |
подаются импульсы, с помощью которых можно регулировать угол открытия тиристора q>. Это позволяет изменять среднее значение выпрямленного напряжения нагрузки Ur„ (рис. 4.8).
Тиристоры малой и средней мощности обозначаются буквенно-числовыми шифрами из шести элементов. Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный полупроводниковый материал; второй элемент — в виде букв, обозначающих: Н —'динисторы, У — тринисторы и симисторы. Для симисторов после буквы Т добавляется буква С, остальные элементы остаются те же.
Шифр тринисторов большой мощности на токи от 10 до 2000 А состоит из букв и цифр. Первым элементом является буква Т — тринистор, вторым — цифры, указывающие максимальную силу тока в амперах. После значения тока стоят буквы, обозначающие: Л - тиристор с лавинной характеристикой, В — тнрнстор с водяным охлаждением, X — тиристор с обратной полярностью, С — симистор.
Пример. КН 102 А — динистор кремниевый, малой мощности, номер разработки 02, группы А; КУ 214 В—трцнистор кремниевый незапираемый, средней мощности, номер разработки 14, группа В; ТВ2-1000-6- 141 — тринистор с водяным охлаждением, второго типа, на предельный ток 1000 А, с повторяющимся напряжением 600 В.