Спектр излучения
Механизм свечения полупроводниковых светодиодов заключается в излучении фотонов в результате спонтанной рекомбинации электронно-дырочных пар. Спонтанные процессы излучения света принципиально отличаются от процессов вынужденного (индуцированного) излучения, характерных для полупроводниковых лазеров и су - перлюминесцентных диодов. Оптические параметры светодиодов непосредственно связаны с процессами спонтанной излучательной рекомбинации. Поэтому в этом разделе будут обсуждаться характеристики спонтанного излучения светодиодов.
На рис. 5.1 схематично показан процесс рекомбинации электроннодырочных пар. Предполагается, что зависимости энергии электронов
Квазиволновой вектор к Рис. 5.1. Параболический закон дисперсии электронов и дырок и прямые межзонные переходы, соответствующие актам излучательной рекомбинации |
в зоне проводимости и энергии дырок в валентной зоне от волнового вектора к имеют параболический характер, т. е.
для электронов в зоне проводимости, (5.5)
для электронов в валентной зоне, (5.6)
где т* и — эффективные массы электрона и дырки, h — постоянная Планка, к — квазиволновой вектор, Ес и Е„ — энергии экстремумов зоны проводимости и валентной зоны.
(5.7) |
Законы сохранения энергии и квазиимпульса помогают прийти к более глубокому пониманию механизмов излучательной рекомбинации. Из распределения Больцмана видно, что средняя кинетическая энергия электронов и дырок равна кТ. Из закона сохранения энергии следует, что энергия фотона равна разности энергий электрона Ее и дырки Eh'.
hv = Ee-EhK. Ед.
Если тепловая энергия мала по сравнению с шириной запрещенной зоны Eg, т. е. кТ Eg, энергия фотона приблизительно равна Ед. Отсюда следует, что при выборе полупроводника с соответствующей запрещенной зоной можно создать светодиод, излучающий свет с требуемой длиной волны. Например, для GaAs при комнатной температуре Ед = 1,42 эВ, поэтому светодиоды GaAs создают инфракрасное излучение с длиной волны 870 нм.
Теперь сравним средний квазиимпульс носителя заряда с импульсом фотона. Квазиимпульс носителя заряда с кинетической энергией кТ и эффективной массой га* определяется выражением
р = т* ■ v — у 2т* ■ ^т* • и2 = V2т* • кТ. (5.8)
Квазиимпульс фотона с энергией Ед можно вывести из формулы де Бройля:
р = (h/2тг) ■ к = hv/c — Eg! с. (5.9)
Из расчетов по выражениям (5.8) и (5.9) следует, что в оптическом диапазоне импульс фотона намного меньше импульса носителей заряда, т. е. после акта рекомбинации с выделением фотона электрон переходит из зоны проводимости в валентную зону практически без изменения квазиимпульса. Именно такие переходы представлены на рис. 5.1 вертикальными линиями, показывающими, что электроны рекомбинируют только с теми дырками, у которых такой же, как у них, квазиимпульс или величина квазиволнового вектора к.
Из условия равенства квазиимпульсов электронов и дырок вытекает следующее соотношение, позволяющее рассчитать энергию фотона:
Аг_р, W2-fc2 р | (Ь)2-*2 _р | (ft)2'*2
hu-Ec+^r-Ev + ^r-E°+^T’ (5Л0)
где га; — приведённая масса, определяемая как
Л = Л + Л. (5.11)
mr me mh
Используя комбинированный закон дисперсии (5.10), можно найти комбинированную плотность энергетических состояний в зависимости от энергии:
, * 3/2
^-5?- ш "JFrF" <5Л2)
Распределение носителей в разрешенных зонах невырожденного полупроводника определяется распределением Больцмана
fB(E) = е~Е^т (5.13)
Зависимость интенсивности излучения от энергии является функцией, пропорциональной произведению уравнений (5.12) и (5.13):
1(E) ~ у/Е-Ед ■ е~Е^кТ (5.14)
На рис. 5.2 показан спектр излучения светодиодов, определяемый формулой (5.14). Максимум спектра излучения соответствует энергии
Е = Ед + ^кТ. (5.15)
Eg Eg + kT/2 Энергия Е Рис. 5.2. Теоретический спектр излучения светодиодов. Ширина распределения на половине интенсивности, определяется величиной 1,8кТ |
Ширина спектральной линии определяется на уровне, равном половине интенсивности в максимуме излучения:
АЕ = 1,8кТ или ДЛ = 1,8*f ■ Д2. (5.16)
he
Например, теоретическая ширина спектральной линии светодиода из GaAs, излучающего свет с длиной волны 870 нм при комнатной температуре, равна АЕ = 46 мэВ или ДА = 28 нм.
Ширина спектральной линии является важной характеристикой светодиодов. Во-первых, для светодиодов, излучающих свет в видимом диапазоне, она гораздо меньше ширины всего видимого спектра. Спектр излучения светодиодов даже уже спектра излучения, воспринимаемого человеческим глазом как один цвет1). Например, диапазон красного цвета лежит в пределах длин волн 625-730 нм, что гораздо шире типичного спектра излучения светодиодов. Поэтому излучение светодиодов воспринимается человеческим глазом как монохроматическое.
Во-вторых, оптические волокна рассеивают свет, в результате чего излучение с разными значениями длин волн в некотором диапазоне, составляющих световой импульс, будет распространяться вдоль него с разными скоростями. Дисперсия материала оптического волокна ограничивается величиной произведения скорости передачи данных в единицах бит/с на расстояние, определяемого параметрами светодиодов.
') Восприятие цвета системой человеческого зрения субъективно. Художники способны различать цвета с лучшим разрешением — см. гл. 16-19.
Время жизни носителей при спонтанном излучении светодиодов в прямозонных полупроводниках определяется концентрацией примесей в активной области (или концентрацией носителей), а также качеством материала, и обычно лежит в диапазоне 1-100 не, что позволяет добиться скоростей модуляции вплоть до 1 Гбит/с.