Современные БЫТОВЫЕ ЭЛЕКТРОПРИБОРЫ И МАШИНЫ
Технология изготовления термоэлектрического материала
Для термоэлектрического охлаждения применяют большое количество материалов, но наибольший эффект получен на сплавах с В^Без и БЬ2Тез.
По данным [20], лучшим материалом п-типа является сплав 90 мол. % В12Те3 -)-10 мол. % В128е3 + 0,13 вес. % Ь^2С1 с максимальной 2 = 3,15-10_3 1 /К. Высокой эффективностью р-типа обладает материал 75 мол. % БЬгТез + 25 мол. % В12Те3 + 4 вес. % Те+1 вес. % Бе с максимальной 2= (3,4-^3,5) • 10_3 1/К-
В работе [5] рассмотрено большое число различных материалов для термоэлектрических устройств. Однако число материалов, применяемых на практике, значительно меньше. Некоторые из них приведены в табл. 2.1.
Термоэлектрические бытовые холодильники используют в диапазоне окружающих температур (20—30) °С, в котором максимальную эффективность имеют сплавы на основе В12Тез. Поэтому в табл. 2.1 приведены данные именно по этим материалам. Для других температур следует выбирать материалы, приведенные в работе [5].
Механические свойства сплавов ВЬТез монокристаллических образцов определяются их пластинчатой структурой, из-за чего они легко расслаиваются. Поликристаллы этим недостатком не обладают, так как менее анизотропны.
Существуют в основном два способа получения термоэлектрического материала: метод прессования и метод кристаллизации из расплава.
Метод прессования. Термоэлектрический материал получают в результате холодного и горячего прессования. При холодном прессовании материал размалывают в шаровых мельницах, брикетируют в холодной пресс-форме, а затем спекают в вакууме или в среде инертного газа. При горячем прессовании материал спекают в разогретой пресс1 форме, а затем образцы дополнительно отжигают.
Плотность образцов, полученных в результате холодного прессования, близкая к плотности монокристалла, достигается под давлением (5—6) • 104 МПа при температуре 380—400 °С.
Иногда после прессования применяют экструзию, заключающуюся в продавливании заготовки из термоэлектрического материала через 62
О О |
Термоэлектрические свойства |
|||||||
Материал, легирующие добавки |
Тип проводимости |
Температура плавления |
Плотность, г/см3 |
При температуре °С |
А, Вт/К |
І О 2 О Ь |
'к, Вт/ (см • К) |
.. N |
В12Те3 (85%) +ВЬ8е3 (15%) |
П |
— |
7,5 |
20 |
170-10“6 |
1000 |
12-Ю“3 |
3-Ю“3 |
В!2Те3 (75 %) + ВЬЭез (25%), легированный СиВг, AgJ |
П |
620 |
'/,6 |
27 |
150-10“6 |
1660 |
20-10“3 |
1,9-10~3 |
В12Те3 (80 %) + ВЬЭез (20 %), легированный СиВг |
П |
620 |
7,6 |
27 |
125-10~6 |
1800 |
9,1 • 10^3 |
1,2-10—3 |
В12Те3 (80 %) + 8Ь2Те3 (20%) |
Р |
-- |
- |
20 |
160-10~6 |
1500 |
14-10-3 |
2,8.10~3 |
В12Те3 (20%) + ЭЬ2Те3 (80%), легированный Те (6%) |
Р |
“ |
-- |
27 |
174-10“6 |
1540 |
16,4-10“3 |
2,1 ■ 10~3 |
В!2Те3 (30%) + 8Ь2Те3 (70%), легированный J (0,1 %) |
Р |
20 |
195-10~6 |
1000 |
Б-Ю"3 |
1,5.10-3 |
Матрицу, получая тем самым необходимые формы и размеры при высокой производительности. Однако в экструдированном материале повышается неоднородность структуры по сечению прутка. Структура прутка на краю зависит от механического взаимодействия материала со стенками канала матрицы, дополнительного нагревания прутка в результате трения, создающего перепад температуры по сечению. В связи с этим структура поверхностного слоя отличается от структуры центральной части. х
Предел прочности в экструдированных материалах выше, чем в прессованных и термообработанных. Что же касается термоэлектрической эффективности, то она ниже эффективности материала, полученного методом кристаллизации из расплава.
Метод кристаллизации из расплава. Этот метод заключается в том, что сначала материал синтезируют, сплавляя в вакууме порядка 0,01—0,0001 МПа исходные компоненты в ампуле (контейнере) из кварца. Создание вакуума необходимо для исключения влияния кислорода воздуха на синтезируемый материал. Общее содержание посторонних примесей не должно превышать 0,001 %.
Дальнейшая направленная кристаллизация материала осуществляется различными методами.
Метод Бриджмена. Ампула (контейнер) с кристаллизирующимся веществом перемещается в печи из верхней области с температурой, превышающей температуру плавления вещества, в нижнюю зону, температура которой ниже температуры плавления. Перепад температуры в печи, определяющий перепад температуры в области кристаллизации при выращивании материалов на основе ЕНгТез, лежит в пределах от десятков до сотен градусов.
По методу Стокбаргера печь может состоять из двух камер, разделенных экраном.
Зонная плавка. При горизонтальной зонной плавке вакуумироваи - ная ампула с синтезированным веществом помещается в печь, состоящую из трех кольцевых нагревателей. Расположение нагревателей и их мощность выбирают так, чтобы обеспечить равномерный нагрев ампулы до температуры около 500 °С и создать узкую расплавленную зону. Равномерный нагрев ампулы необходим для исключения конденсации летучих компонентов. Для этого ампулу, с обрабатываемым слитком передвигают вдоль зоны расплава. Основным преимуществом зонной плавки является возможность получения материала с высокой термоэлектрической, эффективностью.
Технология изготовления термоэлектрического материала включает следующие этапы: приготовление и подготовка ампул, подготовка
Шихты, синтез материала, загрузка материала в ампулу, выращивание материала.
Ампулы изготовляют из синтетического кварца. Запайка ампул производится высокотемпературным кислородно-пропан-бутановым пламенем, резка осуществляется алмазным диском'. После изготовления ампулы травят смесью соляной и азотной кислот, а промывают дистиллированной водой. Чтобы исключить растрескивание ампул при выращивании материала, внутренние их поверхности покрывают слоем графита. Графитизация ампул осуществляется в результате разложения ацетона при иагреве его до температуры 700—800 °С без доступа воздуха.
Подготовка шихты включает дробление и составление заданных пропорций составляющих компонентов. Компоненты загружают в ампулу, откачивают воздух до остаточного давления 0,0001 МПа и запаивают.
Синтез термоэлектрического материала проводят в печи при температуре 700 °С в течение 3—5 ч. После синтеза материал дробят и снова загружают в ампулы для последующей перекристаллизации (выращивания). Установка для выращивания должна обеспечивать ширину расплавленной зоны 40—50 мм с перепадом температуры в зоне кристаллизации примерно 100 К/см.
Зонная перекристаллизация осуществляется в два этапа: подготовительный (проход расплавленной зоны по слитку сверху вциз) и ростовый (движение зоны снизу вверх).
Подготовительный этап необходим для исключения растрескивания ампул вследствие теплового расширения выращиваемого материала. Подготовительный проход ведется со скоростью 4,6 см/ч, ростовый проход для материала и-типа — 2,7 см/ч, а для материала р-типа 4,6 см/ч. Затем материалы извлекают из ампул и разрезают на электроискровом станке или алмазным диском, обеспечивая минимальный расход материала при заданных параметрах ветвей.
Сборка ветвей п - и р-типов в термоэлемент. Сборку производят в два этапа. Сначала собирают нарезанные бруски 1 (рис. 2.3) материала в блок. Затем в специальной осиастке блок заливают связывающим веществом, например эпоксидной смолой. Можно рекомендовать способ сборки через бумагу 2, пропитанную эпоксидной смолой, с последующей полимеризацией в течение 3 ч при температуре 80 °С. Затем блок разрезают по линиям 3 на таблетки, готовые для коммутации.
Коммутация термоэлементов. Соединение ветвей в термоэлемент производится через коммутационные пластины из материала с высокой, тепло - и электропроводностью. Наиболее распространенный способ коммутации — пайка предварительно залуженных ветвей и пластин. Полупроводник покрывают припоем методом погружения с применением специальных флюсов. Иногда коммутацию производят с помощью амальгам. Амальгаму наносят на соединенные поверхности, которые затем прижимают и выдерживают несколько часов в нормальных условиях.
Соединение термоэлементов в батарею. Термоэлементы соединяют в батареи так, чтобы все холодные спаи были с одной стороны, а горячие — с другой. Термоэлектрические батарен можно собирать с использованием технологии напыления тонких пленок. На подложку электроизоляционного материала с высокой теплопроводностью напыляется проводящий слой нужной конфигурации. Затем производится спай известными способами. Для изготовления батарей с общим основанием и электроизоляционной прослойкой можно рекомендовать и толстопленочную технологию;
Контроль качества термоэлектрического материала. Методы контроля достаточно хорошо изложены в литературе. Библиография этих работ приведена в работе [5]. Отметим только, что при серийном производстве термоэлектрических холодильников применяют специальные стенды, позволяющие измерить основные параметры: сопротивление термоэлектрического модуля по силе переменного тока; максимальный перепад температур между гранями модуля при заданных силе тока, напряжении и температуре горячей грани; холодопроизво- дительиость модуля при заданных силе тока, температурах горячих и холодных граней и тепловой нагрузке. Кроме того, перед сборкой измеряют геометрические размеры, иеплоскост-
_1 и и и и 3 □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ □ |
Ность и непараллельность гранен модуля. В собранном холодном агрегате при заданных силе тока, поступающего через модуль, и температуре горячей стороны спая измеряют падение напряжения на модуле (батарее) и разность температур холодной и горячей сторон спая.
ППППП, 1 2 |
Рис. 2.3. Блок термоэлектрических брусков:
1 — бруски термоэлектрического материала; 2 — бумага, пропитанная эпоксидным клеем; 3—линии разреза