СИСТЕМЫ ЧАСТОТНОГО УПРАВЛЕНИЯ СИНХРОННО-РЕАКТИВНЫМИ ДВИГАТЕЛЯМИ
Транзисторные переключающие устройства
Транзисторные переключающие устройства находят широкое применение для формирования импульсов в системах управления преобразователями частоты
Рис 48 Полупроводниковое реле устройства, либо на один его |
Рассмотрим два вида переключающих устройств, наиболее часто применяемых в системах частотного управления - одностабиль - ные и двустабильные. Одностабильными являются устройства, которые при помощи сигнала, поступающего на их входы, переводятся в противоположное состояние, а в исходное состояние возвращаются или по истечении определенного времени, зависящего от параметров схемы, или по истечении времени действия этого сигнала. Двустабильными являются устройства, которые могут находиться как угодно долго в каждом из двух состояний, причем эти состояния изменяются при помощи сигналов, подаваемых либо на различные входы общий вход.
К одностабильным переключающим устройствам относится спусковая схема Шмидта (полупроводниковое реле). Полупроводниковое реле (рис. 48) представляет собой двухкаскадный усилитель постоянного тока, выполненный на двух транзисторах Т и Т2 и охваченный положительной обратной связью, которая может быть либо последовательной — эмиттерной, выполненной с помощью сопротивления R0 с, являющегося общим эмиттерным сопротивлением обоих каскадов, либо параллельной — коллекторной, выполненной с помощью сопротивления Roc, включенного между коллектором транзистора второго каскада и базой транзистора первого каскада, либо комбинированной — эмиттерной и коллекторной.
В зависимости от характера обратной связи свойства полупроводникового реле имеют некоторые отличия.
При выполнении полупроводникового реле с эмиттерной обратной связью напряжение обратной связи U0 с, снимаемое с сопротивления R0 с, подается на вход усилителя последовательно с сопротивлением Rc источника сигнала управления ес. Если ес=0, то первый транзистор заперт (режим отсечки), а второй открыт (режим насыщения). При этом полярность напряжения на сопротивлении Rq г указана на рис. 48. Увеличение величины входногонапряжения ес вызывает уменьшение запирающего потенциала £/б-э на переходе база — эмиттер первого транзистора, так как
(178)
Когда напряжение Uб_э приближается к нулю, первый транзистор переходит из состояния отсечки в активную область.
При дальнейшем повышении напряжения сигнала е0 происходит увеличение токов базы и коллектора первого транзистора и, следовательно, уменьшение тока базы второго транзистора. Наступит момент, когда оба транзистора окажутся в активной области. В этом случае благодаря наличию положительной обратной связи в схеме разовьется лавинообразный процесс отпирания первого транзистора Ті и запирания второго транзистора Тг уже при неизменном значении напряжения входного сигнала. Этот процесс происходит следующим образом.
Небольшое приращение входного сигнала вызывает уменьшение тока базы второго транзистора, а следовательно, и уменьшение его тока коллектора, что, в свою очередь, приводит к снижению запирающего потенциала U0.с на сопротивлении обратной связи R0 с В связи с этим первый транзистор еще больше открывается. Процесс полностью заканчивается, когда второй транзистор переходит в режим отсечки, а первый, в зависимости от параметров схемы и от величины напряжения ес, либо остается в активной области, либо переходит в режим насыщения, т. е. происходит отпускание реле. Это состояние схемы продолжается до тех пор, пока под действием уменьшения напряжения ес не начнется снижение тока коллектора первого транзистора и тока базы второго. Дальнейшее снижение напряжения ес выведет оба транзистора в активную область. В этом случае в схеме возникнет лавинообразный процесс запирания первого транзистора и отпирания второго уже при неизменной величине напряжения ес. По окончании процесса реле возвратится в свое первоначальное состояние.
На рис. 49, а представлена характеристика вход — выход реле с эмиттерной положительной обратной связью, т. е. зависимость тока in в сопротивлении нагрузки RB от величины напряжения сигнала на входе реле. На рис. 49, б приведены кривые изменения напряжения входа ес и напряжения на коллекторе второго транзистора UK2, а также указаны потенциалы срабатывания Ес. с и отпускания Ес. о реле.
Потенциалы срабатывания и отпускания реле при условии, что коэффициенты усиления транзисторов велики (рь р2>50), а сопротивление R0 с СЯс, могут быть определены из уравнений
[Л. 45]:
Значения /у. о и /у. нас могут быть с достаточной степенью точности найдены из выражений:
/ (к!0 • j — 1*:-на±. (181)
где /кю, /к. нас —токи коллектора первого транзистора на границах отсечки И насыщения (коэффициент усиления Pi определяется
на границе насыщения транзистора).
Значения Uу. о и (/у. нас могут быть определены по переходной характеристике транзистора при напряжении коллектора, равном нулю:
Uу. о = ^нас 1 (^к1о)
И ^у. нас ~ ^насі(^к. нас )' (ВД
Для обеспечения релейного режима работы схемы сопротивление обратной связи должно удовлетворять соотношению
«о, О. (183)
Рис 49. Диаграмма работы полупроводникового реле: a — характеристика вход—выход реле; б — напряжение на входе реле ес и коллектора транзистора |
*н
где Uy, n = Uy. o — і^унас — напряжение переключения; 1 у. п=^у. о — —^у. нас —ток переключения;
IH^EH/RH—ток нагрузки.
Учитывая, что при работе реле ток управления изменяется скачком от значения /у. Нас до Іу. о, для создания релейного эффекта на величину сопротивления источника входного напряжения накладывают дополнительное условие!
І. Я, |
U |
У - п |
(184) |
‘у. п
Другими словами, релейный эффект исчезает, если управление реле производится от источника с большим входным сопротивлением.
Для создания релейного эффекта при большом значении величины входного сопротивления может быть использована положительная обратная связь, выполненная при помощи сопротивления Rо. с (пунктир на рис. 48). Как показано в работе [JL 45], релейный эффект' в схеме исчезает при снижении входного сопротивления источника сигнала ниже критической величины, и поэтому реле с такой связью используются при управлении от источника тока.
Конденсаторы Сі и С2, шунтирующие сопротивления связи, при данном способе управления служат лишь для ускорения процесса переброски триггера за счет форсировки токов баз в момент подачи импульсов.
Быстродействие триггера во многом зависит от состояния транзисторов (степени насыщения), их частотных свойств, способов управления и т. д. Однако ввиду того, что в рассмотренных ниже системах частотного управления маломощный триггер используется в системах управления мощными транзисторами, времена включения и выключения которых составляют десятки микросекунд, вопрос о получении максимального быстродействия триггера в данном случае не является актуальным и не рассматривается.
При статическом расчете триггера по схеме рис. 50 вводятся упрощения, заключающиеся в том, что напряжения на всех эмиттерах насыщенного транзистора и напряжение на переходе база — эмиттер выключенного транзистора принимаются равными нулю. В этом случае значения сопротивлений R3 и R^ могут быть определены из уравнения
где /комакс—остаточный ток коллектора при максимальной температуре; £См—напряжение смещения; рЕ, pR— допуски на изменения напряжения питания и величин сопротивлений. Обычно принимается, что рв = рл = ОД.
Рмнн t1 ~2Pr) рмин. EmRK |
Сопротивление /?2 определяется из уравнения
1 RK. (186)
где Рмин — минимальный коэффициент усиления транзистора по току.
Сопротивление коллекторной нагрузки RK1 и амплитуда выходного напряжения триггера, т. е. напряжения на коллекторе закрытого транзистора, определяются из уравнений:
RI |
к |
Значение емкости ускоряющего конденсатора можно приближенно определить из формулы
В тех случаях, когда триггер используется в качестве счетчика, например в кольцевых схемах, стартовые импульсы положительной или отрицательной полярности подаются одновременно на базы обоих транзисторов (на общий вход триггера) либо через разделительные конденсаторы, либо через разделительные диоды. При этом наличие ускоряющих конденсаторов обязательно, поскольку они действуют как элементы, запоминающие предыдущее состояние триггера, и позволяют осуществить его правильное переключение при подаче на его вход очередного стартового импульса [Л. 49; 54].