ТМ:НО:YAG ЛАЗЕР
Основные уровни энергии Tm:Ho: YAG лазера [16] представлены на рис. 9.5. Ионы Тт3+ вместе с ионами Но3+ замещают ионы Y3+ в решетке. Обычная концентрация ионов Тт достаточно велика (4-10 атом.%, тогда как концентрация ионов Но оказывается на порядок меньше. В случае использования импульсной лампы накачки активная среда дополнительно сенсибилизируется ионами Сг3+, которые замещают ионы А13+ в кристалле YAG. Здесь энергия накачки поглощается в основном через переходы 4А2 —> 4Т2 и 4А2 -> 4Т ионов Сг3+, [46] и далее она эффективно переносится на уровень 3F4 ионаТш3+ за счет ферстеровского ион-ионного взаимодействия. При непрерывной диодной накачке уровень 3F4 иона Тт3+ напрямую возбуждается излучением полупроводникового AlGaAs лазера (длина волны 785 нм), и в этом случае отпадает необходимость в дополнительном легировании кристалла ионами Сг3+. Как в случае накачки импульсной лампой, так и в случае накачки лазерным диодом, возбужденный уровень 3F4 иона Тт3+ далее претерпевает процесс кросс-релаксации между соседними ионами по схеме: Тт(3.Р4) +
Рис. 9.5 Соответствующая схема 4д энергетических уровней 2 Материала Сг:Тш:Но:¥АО |
4- Тт(3#6) 2Тт([47]Н4). Данный процесс переводит оба иона Тш (возбужденный ион, находящийся в состоянии 8^Р4, и ион, находящийся в состоянии 3Н6) в возбужденное состояние 3Н4. Для той высокой концентрации ионов Тш, которая здесь используется, процесс кросс-релаксации преобладает над процессом излучательной релаксации с уровня 377’4, и это приводит к тому, что полная квантовая эффективность накачки составляет приблизительно 2 (т. е. 200%). Быстрый перенос энергии между ионами Тш (вновь благодаря ферсте - ровскому ион-ионному взаимодействию) имеет место до тех пор, пока уровень возбужденного состояния иона Тш не станет очень близким к уровню иона Но. В этом случае энергия переносится на уровень [48]/7 иона Но, после чего на переходе Но3+ (5/7 5/8) происходит лазерная генерация. Фактически, лазерная
Генерация возникает между низшим подуровнем полосы 5/7 и подуровнем полосы 5/8, отстоящим от основного состояния на величину -462 см-1, при этом длина волны перехода составляет X = 2,08 мкм (квазитрехуровневый лазер). Без легирования ионами Но кристалл может генерировать излучение на переходе 3Н4 -» 3Н6 атома Тш, с длиной волны X = 2,02 мкм.
При использовании импульсной лампы накачки активная среда выбирается в виде стержня, при этом размеры активной среды примерно такие же, как и в случае Ег:УАО лазера (как уже рассматривалось в предыдущем разделе), а в качестве схем накачки используются эллиптические осветители или схемы с близким расположением лампы и кристалла (см. рис. 6.1.). Для таких схем лазеров выходная энергия составляет до 1 Дж при длительности импульса ~200 мкс, а дифференциальный КПД достигает 4% при частоте повторения импульсов до 10 Гц. Такие лазеры могут с успехом применяться для биомедицинских задач, поскольку биологическая ткань обладает значительным поглощением и вблизи длины волны 2 мкм (хотя это значение лежит ниже длины волны Ег лазера, 2,94 мкм). При диодной накачке зачастую используется продольная схема возбуждения, как это показано на рис. 6.11а. При достаточно большом коэффициенте поглощения для ионов Тт3+ (на длине волны излучения накачки этот коэффициент составляет ар = 6 см-1) толщина активной среды обычно выбирается в пределах 2-3 мм, при этом активная среда, как правило, охлаждается до низких температур (-Ю...-40°С) в целях уменьшения населенности нижнего лазерного уровня, обусловленной нагревом среды.
Безопасные для глаз лазерные радары, в которых используются Тт:Но: YAG лазеры, применяются для дистанционных измерений скорости ветра в атмосфере. Такие системы включают в себя одночастотный Тт:Но лазер с диодной накачкой, который используется в паре с Cr:Tm:Ho:YAG усилителем, возбуждаемым излучением импульсной лампы и использующим ячейку Покельса в качестве модулятора добротности.