ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ
Успехи в области создания излучающих диодов обусловлены разработкой и совершенствованием эпитаксиальных методов выращивания полупроводниковых соединений типа AnIBv и р—n-структур на их основе. Эпитаксиальные методы (газовой и жидкостной эпитаксии) в отличие …
ПРИМЕНЕНИЕ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ
В предшествующих главах книги приводились основные области применения излучающих диодов. В настоящей главе рассмотрим подробнее отдельные области применения приборов. Основной и наиболее массовой областью применения светоизлучающих диодов является сигнальная индикация. …
СТАБИЛЬНОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ В ПРОЦЕССЕ ЭКСПЛУАТАЦИИ
Исследованию стабильности излучающих диодов посвящено большое число экспериментальных и теоретических работ. Интерес к этой проблеме связан с необходимостью обеспечения высокой долговечности приборов, причем требование долговечности часто сочетается с другими требованиями, …
ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ связи
Волоконно-оптические линии связи ВОЛС станут в будущем важным средством передачи данных. Их перспективность обусловлена помехозащищенностью от внешних электромагнитных воздействий и от межка - нальных наводок; широкополосностью, которая в предельном случае …
БЕСКОРПУСНЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ДЛЯ ОПТРОНОВ
Основные требования, предъявляемые к источникам излучения для оптронов, следующие: высокий внешний квантовый выход излучения; высокое быстродействие; спектральное согласование излучения источника и максимальной чувствительности фотоприемника; миниатюрные размеры диода или излучающего пятна …
ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА
6.1. ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ Полупроводниковые диоды, излучающие в инфракрасной области спектра, благодаря высокой эффективности, быстродействию, долговечности, надежности, совместимости по энергии излучения с фотоприемниками на основе Si, а по параметрам питания — …
УСТРОЙСТВО ЛИНЕЙНЫХ ШКАЛ
Линейные шкалы способны отображать информацию в аналого-цифровом виде, что весьма удобно для считывания. В связи с этим они широко используются в измерительной технике, где позволяют заменить стрелочные измерительные приборы, тем …
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ С 5-ОБРАЗНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ
В последние годы ведутся исследования по созданию светоизлучающих диодов с S-образнои характеристикой (светоизлучающих динисторов) (рис. 4.29). Эти приборы представляют значительный интерес для ряда областей оптоэлектроники и электронной техники. Благодаря способности …
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД С УПРАВЛЯЕМЫМ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ
Светоизлучающие диоды — одни из немногих источников света, которые позволяют реализовать управляемое изменение цвета свечения. В настоящее время рассмотрено несколько путей создания светоизлучающих диодов с управляемым - цветом свечения: двухпереходный …
ФОТОМЕТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ
Основные параметры некоторых типов светоизлучаю - щих диодов представлены в табл. 4.4. Ниже рассмотрим подробнее характеристики приборов. Типичные значения прямого напряжения при токе 10 мА составляют для диодов из GaP …
ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДов И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ
Светоизлучающие диоды и индикаторы предназначены для передачи человеку информации, вырабатываемо^ устройством, машиной. В связи с этим излучение должно частично или полностью попадать в Пределы видимого человеком спектрального диапазона (0,38—0,78 мкм). …
УСТРОЙСТВО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ
Выпускаемые промышленностью светоизлучающие диоды по конструкции могут быть разделены на следующие группы: 1) в металло-стеклянном корпусе; 2) в конструкции с полимерной герметизацией на основе ме- талло-стеклянной ножки или рамочного держателя; …
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ КРИСТАЛЛ
Для изготовления светоизлучающих кристаллов используют эпитаксиальные структуры, рассмотренные в гл. 3. Выбор вида эпитаксиальных структур определяется, с одной стороны, назначением диода, а с другой стороны — основными характеристиками кристаллов а …
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
4.1. ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ И ТРЕБОВАНИЯ К ПРИБОРАМ Светоизлучающий диод состоит из кристалла полу, проводника с электронно-дырочным переходом и омиче - скими контактами и элементов конструкции, предназначенных для сбора излучения, увеличения …
GaP р—л-СТРУКТУРЫ С УПРАВЛЯЕМЫМ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ
Светоизлучающие диоды являются одним из немногих источников света, на основе которых может быть ализовано управляемое изменение цвета свечения. Существует несколько путей создания структур с управляемым цветом свечения. рассмотрим структуру, содержащую, …
Gar*AI*As ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КРАСНЫМ СВЕЧЕНИЕМ
Одновременно с работами по созданию гетероструктур с излучением в инфракрасном диапазоне проводились исследования гетероструктур в системе AIAs — GaAs для светоизлучающих диодов с излучением в красной области спектра. В 1972 …
Ga,-*Al*As ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ИНФРАКРАСНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
Первые излучающие диоды инфракрасного диапазона па основе одинарной и двойной гетероструктур в системе AlAs—GaAs были получены в работе [13]. На первом этапе последовавших затем экспериментальных работ по созданию ИК диодов …
GaAs,—*Р. у р—п-СТРУКТУРЫ
Арсенид — фосфид галлия — важнейший материал оптоэлектроники. Из-за удачного сочетания электролю - минесцентных свойств (высокой яркости и однородности), высокого качества поверхности (пригоден для осуществления планарных процессов) и технологичности метода …
GaP:N, Zn—О р—n-СТРУКТУРЫ С ЖЕЛТЫМ И ОРАНЖЕВЫМ СВЕЧЕНИЕМ
Исследованию путей создания светоизлучающих диодов с желтым свечением било посвящено большое число работ. Это вызвано тем, что желтый цвет весьма удобен для индикации,' не вызывает ассоциации опасности, на- примбр, как …
GaP:Zn, О —«-СТРУКТУРЫ С КРАСНЫМ СВЕЧЕНИЕМ
GaP — один из важнейших материалов, используемых в производстве светоизлучающих диодов. Впервые электролюминесценцию при прямом смещении р—п-перехода в GaP наблюдали в 1961 г, Гершензон и Микуль - як [45]. Из …
ФОСФИД ГАЛЛИЯ
Электрофизические и физико-химические свойства GaP нодроб - но рассмотрены в некоторых монографиях. GaP, так же как и GaAs, кристаллизуется в структуре цинковой обманки с ребром эле- О ментарной кубической ячейки …
ОСНОВНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ПРОИЗВОДСТВЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ
1.2. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Полупроводниковые светоизлучающие диоды изготавливают в настоящее время на основе бинарных интерметаллических соединений типа AnlBv н многокомпонентных твердых растворов этих соединений. В данной главе будут кратко рассмотрены основные …
ВЫВОД СВЕТА ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКА
Из светоизлучающего кристалла может быть выведена только часть генерируемого р — n-переходом излучения в связи со следующими основными видами по- Рнс. 1.14. Выход излучения из кристалла и внутреннее отражение Рис. …
НЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ
Рис. 1.4. Зонная диаграмма GaAs при 300 К в координатах энергия — волновой 1-Г вектор электрона. tg и — прямой и непрямой энергетические зазоры Излучательная рекомбинация — единственный физический механизм …
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ
1.1. ИНЖЕКЦИЯ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В основе работы полупроводниковых светоизлучающих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них: инжекция неосновных носителей в активную область структуры электронно-дырочным гомо - или гетеропереходом; …
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕДИОДЫ
Л. М. КОГАН Свет играет исключительно важную роль в жизни и производственной деятельности человека. Поэтому постоянно актуальна проблема создания высокоэффективных и надежных источников света. Полупроводниковая электроника до недавнего времени могла …
