Основные публикации по солнечной энергии

Селективные поверхности

Анализ энергетического баланса солнечных коллекторов показы­вает целесообразность создания поверхностей, обладающих высокой поглощательной способностью в диапазоне длин волн солнечного из­лучения и низкой степенью черноты в длинноволновой области спект­ра. Такое сочетание свойств можно получить благодаря незначитель­ному перекрыванию спектральных' диапазонов падающего солнечного Излучения (в спектре внеатмосферного солнечного излучения 98% из­лучения приходится на область длин волн менее 3 мкм) и испускаемо­го поверхностью длинноволнового излучения (энергия излучения чер - ного тела при температуре 400 К составляет менее 1% в области длин волн менее 3 мкм).

Спектральная отражательная способность1, представленная на фиг. 5.6.1, разъясняет смысл понятия селективной поверхности. Эта идеализированная поверхность называется "полусерой", поскольку ее можно рассматривать как серую в области солнечного спектра (т. е. в диапазоне длин волн, меньших -3,0 мкм) и также как серую, но с другими свойствами в инфракрасной области спектра (т. е. в диа­пазоне длин волн, больших - 3,0 мкм). Спектральная отражательная способность такой идеализированной поверхности в области длин волн, меньших критической, или пороговой, длины волны Ав, имеет очень низкое значение, а в области длин волн, больших Лс, — очень высокое значение. Следовательно, поглощательная способность по отношению к солнечному излучению будет очень близка К (1 — РЛ) пРи Л 4: 3 мкм. Значение степени черноты будет зависеть от темпе­ратуры поверхности, т. е. от того, какое количество излучения испус-

,Так как почти все характеристики являются полусферическими, пределение *’полусферический" опускается.

кает поверхность в области длин волн, больших Лс, и какое количе­ство — в области длин волн, меньших Лс. Поскольку плоские солнеч­ные коллекторы обычно работают при достаточно низких температу­рах, практически все испускаемое ими излучение приходится на об­ласть длин волн, меньших 3 мкм.

На практике зависимость рЛ от длины волны не совпадает с иде­альной кривой, представленной на фиг. 5.6.1. В качестве примера на фиг. 5.6.2 приведены спектральные распределения рЛ для некоторых реальных поверхностей. Поскольку реальные селективные поверхнос­ти не имеют строго определенной критической длины волны Лс и не обладают постоянными свойствами в коротковолновой и длинноволно­вой областях спектра, значения степени черноты будут сильнее зави­сеть от температуры поверхности, чем в случае идеальной полусерой поверхности (фиг. 5.6.1). Интегрирование по спектру собственного излучения дает значение степени черноты в длинноволновой части спектра, а по спектру солнечного излучения — значение поглощатель­ной способности поверхности по отношению к солнечному излучению’.

Хоттель и Вёрц [7] - указывали на возможность применения селек­тивных покрытий в солнечных коллекторах, и позднее этот вопрос об­суждался Гиром и Данклом [4], а также Тейбором [13 — 15L Потреб­ность в создании селективных поверхностей для применения их в кос­мических аппаратах, а также в связи с использованием солнечной энергии привела к широким исследованиям и накоплению большого числа экспериментальных данных (например, Мартин и Белл [91,- Эд­вардс и др. [2],- Шмидт и др. [10] - и др.). Тейбор [14] -сделал обзор по селективным поверхностям iT предложил несколько способов их изго­товления. Таким образом, в этой области, начиная с 1955 г., прове­ден ряд исследований, результаты которых нашли применение при со­здании солнечных коллекторов, и разработан ряд способов получения требуемых сочетаний свойств. Из них для гелиотехники представля­ют интерес следующие покрытия:

1. Покрытия, имеющие высокую поглошательную способность по отношению к солнечному излучению и высокую пропускательную спо­собность по отношению к длинноволновому излучению, которые могут быть нанесены на поверхности, обладающие малой степенью черноты. В результате покрытие поглошает солнечное излучение, а подложка является излучателем (причем плохим) в длинноволновой части спек-

’Во многих опубликованных работах по солнечной энергии для обозначения степени черноты в длинноволновой области используется символ с, а для поглощательной способности — символ а.

Селективные поверхности

Длина волны, мкм

Фиг. 5.6.2а. Спектральные отражательные способности некоторых поверхностей [2].-

і — полированный цинк на полированном алюминии; 2 — оцинкованное железо, толщина покрытия 0,5о мм, промышленная обработка; 3 — сол­нечный коллектор Тейбора, химическая обработка оцинкованного железа.

Селективные поверхности

Длина волны, мкм

Фиг. 5.6.26. Спектральные отражательные способности покрытий из сульфида свинца на алюминиевых подложках [19].•

1 - чистый алюминий (99, 99%) без покрытия; 2 - сплошное покрытие кз сульфида свинца, 0,68 мг/см2* 3 - дендрктовые кристаллы 0,1 мкм, 0,67 мг/см2.

тра. Покрытия могут быть однородными или иметь мелкозернистуї структуру, вследствие этого их свойства определяются либо тольк оптическими свойствами, присущими материалу покрытия, либо св< - ствами и структурой покрытия. Покрытия из окислов металлов на ь е - таллических подложках, имеющие подходящие для солнечных колле - торов характеристики, были разработаны Тейбором [141, Хоттелем и Унгером (61,. Кокоропулосом и др. [81. Уильямс и -;р. [191 исследова­ли покрытия из тонкодисперсного сульфида свинца. Мелкозернистая структура этих покрытий (подобная тем, которые исследовали Хот - тель и Унгер) в значительной степени влияет на селективность. Кро­ме того, в этой работе указывалось на возможность создания под­ходящей селективной краски при использовании связующего вещества с высокой пропускательной способностью в длинноволновой области спектра.

2. Интерференционные фильтры, которые могут быть нанесены, на подложки, имеющие низкую степень черноты. Фильтры формируют­ся путем поочередного осаждения слоев металлов и диэлектриков с оптической толщиной в четверть длины волны видимого и ближнего инфракрасного излучения. Мартин и Белл [9] показали, что трехслой­ные покрытия, такие, как Si02 — А1 — Si02, на подложках из алюми­ния позволяют получить отражательную способность менее 0,1 для солнечного спектра и более 0,9 для длинноволнового излучения.

3. Структура поверхности металла, обычно обладающей высокой отражательной способностью, может быть сформирована таким обра­зом, что поверхность становится хорошим поглотителем коротковол­нового излучения. Это можно осуществить путем нанесения царапин или вытравливания поверхности для создания углублений, размеры которых соизмеримы с пороговой длиной волны. Для коротковолново­го излучения такая поверхность представляет собой набор "полост­ных" поглотителей, а для длинноволнового излучения является глад­кой поверхностью. Однако степень селективности, достигаемая путем применения такой технологии, ограничена.

4. "Направленная селективность" может быть получена путем развития площади поверхности. Поверхности глубоких V-образных ка­навок достаточно больших размеров относительно всех рассматрива­емых длин волн могут быть расположены таким образом, что излуче­ние, падающее в направлениях, близких к направлению нормали ко всей поверхности, будет несколько раз отражаться внутри канавок, причем при каждом отражении часть излучения будет поглощаться. Такое многократное поглощение приводит к увеличению поглощатель­ной способности относительно солнечного излучения, но в то же вре­мя увеличивает степень черноты по отношению к длинноволновой час-

Селективные поверхности

металлический лист

Фиг. 5.6.3. Поглощение солнечного излучения путем многократных отражений на согнутых металлических листах [17].

ти спектра. Однако, как было показано Холландеом [5], соответствую­щая конфигурация поверхности позволяет существенно улучшить эф­фективность частично селективной поверхности. Например, если на Поверхность с а * 0,6 и £ * 0,05 плоского коллектора с оптимальной ориентацией нанести канавки с углом 55°, то получится среднее эф­фективное значение а * 0,9 и эквивалентное значение е *0,1, На фиг. 5.6.3, заимствованной из работы Тромбе и др. [17], показано мно­гократное поглощение, полученное при различных углах падения сол­нечного излучения на гофрированную поверхность с углом раскрытия канавок 30°.

Использование селективных поверхностей в солнечных коллекто­рах зависит от двух основных факторов. Во-первых, в связи с тем, что низкая степень черноты в длинноволновой части спектра обычно получается при некотором снижении высокого значения поглощатель­ной способности относительно солнечного излучения, необходимо пред­варительно оценить результирующее влияние селективности на харак­теристики коллектора (и в конечном счете на стоимость получаемой с помощью коллектора энергии). Это можно сделать путем совместно­го рассмотрения баланса энергии (гл. 7) и экономических соображе­ний, изложенных в последующих главах.

Во-вторых, на практике солнечные коллекторы должны быть рас­считаны для работы в течение нескольких лет. Поверхности коллекто­ров обычно подвергаются воздействию окисляющей и коррозионно-ак­тивной среды и работают при более или менее повышенных темпера-

Свойства некоторых селективных поверхностен, используемых в гелиотехнике

Поверхность

а *

«2

Неточних

'Черный никель", содержащий окислы и сульфиды Ni и Zn, на полирован­ном Ni 0,91 - 0,94

0,11

[151

"Черный никель" на оцинкованном железе (экспериментальный) 0,89

0,12

[15]

То же покрытие (промышленная об­работка)

0,16 - 0,18[ 151

"Черный никель", два слоя на нике­ле занесенном гальваническим спо­собом на мягкую сталь (а и е после 6-часовой выдержки в кипящей воде) 0,94

0,07

[И]

CuO HaNi, полученная при последую­щем окислении Си, использованной в качестве электрода

0,81

0,17

[8]

С°304 на серебре, полученная осаж­дением и окислением

0,90

0,27

[8]

CuO на А1, полученная распылением разбавленного раствора Cu(N03)2 на горячую алюминиевую пластину с последующим прокаливанием

0,93

0,11

[61

"Черная медь" на меди, полученная обработкой Си раствором NaOH и N аСЮ 2 (промышленный процесс)

0,89

0,17

[1]

Промышленная обработка "Ebanol", дающая на меди черненое покрытие, содержащее в основном CuO

0,90

0,16

[2]

CuO на анодированном А1, получен­ная обработкой А1 горячим раство­ром Cu(N03)2 - КМп04 с последую­щим прокаливанием

0,85

0,11

[14]

Интерференционные слои А1203- Мо - А1203 - Мо - А120 з-Мо - А12Оь иа Мо (е измерена при 260 °С) 0,91

0,085

[10]

Кристаллы PbS на А1

0,89

0,20

[19]

і а — поглощательная способность относительно солнечного излу­

чения.

2 е — степень черноты относительно длинноволнового излучения

при характерных температурах плоских солнечных коллекторов.

турах. Имеющиеся данные по а и с чаще всего относятся к только что изготовленным поверхностям. В то же время информация о радиа­ционных характеристиках поверхностей коллекторов, проработавших в течение продолжительного периода времени, весьма ограниченна.

В табл. 5.6.1 представлены значения поглощательной способности от­носительно солнечного излучения и степени черноты относительно длинноволнового излучения при характерных для плоских коллекто­ров рабочих температурах. В коммерческих солнечных водонагрева­телях были использованы только два типа поверхностей, остальные поверхности являются экспериментальными.

Добавить комментарий

Основные публикации по солнечной энергии

Підрахунок потужності: яку кількість сонячних панелей потрібно для вашого будинку?

Вирішивши встановити сонячні панелі для будинку, важливо заздалегідь визначитись із важливими питаннями. Потрібно знати, скільки знадобиться сонячних батарей. Для розрахунку кількості сонячних панелей, яка буде потрібна для вашого будинку, слід …

ПРИЛОЖЕНИЕ В

Международная система единиц СИ [24] Единицы системы СИ Основные единицы (единица измерения, обозначение, наименование) метр м длина килограмм кг масса секунда с время Кельвин К термодинамическая температура Производные единицы Все …

ПРИЛОЖЕНИЕ Б

Обозначения Здесь указана лишь часть используемых в книге обозначений. Редко встречающиеся обозначения определены в соответствующих главах и в данном списке не приводятся. А — площадь, дополнительный элемент; С — скорость …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Партнеры МСД

Контакты для заказов оборудования:

Внимание! На этом сайте большинство материалов - техническая литература в помощь предпринимателю. Так же большинство производственного оборудования сегодня не актуально. Уточнить можно по почте: Эл. почта: msd@msd.com.ua

+38 050 512 1194 Александр
- телефон для консультаций и заказов спец.оборудования, дробилок, уловителей, дражираторов, гереторных насосов и инженерных решений.