Основные публикации по солнечной энергии
Селективные поверхности
Анализ энергетического баланса солнечных коллекторов показывает целесообразность создания поверхностей, обладающих высокой поглощательной способностью в диапазоне длин волн солнечного излучения и низкой степенью черноты в длинноволновой области спектра. Такое сочетание свойств можно получить благодаря незначительному перекрыванию спектральных' диапазонов падающего солнечного Излучения (в спектре внеатмосферного солнечного излучения 98% излучения приходится на область длин волн менее 3 мкм) и испускаемого поверхностью длинноволнового излучения (энергия излучения чер - ного тела при температуре 400 К составляет менее 1% в области длин волн менее 3 мкм).
Спектральная отражательная способность1, представленная на фиг. 5.6.1, разъясняет смысл понятия селективной поверхности. Эта идеализированная поверхность называется "полусерой", поскольку ее можно рассматривать как серую в области солнечного спектра (т. е. в диапазоне длин волн, меньших -3,0 мкм) и также как серую, но с другими свойствами в инфракрасной области спектра (т. е. в диапазоне длин волн, больших - 3,0 мкм). Спектральная отражательная способность такой идеализированной поверхности в области длин волн, меньших критической, или пороговой, длины волны Ав, имеет очень низкое значение, а в области длин волн, больших Лс, — очень высокое значение. Следовательно, поглощательная способность по отношению к солнечному излучению будет очень близка К (1 — РЛ) пРи Л 4: 3 мкм. Значение степени черноты будет зависеть от температуры поверхности, т. е. от того, какое количество излучения испус-
,Так как почти все характеристики являются полусферическими, пределение *’полусферический" опускается.
кает поверхность в области длин волн, больших Лс, и какое количество — в области длин волн, меньших Лс. Поскольку плоские солнечные коллекторы обычно работают при достаточно низких температурах, практически все испускаемое ими излучение приходится на область длин волн, меньших 3 мкм.
На практике зависимость рЛ от длины волны не совпадает с идеальной кривой, представленной на фиг. 5.6.1. В качестве примера на фиг. 5.6.2 приведены спектральные распределения рЛ для некоторых реальных поверхностей. Поскольку реальные селективные поверхности не имеют строго определенной критической длины волны Лс и не обладают постоянными свойствами в коротковолновой и длинноволновой областях спектра, значения степени черноты будут сильнее зависеть от температуры поверхности, чем в случае идеальной полусерой поверхности (фиг. 5.6.1). Интегрирование по спектру собственного излучения дает значение степени черноты в длинноволновой части спектра, а по спектру солнечного излучения — значение поглощательной способности поверхности по отношению к солнечному излучению’.
Хоттель и Вёрц [7] - указывали на возможность применения селективных покрытий в солнечных коллекторах, и позднее этот вопрос обсуждался Гиром и Данклом [4], а также Тейбором [13 — 15L Потребность в создании селективных поверхностей для применения их в космических аппаратах, а также в связи с использованием солнечной энергии привела к широким исследованиям и накоплению большого числа экспериментальных данных (например, Мартин и Белл [91,- Эдвардс и др. [2],- Шмидт и др. [10] - и др.). Тейбор [14] -сделал обзор по селективным поверхностям iT предложил несколько способов их изготовления. Таким образом, в этой области, начиная с 1955 г., проведен ряд исследований, результаты которых нашли применение при создании солнечных коллекторов, и разработан ряд способов получения требуемых сочетаний свойств. Из них для гелиотехники представляют интерес следующие покрытия:
1. Покрытия, имеющие высокую поглошательную способность по отношению к солнечному излучению и высокую пропускательную способность по отношению к длинноволновому излучению, которые могут быть нанесены на поверхности, обладающие малой степенью черноты. В результате покрытие поглошает солнечное излучение, а подложка является излучателем (причем плохим) в длинноволновой части спек-
’Во многих опубликованных работах по солнечной энергии для обозначения степени черноты в длинноволновой области используется символ с, а для поглощательной способности — символ а.
Длина волны, мкм Фиг. 5.6.2а. Спектральные отражательные способности некоторых поверхностей [2].- і — полированный цинк на полированном алюминии; 2 — оцинкованное железо, толщина покрытия 0,5о мм, промышленная обработка; 3 — солнечный коллектор Тейбора, химическая обработка оцинкованного железа. |
Длина волны, мкм Фиг. 5.6.26. Спектральные отражательные способности покрытий из сульфида свинца на алюминиевых подложках [19].• 1 - чистый алюминий (99, 99%) без покрытия; 2 - сплошное покрытие кз сульфида свинца, 0,68 мг/см2* 3 - дендрктовые кристаллы 0,1 мкм, 0,67 мг/см2. |
тра. Покрытия могут быть однородными или иметь мелкозернистуї структуру, вследствие этого их свойства определяются либо тольк оптическими свойствами, присущими материалу покрытия, либо св< - ствами и структурой покрытия. Покрытия из окислов металлов на ь е - таллических подложках, имеющие подходящие для солнечных колле - торов характеристики, были разработаны Тейбором [141, Хоттелем и Унгером (61,. Кокоропулосом и др. [81. Уильямс и -;р. [191 исследовали покрытия из тонкодисперсного сульфида свинца. Мелкозернистая структура этих покрытий (подобная тем, которые исследовали Хот - тель и Унгер) в значительной степени влияет на селективность. Кроме того, в этой работе указывалось на возможность создания подходящей селективной краски при использовании связующего вещества с высокой пропускательной способностью в длинноволновой области спектра.
2. Интерференционные фильтры, которые могут быть нанесены, на подложки, имеющие низкую степень черноты. Фильтры формируются путем поочередного осаждения слоев металлов и диэлектриков с оптической толщиной в четверть длины волны видимого и ближнего инфракрасного излучения. Мартин и Белл [9] показали, что трехслойные покрытия, такие, как Si02 — А1 — Si02, на подложках из алюминия позволяют получить отражательную способность менее 0,1 для солнечного спектра и более 0,9 для длинноволнового излучения.
3. Структура поверхности металла, обычно обладающей высокой отражательной способностью, может быть сформирована таким образом, что поверхность становится хорошим поглотителем коротковолнового излучения. Это можно осуществить путем нанесения царапин или вытравливания поверхности для создания углублений, размеры которых соизмеримы с пороговой длиной волны. Для коротковолнового излучения такая поверхность представляет собой набор "полостных" поглотителей, а для длинноволнового излучения является гладкой поверхностью. Однако степень селективности, достигаемая путем применения такой технологии, ограничена.
4. "Направленная селективность" может быть получена путем развития площади поверхности. Поверхности глубоких V-образных канавок достаточно больших размеров относительно всех рассматриваемых длин волн могут быть расположены таким образом, что излучение, падающее в направлениях, близких к направлению нормали ко всей поверхности, будет несколько раз отражаться внутри канавок, причем при каждом отражении часть излучения будет поглощаться. Такое многократное поглощение приводит к увеличению поглощательной способности относительно солнечного излучения, но в то же время увеличивает степень черноты по отношению к длинноволновой час-
металлический лист Фиг. 5.6.3. Поглощение солнечного излучения путем многократных отражений на согнутых металлических листах [17]. |
ти спектра. Однако, как было показано Холландеом [5], соответствующая конфигурация поверхности позволяет существенно улучшить эффективность частично селективной поверхности. Например, если на Поверхность с а * 0,6 и £ * 0,05 плоского коллектора с оптимальной ориентацией нанести канавки с углом 55°, то получится среднее эффективное значение а * 0,9 и эквивалентное значение е *0,1, На фиг. 5.6.3, заимствованной из работы Тромбе и др. [17], показано многократное поглощение, полученное при различных углах падения солнечного излучения на гофрированную поверхность с углом раскрытия канавок 30°.
Использование селективных поверхностей в солнечных коллекторах зависит от двух основных факторов. Во-первых, в связи с тем, что низкая степень черноты в длинноволновой части спектра обычно получается при некотором снижении высокого значения поглощательной способности относительно солнечного излучения, необходимо предварительно оценить результирующее влияние селективности на характеристики коллектора (и в конечном счете на стоимость получаемой с помощью коллектора энергии). Это можно сделать путем совместного рассмотрения баланса энергии (гл. 7) и экономических соображений, изложенных в последующих главах.
Во-вторых, на практике солнечные коллекторы должны быть рассчитаны для работы в течение нескольких лет. Поверхности коллекторов обычно подвергаются воздействию окисляющей и коррозионно-активной среды и работают при более или менее повышенных темпера-
Свойства некоторых селективных поверхностен, используемых в гелиотехнике
Поверхность |
а * |
«2 |
Неточних |
'Черный никель", содержащий окислы и сульфиды Ni и Zn, на полированном Ni 0,91 - 0,94 |
0,11 |
[151 |
|
"Черный никель" на оцинкованном железе (экспериментальный) 0,89 |
0,12 |
[15] |
|
То же покрытие (промышленная обработка) |
0,16 - 0,18[ 151 |
||
"Черный никель", два слоя на никеле занесенном гальваническим способом на мягкую сталь (а и е после 6-часовой выдержки в кипящей воде) 0,94 |
0,07 |
[И] |
|
CuO HaNi, полученная при последующем окислении Си, использованной в качестве электрода |
0,81 |
0,17 |
[8] |
С°304 на серебре, полученная осаждением и окислением |
0,90 |
0,27 |
[8] |
CuO на А1, полученная распылением разбавленного раствора Cu(N03)2 на горячую алюминиевую пластину с последующим прокаливанием |
0,93 |
0,11 |
[61 |
"Черная медь" на меди, полученная обработкой Си раствором NaOH и N аСЮ 2 (промышленный процесс) |
0,89 |
0,17 |
[1] |
Промышленная обработка "Ebanol", дающая на меди черненое покрытие, содержащее в основном CuO |
0,90 |
0,16 |
[2] |
CuO на анодированном А1, полученная обработкой А1 горячим раствором Cu(N03)2 - КМп04 с последующим прокаливанием |
0,85 |
0,11 |
[14] |
Интерференционные слои А1203- Мо - А1203 - Мо - А120 з-Мо - А12Оь иа Мо (е измерена при 260 °С) 0,91 |
0,085 |
[10] |
|
Кристаллы PbS на А1 |
0,89 |
0,20 |
[19] |
і а — поглощательная способность относительно солнечного излу |
|||
чения. 2 е — степень черноты относительно длинноволнового излучения |
|||
при характерных температурах плоских солнечных коллекторов. |
турах. Имеющиеся данные по а и с чаще всего относятся к только что изготовленным поверхностям. В то же время информация о радиационных характеристиках поверхностей коллекторов, проработавших в течение продолжительного периода времени, весьма ограниченна.
В табл. 5.6.1 представлены значения поглощательной способности относительно солнечного излучения и степени черноты относительно длинноволнового излучения при характерных для плоских коллекторов рабочих температурах. В коммерческих солнечных водонагревателях были использованы только два типа поверхностей, остальные поверхности являются экспериментальными.