Условные обозначения

А,

Механический эквивалент света

К

Постоянная Больцмана

В

Сииий свет

К,

Коэффициент передачи по току

С

Скорость света в свободном простран­

Ку

Коэффициент световой эффективности

Стве

Коэффициент усиления лазера

Ся

Емкость диода

К

Коэффициент потерь излучения

А,

Коэффициент диффузии электронов

В резонаторе лазера

°р

Коэффициент диффузии дырок

Аф

Импульс фотона

</

Толщина диэлектрика

Яркость светящейся поверхности

Е

Энергия, освещенность поверхности,

Длина когерентности

Вектор напряженности

^лаз

Длина лазерного излучения

£фОТ

Энергия фотона

И-

Энергетическая яркость

■^фои

Энергия фонона

Яркость

£з

Энергетическая ширина запрещенной

М

Светимость излучающей поверхности

Зоны

Мф

Масса фотона

Ев

Энергия дна зоны проводимости

Ме

Энергетическая светимость

Свободного электрона

П

Показатель преломления

Е.

Энергия потолка валентной зоны

N.

Число Авогадро

Е

^■вын

Энергия вынуждающего излучения

Р

Мощность

Ее

Облученность поверхности

Р. ых

Выделяемая мощность

Е,

Энергия накачки

Р

1 ПОГП

Поглощаемая мощность

£ф

Энергия Ферми

Р

1 пред

Предельная мощность

Ею

Модуль Юнга

Р»

Импульс электрона

Е

Коэффициент теплового шума

Лол

Мощность излучения

Е{1)

Функция видности

Лтн

Мощность генерируемая внутри

/

Частота

Кристалла

/гр

Граничная частота

Рх

Мощность излучения для длины

С

Зеленый свет

Волны X

//,

Энергетическая экспозиция

П„

Плотность энергии электромагнитного

//с

Световая экспозиция

Поля

Фе

Поток излучения

Е

Добротность

Фv

Световой поток

И

Коэффициент отражения

И

Постоянная Планка

Я»

Сопротивление диода

I.

Сила излучения

ГЛ

Динамический резистор

/*

Ток насыщеня транзистора

Рогр

Ограничивающее сопротивление СИД

/„

Электронная составляющая тока

Рп

Сопротивление потерь

!р

Дырочная составляющая тока

Последовательный резистор

'диф

Диффузионный ток

Ріс.

Темновое сопротивление

/и

Ток насыщения

Я

Красный свет, коэффициент отражения

/о

Обратный ток при насыщении

Б

Площадь поверхности

'обр

Обратный ток

/

Время

*ПОВ

Ток утечки по поверхности

^диф

Время диффузии

*пр

Прямой ток

'и

Длительность импульса

*пр тах

Максимально допустимый прямой ток через светодиод

Р*тшх

Максимально допустимая температура корпуса светодиода

*рек

Ток рекомбинации

Тв

Температура перехода

/’с

Сигнальный ток

Иж

Напряжение контактной разности

'сд

Ток через светодиод

Потенциалов

*г

Ток теплового шума

И„

Напряжение источника питания

Т. Г.

Ток термогенерации

Ипр

Напряжение прямого смещения

*тун

Ток туннельный

^обр

Напряжение обратного смещения

1Ш

Шумовой ток

^обрпих

Максимально допустимое обратное

‘V

Сила света

Напряжение светодиода

X

Длина волны

^•шах

Максимальное спектральное

Распределение светодиода

М

Магнитная проницаемость диэлектрика

Мр

Подвижность дырок

V

Частота оптического излучения

V«

Центральная частота излучения

Т. м

Внутримодовая дисперсия

Тк

Время когерентности

*^мд

Материальная дисперсия

Тмм

Межмодовая дисперсия

Тр

Время релаксации

Тф

Время излучения фотона

Ъ

Время жизни на уровне у

0

Угол излучения;

Характеристическая температура Дэбая

Єр

Расходимость излучения

П

Телесный угол