Инфракрасные системы «смотрящего» типа
ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ И СООТВЕТСТВУЮЩИЕ ИМ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Как и для одноэлементных приемников, для описания МПИ используют большое число параметров чувствительности и соответствующих им характеристик, определяемых действующими стандартами [26, 40, 61,71 и др.]. Как известно, чувствительность приемника представляется отношением изменения электрической величины (тока, напряжения, сопротивления) на его выходе, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения (потока, облученности). Из этого определения ясно, что к параметрам чувствительности относятся чувствительность к потоку или облученности, вольтовая или токовая чувствительность, интегральная или монохроматическая чувствительность и ряд других. Применительно к приемникам, работающим в составе тепловизионных ИКС, важно знать температурную чувствительность - отношение приращения электрической величины на выходе приемника к вызвавшему это приращение изменению температуры черного тела, облучающего МПИ.
Зависимости этих и электрических выходных параметров приемника от приложенного к нему напряжения (вольтовые характеристики), а также от потоков или облученностей, создаваемых на чувствительном слое объектом и фоном {энергетические и фоновые характеристики), очень важны для оценки возможностей использования
МПИ в составе ИКС. Большой интерес представляют линейный диапазон этих характеристик и уровень насыщения, свойственные чувствительным элементам МПИ.
Еще одним параметром, регламентированным ГОСТ 21934-83, является коэффициент фотоэлектрической связи МПИ — отношение напряжения сигнала с необлученного элемента МПИ к напряжению сигнала, снимаемого с соседнего облученного элемента. Этот параметр, определяемый для линейного участка энергетической характеристики при наличии рабочего напряжения питания на всех элементах МПИ, характеризует перекрестные электрические связи отдельных элементов. Иногда при этом определении оговаривается вид облучения элементов (точечным или линейчатым излучателем, равномерным облучением по площади элемента и др.).