ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

Вольт-амперная характеристика солнечного элемента под освещением

Величину фотоЭДС, которая устанавливается в состоянии равновесия при освещении перехода излучением постоянной интенсивности, можно по­лучить из уравнения вольт-амперной характеристики (см. уравнение (2.16)).

Эквивалентная схема идеального солнечного элемента на основе ^«-пе­рехода представлена на рис. 2.6. Через р-«-переход течет ток, который ра­вен Is _eeU^k -1]. Ток насыщения Is для идеального фотоэлемента опре­деляется выражением (2.17). ^-«-переход шунтируется нагрузкой (сопро­тивление R), в которую отбирается ток I. Параллельно р-«-переходу рас­положен генератор тока с силой тока 1ф, описывающий возбуждение не­равновесных носителей солнечным излучением.

Рис. 2.6. Эквивалентная схема солнечного элемента

Вольт-амперная характеристика такого прибора представлена выражением

I = ЦееШТ - і) - /ф. (2.18)

Величина фототока 1ф определяется числом избыточных носителей заряда, созданных светом и дошедших до p-n-перехода, и равна

1ф = J'qP = eYPSIи/^v, (2.19)

Подпись: I, мА Рис. 2.8. Вольт-амперная характеристика солнечного элемента

image036

где Jф — плотность фототока; S — площадь p-n-пе- рехода; у — доля непрорекомбинировавших пар но­сителей заряда, пришедших к p-и-переходу; Р — квантовый выход; 1и — интенсивность излучения.

Это выражение справедливо для случая, ко­гда весь падающий на полупроводник свет по­глощается.

Из выражения (2.18) следует, что график вольт-амперной характеристики (ВАХ) освещен­ного p-n-перехода может быть получен путем пе­ремещения всей темновой ВАХ вдоль оси токов вниз на величину 1ф (рис. 2.7).

Уравнение ВАХ остается справедливым при освещении фотоэлемента светом произвольного спектрального состава, изменяется лишь значение фототока 1ф.

Поскольку ВАХ под освещением проходит через четвертый квадрант, направление тока через p-n-переход противоположно полярности приложен­ного напряжения (рис. 2.8). Это означает, что прибор в данном случае служит источником энергии. Если освещенный переход нагружен сопротивлением, то в цепи течет фототок без применения внешнего источника напряжения.

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

Ключевые особенности технологических процессов, используемых «Oerlikon Solar»

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) — активирован­ный плазмой ВЧ разряда химический процесс, наиболее распространенный для получения пленок аморфного и микрокристаллического кремния, ис­пользуемых в технологии фирмы «Oerlikon Solar». В плазме происходит …

Описание разработок технологии фирмы «Oerlikon Solar» по производству солнечных модулей на основе аморфного и микрокристаллического кремния (www. oerlikon. com)

В настоящее время солнечная энергетика является одним из наиболее перспективных видов возобновляемой энергетики. Основным устройством, используемым для прямого преобразования энергии солнечного света в элек­троэнергию, является солнечный модуль (СМ). Широкое применение …

Солнечные элементы на основе аморфного кремния

Наиболее значимыми на мировом рынке в области тонкопленочных солнечных элементов на основе аморфного кремния являются зарубежные компании, имеющие собственное производство гетероструктурных тонко­пленочных фотопреобразователей. Ведущими производителями каскадных тонкопленочных солнечных элементов на …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.