ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

Солнечные элементы на основе гетероструктур a-Si:H/c-Si

image224 image225

В начале 90-х годов началась разработка солнечных элементов на осно­ве гетероструктур a-Si:H/c-Si (HIT structure — Heterojunction with Intrinsic Thin-layer — гетероструктуры с тонким собственным слоем a-Si:H), конст­рукция которого представлена на рис. 7.8 [99]—[ 104].

Рис. 7.8. Солнечный элемент
на основе гетероструктуры a-Si:H/c-Si

В 1993 г. впервые были изготовлены солнечные элементы такого типа в лабораторных условиях, а в 1997 г. началось массовое производство сол­нечных элементов на основе гетероструктур a-Si:H/c-Si. Компания «Sanyo» одной из первых изготовила СЭ, имеющий структуру TCO/p-a-Si:H/n-c-Si. КПД такого солнечного элемента составил 12,3 %. Последующая модифи­кация солнечных элементов на основе гетероструктур a-Si:H/c-Si за счет формирования p-i-n-структуры TCO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-c-Si привела к увели­чению эффективности до 14,8 %. Использование текстурированной подложки повысило КПД до 19,5 %. Наконец, после изготовления двухсторонней струк­туры TCO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-c-Si/i-a-Si:H/n-a-Si:H/(отражающий контакт) уда­лось добиться эффективности преобразования 21 %, что сравнимо с эффек­тивностью СЭ на основе монокристаллического кремния с p-n-переходом.

При формировании солнечных элементов по данной технологии осаж­дение слоев аморфного гидрогенизированного кремния осуществляется при низкой температуре (~200 °С). Это позволяет использовать подложки на ос­нове монокристаллического кремния не очень высокого качества, за счет че-

121

го снижается стоимость СЭ. В формируемых гетероструктурах a-Si:H/c-Si обеспечивается очень хорошая пассивация поверхности c-Si аморфным гид - рогенизированным кремнием, приводящая к значительному увеличению КПД СЭ. Кроме того, для солнечных элементов такого типа практически отсутст­вует деградация свойств со временем и наблюдается меньшая зависимость КПД от температуры по сравнению с обычными солнечными элементами из - за наличия собственного /-слоя a-Si:H и большого разрыва в валентной зо­не на границе раздела a-Si:H/c-Si.

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

Ключевые особенности технологических процессов, используемых «Oerlikon Solar»

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) — активирован­ный плазмой ВЧ разряда химический процесс, наиболее распространенный для получения пленок аморфного и микрокристаллического кремния, ис­пользуемых в технологии фирмы «Oerlikon Solar». В плазме происходит …

Описание разработок технологии фирмы «Oerlikon Solar» по производству солнечных модулей на основе аморфного и микрокристаллического кремния (www. oerlikon. com)

В настоящее время солнечная энергетика является одним из наиболее перспективных видов возобновляемой энергетики. Основным устройством, используемым для прямого преобразования энергии солнечного света в элек­троэнергию, является солнечный модуль (СМ). Широкое применение …

Солнечные элементы на основе аморфного кремния

Наиболее значимыми на мировом рынке в области тонкопленочных солнечных элементов на основе аморфного кремния являются зарубежные компании, имеющие собственное производство гетероструктурных тонко­пленочных фотопреобразователей. Ведущими производителями каскадных тонкопленочных солнечных элементов на …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Партнеры МСД

Контакты для заказов шлакоблочного оборудования:

+38 096 992 9559 Инна (вайбер, вацап, телеграм)
Эл. почта: inna@msd.com.ua