Ключевые особенности технологических процессов, используемых «Oerlikon Solar»

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) — активирован­ный плазмой ВЧ разряда химический процесс, наиболее распространенный для получения пленок аморфного и микрокристаллического кремния, ис­пользуемых в технологии фирмы «Oerlikon Solar». В плазме происходит …

Описание разработок технологии фирмы «Oerlikon Solar» по производству солнечных модулей на основе аморфного и микрокристаллического кремния (www. oerlikon. com)

В настоящее время солнечная энергетика является одним из наиболее перспективных видов возобновляемой энергетики. Основным устройством, используемым для прямого преобразования энергии солнечного света в элек­троэнергию, является солнечный модуль (СМ). Широкое применение …

Солнечные элементы на основе аморфного кремния

Наиболее значимыми на мировом рынке в области тонкопленочных солнечных элементов на основе аморфного кремния являются зарубежные компании, имеющие собственное производство гетероструктурных тонко­пленочных фотопреобразователей. Ведущими производителями каскадных тонкопленочных солнечных элементов на …

Сравнительный анализ существующих на сегодняшний день тонкопленочных технологий для преобразования солнечной энергии в электроэнергию

В связи с тем, что основной материал солнечной энергетики — крем­ний — непрямозонный полупроводник и его коэффициент поглощения не­высок, для эффективного поглощения солнечного света толщина изготав­ливаемых солнечных элементов должна составлять …

ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ МОДУЛИ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО И МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПО ТЕХНОЛОГИИ И НА ОБОРУДОВАНИИ ФИРМЫ «OERLIKON SOLAR»

Как уже отмечалось во введении, проблемой традиционной солнечной фотоэнергетики является высокая стоимость монокристаллических крем­ниевых солнечных батарей — основного материала на рынке солнечной энергетики. Стоимость СБ их эффективность влияют на стоимость …

СЭ на гибкой основе

Интересным с практической точки зрения является формирование фо­тоэлектрических преобразователей на гибкой основе. Такие СЭ имеют су­щественно меньший вес, чем обычные, и легко монтируются фактически на любой поверхности. Они могут повторять …

Изготовление модулей СЭ на стеклянной подложке

Для промышленного производства модулей из СЭ на основе аморф­ных полупроводников могут использоваться стеклянные подложки (тол­щина 3 мм, ширина 0,5 м, длина 1 м), на которые наносится текстуриро­ванный слой TCO (SnO2) …

Рулонная технология изготовления модулей СЭ

При переходе от научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ к крупномасштабному поточному производству ключевыми момента­ми являются однородность осаждения на больших площадях, скорость оса­ждения, используемые газы, выход годных, воспроизводимость, возмож­ность автоматизации. Примером поточного …

ПРОИЗВОДСТВО МОДУЛЕЙ СЭ НА ОСНОВЕ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Характеристики промышленно выпускаемых модулей, как правило, ху­же СЭ, получаемых в лабораториях. Это связано, прежде всего, с тем, что СЭ, получаемые в лабораториях, имеют меньшие площади, более высокое качест­во TCO, полупроводников, …

Повышение стабильности основных параметров СЭ на основе неупорядоченных полупроводников

Деградация КПД СЭ на основе a-Si:H связана с тем, что под действи­ем освещения возникает новое метастабильное состояние, обусловленное дефектами [27], [30]. Уменьшение КПД на 2/3 вызвано понижением коэффициента формы и …

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ И СТАБИЛЬНОСТИ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ СЭ НА ОСНОВЕ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

6.1. Основные направления повышения эффективности солнечных элементов В настоящее время использование солнечных элементов на основе a - Si:H не приняло широкого распространения. Для улучшения качества СЭ на основе a-Si:H необходимо …

Солнечные элементы на основе гетероструктур a-Si:H/c-Si

В начале 90-х годов началась разработка солнечных элементов на осно­ве гетероструктур a-Si:H/c-Si (HIT structure — Heterojunction with Intrinsic Thin-layer — гетероструктуры с тонким собственным слоем a-Si:H), конст­рукция которого представлена на …

Каскадные солнечные элементы

Большинство современных солнечных элементов обладают одним p-n - переходом. В таком элементе свободные носители заряда создаются только теми фотонами, энергия которых больше или равна оптической ширине за­прещенной зоны. Другими словами, …

Заряд в полупроводнике

В аморфном кремнии квазиуровни Ферми отстоят от границ разре­шенных зон более чем на 2kT. Для такого невырожденного полупроводника выполняется статистика Больцмана и концентрацию свободных носителей можно определить по формулам п …

Теоретический расчет вольт-амперной характеристики СЭ с ^—-«-структурой в темноте и под освещением

Теоретический расчет вольт-амперных характеристик солнечных эле­ментов на основе аморфных полупроводников значительно осложняется квазинепрерывным распределением электронных состояний в щели под­вижности. В запрещенной зоне кристаллических полупроводников присут­ствуют только отдельные дискретные уровни, которые …

Механизмы переноса носителей и темновая вольт-амперная характеристика СЭ на основе аморфных полупроводников

Измерение темновых вольт-амперных характеристик СЭ позволяет най­ти преобладающие механизмы переноса в солнечных элементах, которые оп­ределяют коэффициент формы, а также оценить такие важные параметры, как последовательное и шунтирующее сопротивления. В солнечных …

Солнечные элементы с ^—-«-структурой

Наибольшей эффективности солнечных элементов удалось достичь при использовании p-i-n-структур (рис. 7.1) [12], [17], [18], [21], [27], [30], [49], [92]. Широкая нелегированная /-область a-Si:H обеспечивает поглощение света и соответственно эффективную работу …

ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ, КОНСТРУКЦИИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ a-Si:H

Важнейшую роль в использовании пленок a-Si:H для создания сол­нечных элементов сыграл тот факт, что оптическое поглощение a-Si:H в 20 раз превышает оптическое поглощение кристаллического кремния. Для существенного поглощения видимого солнечного …

Влияние термообработки на свойства наноструктурированных слоистых пленок a-Si:H

Для определения влияния температурной обработки на свойства слои­стых пленок a-Si:H, содержащих нанокристаллические включения, прово­дился отжиг пленок с оптимальным L = 16 нм в вакууме в течении одного часа при температурах …

Свойства наноструктурированных слоистых пленок a-Si:H, содержащих нанокристаллические включения

Для выяснения процессов, протекающих при циклическом осаждении, представляют интерес исследования по спектрам ИК поглощения зависи­мостей концентрации водорода и типа связи от толщины слоя L, осаждае­мого за цикл, для пленок a-Si:H …

Циклический метод осаждения пленок a-Si:H с промежуточной обработкой в водородной плазме

Одним из путей получения пленок a-Si:H с высокой фоточувствитель­ностью при сравнительно низких температурах подложки (около 250 °С) является использование прерывистого (циклического) режима нанесения, при котором цикл плазмохимического осаждения пленки a-Si:H …

Технология получения пленок a-Si:H и модифицирование их структуры

6.1.1. Технологический комплекс для получения пленок a-Si:H и его модернизация Нанесение пленок a-Si:H производилось методом плазмохимического осаждения (ПХО) на основе однокамерного технологического комплекса, представляющего собой адаптированную к поставленной задаче установ­ку …

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ПЛЕНКИ АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ

Научный интерес к нанокристаллическому состоянию твердого тела свя­зан, прежде всего, с ожиданием размерных эффектов в свойствах наночастиц и нанокристаллов, размеры которых соизмеримы или меньше, чем характер­ный корреляционный масштаб того или …

ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА. МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

  Это условие выражается следующей реакцией, протекающей в плазме: SiH„(ra3) -о - Si^.) + иН(плазма). В плазме происходит разложение моносилана с образованием радика­лов и ионов SiHw. В прямом направлении реакция …

ТЕХНОЛОГИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

В отличие от монокристаллических полупроводников, у которых раз­личные технологии их синтеза обеспечивают получение сопоставимых свойств, у аморфных полупроводников наблюдается прямая зависимость между структурными, электрофизическими свойствами и способом получе­ния. Поэтому для …

Метастабильные процессы в пленках a-Si:H

Многие физические свойства неупорядоченных полупроводников оп­ределяются термодинамической особенностью этого класса материалов: их удаленностью от состояния равновесия, характерного для кристаллов. Со временем такие структуры смещаются в сторону метастабильного равнове­сия. Это является …

Влияние легирования на проводимость a-Si:H

Наиболее существенным эффектом, связанным с легированием a-Si:H, является изменение его проводимости на шесть-десять порядков при кон­тролируемом введении примесей бора или фосфора [23], [25]-[30]. Наиболее распространенное объяснение механизма легирования a-Si:H заключается …

Транспорт носителей заряда

В соответствии с моделью распределения энергетических состояний Мотта — Дэвиса — Стрита возможны три механизма переноса носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках [25]-[30], [37]-[39]. Если уровень Ферми находится в зоне локализованных …

Фотогенерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда в аморфных полупроводниках

На рис. 3.4 приведена спектральная зависимость квантового выхода для пленок a-Si:H, полученных методом тлеющего разряда и при различных температурах [27]. Значительное поглощение наблюдается в той области, где квантовый выход имеет …

Оптическое поглощение

Из-за разупорядочения структуры и наличия в ней водорода аморф­ный гидрогенизированный кремний существенно отличается по оптиче­ским свойствам [25]-[30], [36] от кристаллического кремния (рис. 3.2). Собственное, или фундаментальное, поглощение имеет важное значение …

Модель энергетического спектра носителей заряда

Несмотря на то, что до настоящего времени единой теории некристалли­ческих материалов не существует, многие оптические и фотоэлектрические свойства могут быть объяснены исходя из представлений о зонном распреде­лении энергетических состояний в …

Атомная структура неупорядоченных тетраэдрических полупроводников

В неупорядоченных полупроводниках, в отличие от кристаллических, отсутствует дальний порядок [25]-[30]. Вместе с тем установлено, что в неупорядоченных полупроводниках существует ближний и средний по­рядок. Для полупроводниковых материалов с преобладанием ковалентного …

СВОЙСТВА АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ И СПЛАВОВ НА ЕГО ОСНОВЕ

Положили начало широкому исследованию аморфных тетраэдрических полупроводников работы У Спира и П. Ле Комбера [23], [24]. В 1973 г. уче­ные обнаружили, что пленки аморфного кремния, получаемые путем раз­ложения моносилана SiH4 …

Влияние температуры и радиации на параметры солнечных элементов

При увеличении температуры диффузионные длины в Si и GaAs воз­растают, поскольку коэффициент диффузии не изменяется либо увеличива­ется, а время жизни неосновных носителей возрастает при повышении 42 солнечных элементов на основе …

Параметры реальных солнечных элементов

2.5.1. Эквивалентная схема и вольт-амперная характеристика реального солнечного элемента В любом солнечном элементе существуют потери мощности, обуслов­ленные паразитными сопротивлениями. Во многих случаях достаточно вве­сти сосредоточенные последовательное Rn и шунтирующее Rm …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Партнеры МСД

Контакты для заказов шлакоблочного оборудования:

+38 096 992 9559 Инна (вайбер, вацап, телеграм)
Эл. почта: inna@msd.com.ua