ПРИНЦИПЫ ЛАЗЕРОВ

CR:LISAF И CRrLICAF ЛАЗЕРЫ

Двумя из наиболее современных перестраиваемых твердотельных мате­риалов, основанных на ионах Сг3+ в качестве активного элемента, являются Cr3+:LiSrAlF6 (CrrLISAF) и Cr3+:LiCaAlF6 (CrrLICAF) [24, 25]. Оба материала обеспечивают широкий диапазон перестройки частоты генерации и могут накачиваться как импульсной лампой, так и диодным лазером [21, 22].

Полосы поглощения и флюоресценции кристалла СпЫБАГ для поляризации

И перпендикулярном к оптической с-оси кристалла (согласно

В направлении,

Параллельном

Работе [24])

Рис. 9.11

Поглощение

 

CR:LISAF И CRrLICAF ЛАЗЕРЫ

О

 

300 500 700 900

Длина волны (нм)

 

CR:LISAF И CRrLICAF ЛАЗЕРЫ CR:LISAF И CRrLICAF ЛАЗЕРЫ CR:LISAF И CRrLICAF ЛАЗЕРЫ

В обоих кристаллах, Сг:ЫвАГ и СпЫСАЕ, ионы Сг3+ замещают некото­рые ионы А13+ в кристаллической решетке. При этом примесный ион занима­ет место в центре (деформированной) октаэдрической ячейки, шесть вершин которой заняты ионами фтора. Таким образом, в первом порядке приближе­ния общая картина энергетических уровней в представлении конфигураци­онных координат, как это было показано для александрита, остается такой же и в этом случае (см. рис. 9.8). Соответствующие спектры поглощения и люминесценции кристалла СггЫБАГ для соответствующих компонент элек­трического поля (параллельной и перпендикулярной оси «с» кристалла) по­казаны на рис. 9.11, при этом следует напомнить, что кристаллы СпЫвАЕ и СггЫСАЕ являются одноосными кристаллами. Также отметим, что две ос­новные полосы поглощения, центры которых расположены на длинах волн 650 нм и 440 нм, соответствуют переходам 4А2 -» 4Т2 и 4А2 —» 4Тг. Также необ­ходимо заметить, что резкий характер линий, связанных с полосой 4Т2, обу­словлен поглощением в состояниях 2Е и 2ТХ (последнее состояние на рис. 9.8 не показано). Таким образом, состояние 2Е теперь расположено внутри поло­сы поглощения 4А2 -» 4Т2, и это означает, что низший колебательный уро­вень 4Т2 должен располагаться существенно ниже состояния 2Е. Благодаря быстрой релаксации между этими двумя состояниями, уровень 4Т2 оказыва­ется наиболее заселенным, и, таким образом, состояние 2Е не накапливает энергию, как это происходит, например, в александрите. Это также доказы­вается тем фактом, что время жизни состояния 4Т2 (как показали измере­ния) практически не зависит от температуры. Другие важные оптические и спектроскопические характеристики этих двух материалов приводятся в табл. 9.5. Необходимо отметить, что среди перестраиваемых твердотельных лазерных материалов, которые представлены в таблице, кристалл СпЫвАГ имеет наибольшее значение произведения стх. Таким образом, благодаря боль­шим значениям как сечения, так и произведения ах, а также благодаря
более широкому диапазону перестройки кристалл СпЫвАГ оказывается предпочтительнее, чем СпЫСАЕ.

Кристаллы СггЫБАГ находят применение в лазерных системах, исполь­зующих как ламповую, так и диодную накачку, при этом обеспечивается перестройка длины волны в диапазоне около 850 нм. Большая ширина ли­нии усиления делает данный материал весьма привлекательным для гене­рации фемтосекундных импульсов. Для этих задач разработан СпЫвАР лазер с продольной накачкой полупроводниковым Оа1пР/АЮа1пР лазером на квантовых ямах длина волны накачки составляет ~670 нм (схема

Лазера приведена на рис. 8.31). Синхронизация мод в таком лазере осуще­ствляется с помощью ячейки Керра. Помимо этого, были разработаны боль­шие Сг:ЫБАЕ — усилительные системы с ламповой накачкой, используе­мые для усиления фемтосекундных импульсов излучения титан-сапфирового или СпЫвАЕ лазера, работающих в режиме синхронизации мод. В качестве других устройств, основанных на применении СггЫвАЕ лазеров, можно отме­тить перестраиваемые лазерные системы, используемые для мониторинга загрязнений окружающей среды, а также для решения различных задач в спектроскопии.

ПРИНЦИПЫ ЛАЗЕРОВ

Лазерная резка и гравировка в Киеве

Гравировка по металлу проводится на профессиональном оборудовании. Гравировка с высокой детализацией применяется для оформления подарков, памятных вещей.

ПРОСТРАНСТВЕННАЯ И ВРЕМЕННАЯ КОГЕРЕНТНОСТЬ ТЕПЛОВЫХ ИСТОЧНИКОВ СВЕТА

В данном разделе приводится краткое описание когерентных свойств света, который излучается обычной лампой (лампой накаливания или га­зонаполненной лампой). Поскольку свет в этом случае обусловлен спон­танным излучением многих атомов, по существу …

УРАВНЕНИЕ ИОНИЗАЦИОННОГО БАЛАНСА

В результате соударений частиц с электронами в объеме электрического разряда происходит постоянное образование электронов и ионов. Ударная ио­низация осуществляется присутствующими в разряде горячими электронами, т. е. теми, энергия которых больше …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.