ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ

Успехи в области создания излучающих диодов обусловлены разработкой и совершенствованием эпи­таксиальных методов выращивания полупроводниковых соединений типа AnIBv и р—n-структур на их основе. Эпитаксиальные методы (газовой и жидкостной эпи­таксии) в отличие …

ПРИМЕНЕНИЕ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ

В предшествующих главах книги приводились основные обла­сти применения излучающих диодов. В настоящей главе рассмот­рим подробнее отдельные области применения приборов. Основной и наиболее массовой областью применения светоизлучающих дио­дов является сигнальная индикация. …

СТАБИЛЬНОСТЬ ПАРАМЕТРОВ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ В ПРОЦЕССЕ ЭКСПЛУАТАЦИИ

Исследованию стабильности излучающих диодов посвящено большое число экспериментальных и теоретических работ. Интерес к этой проблеме связан с необходимостью обеспечения высокой дол­говечности приборов, причем требование долговечности часто соче­тается с другими требованиями, …

ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ЛИНИЙ связи

Волоконно-оптические линии связи ВОЛС станут в будущем важным средством передачи данных. Их пер­спективность обусловлена помехозащищенностью от внешних электромагнитных воздействий и от межка - нальных наводок; широкополосностью, которая в пре­дельном случае …

БЕСКОРПУСНЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ДЛЯ ОПТРОНОВ

Основные требования, предъявляемые к источникам излучения для оптронов, следующие: высокий внешний квантовый выход излучения; высокое быстродействие; спектральное согласование излучения источника и мак­симальной чувствительности фотоприемника; миниатюр­ные размеры диода или излучающего пятна …

ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА

6.1. ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ Полупроводниковые диоды, излучающие в инфра­красной области спектра, благодаря высокой эффектив­ности, быстродействию, долговечности, надежности, сов­местимости по энергии излучения с фотоприемниками на основе Si, а по параметрам питания — …

УСТРОЙСТВО ЛИНЕЙНЫХ ШКАЛ

Линейные шкалы способны отображать информацию в аналого-цифровом виде, что весьма удобно для считы­вания. В связи с этим они широко используются в изме­рительной технике, где позволяют заменить стрелочные измерительные приборы, тем …

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ С 5-ОБРАЗНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКОЙ

В последние годы ведутся исследования по созданию светоизлучающих диодов с S-образнои характеристикой (светоизлучающих динисторов) (рис. 4.29). Эти прибо­ры представляют значительный интерес для ряда обла­стей оптоэлектроники и электронной техники. Благода­ря способности …

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД С УПРАВЛЯЕМЫМ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ

Светоизлучающие диоды — одни из немногих источ­ников света, которые позволяют реализовать управляе­мое изменение цвета свечения. В настоящее время рас­смотрено несколько путей создания светоизлучающих диодов с управляемым - цветом свечения: двухпереходный …

ФОТОМЕТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ

Основные параметры некоторых типов светоизлучаю - щих диодов представлены в табл. 4.4. Ниже рассмотрим подробнее характеристики приборов. Типичные значения прямого напряжения при токе 10 мА составляют для диодов из GaP …

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДов И МЕТОДЫ ИХ ИЗМЕРЕНИЯ

Светоизлучающие диоды и индикаторы предназначе­ны для передачи человеку информации, вырабатываемо^ устройством, машиной. В связи с этим излучение долж­но частично или полностью попадать в Пределы видимо­го человеком спектрального диапазона (0,38—0,78 мкм). …

УСТРОЙСТВО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ

Выпускаемые промышленностью светоизлучающие диоды по конструкции могут быть разделены на следую­щие группы: 1) в металло-стеклянном корпусе; 2) в конструкции с полимерной герметизацией на основе ме- талло-стеклянной ножки или рамочного держателя; …

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ КРИСТАЛЛ

Для изготовления светоизлучающих кристаллов ис­пользуют эпитаксиальные структуры, рассмотренные в гл. 3. Выбор вида эпитаксиальных структур определяет­ся, с одной стороны, назначением диода, а с другой сто­роны — основными характеристиками кристаллов а …

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

4.1. ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ И ТРЕБОВАНИЯ К ПРИБОРАМ Светоизлучающий диод состоит из кристалла полу, проводника с электронно-дырочным переходом и омиче - скими контактами и элементов конструкции, предназна­ченных для сбора излучения, увеличения …

GaP р—л-СТРУКТУРЫ С УПРАВЛЯЕМЫМ ЦВЕТОМ СВЕЧЕНИЯ

Светоизлучающие диоды являются одним из немно­гих источников света, на основе которых может быть ализовано управляемое изменение цвета свечения. Су­ществует несколько путей создания структур с управля­емым цветом свечения. рассмотрим структуру, содержащую, …

Gar*AI*As ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КРАСНЫМ СВЕЧЕНИЕМ

Одновременно с работами по созданию гетерострук­тур с излучением в инфракрасном диапазоне проводи­лись исследования гетероструктур в системе AIAs — GaAs для светоизлучающих диодов с излучением в крас­ной области спектра. В 1972 …

Ga,-*Al*As ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ИНФРАКРАСНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

Первые излучающие диоды инфракрасного диапазо­на па основе одинарной и двойной гетероструктур в си­стеме AlAs—GaAs были получены в работе [13]. На первом этапе последовавших затем эксперимен­тальных работ по созданию ИК диодов …

GaAs,—*Р. у р—п-СТРУКТУРЫ

Арсенид — фосфид галлия — важнейший материал оптоэлектроники. Из-за удачного сочетания электролю - минесцентных свойств (высокой яркости и однородно­сти), высокого качества поверхности (пригоден для осу­ществления планарных процессов) и технологичности ме­тода …

GaP:N, Zn—О р—n-СТРУКТУРЫ С ЖЕЛТЫМ И ОРАНЖЕВЫМ СВЕЧЕНИЕМ

Исследованию путей создания светоизлучающих дио­дов с желтым свечением било посвящено большое число работ. Это вызвано тем, что желтый цвет весьма удобен для индикации,' не вызывает ассоциации опасности, на- примбр, как …

GaP:Zn, О —«-СТРУКТУРЫ С КРАСНЫМ СВЕЧЕНИЕМ

GaP — один из важнейших материалов, используе­мых в производстве светоизлучающих диодов. Впервые электролюминесценцию при прямом смещении р—п-пе­рехода в GaP наблюдали в 1961 г, Гершензон и Микуль - як [45]. Из …

ФОСФИД ГАЛЛИЯ

Электрофизические и физико-химические свойства GaP нодроб - но рассмотрены в некоторых монографиях. GaP, так же как и GaAs, кристаллизуется в структуре цинковой обманки с ребром эле- О ментарной кубической ячейки …

ОСНОВНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ПРОИЗВОДСТВЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ

1.2. АРСЕНИД ГАЛЛИЯ Полупроводниковые светоизлучающие диоды изготавливают в настоящее время на основе бинарных интерметаллических соедине­ний типа AnlBv н многокомпонентных твердых растворов этих соединений. В данной главе будут кратко рассмотрены основные …

ВЫВОД СВЕТА ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКА

Из светоизлучающего кристалла может быть выве­дена только часть генерируемого р — n-переходом излу­чения в связи со следующими основными видами по- Рнс. 1.14. Выход излучения из кристалла и внутреннее отражение Рис. …

НЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ

Рис. 1.4. Зонная диаграмма GaAs при 300 К в коорди­натах энергия — волновой 1-Г вектор электрона. tg и — прямой и непрямой энергетические зазоры Излучательная рекомбинация — единственный фи­зический механизм …

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ

1.1. ИНЖЕКЦИЯ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В основе работы полупроводниковых светоизлучаю­щих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них: инжекция неосновных носителей в активную об­ласть структуры электронно-дырочным гомо - или гете­ропереходом; …

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕДИОДЫ

Л. М. КОГАН Свет играет исключительно важную роль в жизни и производственной деятельности человека. Поэтому по­стоянно актуальна проблема создания высокоэффектив­ных и надежных источников света. Полупроводниковая электроника до недавнего време­ни могла …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Партнеры МСД

Контакты для заказов шлакоблочного оборудования:

+38 096 992 9559 Инна (вайбер, вацап, телеграм)
Эл. почта: inna@msd.com.ua