ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА

Причины ослабления импульсных оптических сигналов в процессе их распространения по стекловолокнам Поглощение света в стекловолокне, Обусловленное материальной дисперсией

Материальная дисперсия представляет собой зависимость абсолютного показателя прелом­ления диэлектрика (СВ) от частоты света, воздействующего на этот диэлектрик

-|1/2

П(а)-

1 +

>/(Ыо-ю2) + 4ю2Р2

(3.48)

 

Причины ослабления импульсных оптических сигналов в процессе их распространения по стекловолокнам Поглощение света в стекловолокне, Обусловленное материальной дисперсией

Где п = АПП СВ; со — циклическая частота света; р — объемная плотность связанных заря­дов в структуре СВ; т — масса электрона; є0 — диэлектрическая постоянная; со0 — собствен­ная частота колебаний валентного электрона в узле структуры СВ; р — коэффициент зату­хания вынужденных колебаний валентного электрона под воздействием света.

График зависимости (3.48) показан на рис. 3.19. л. *0 с

Причины ослабления импульсных оптических сигналов в процессе их распространения по стекловолокнам Поглощение света в стекловолокне, Обусловленное материальной дисперсией

В

1

Со

Рис. 3.19. Материальная дисперсия: п(о>) — зависимость АПП от циклической частоты волны; Х0(со) — зависимость амплитуды смещения центра масс валентного электрона стекловолокна от со при резонансе

Участки АВ и СИ на рис. 3.19 называются областями нормальной дисперсии, где

> 0; ВС — область аномальной дисперсии, где < 0.

 

Причины ослабления импульсных оптических сигналов в процессе их распространения по стекловолокнам Поглощение света в стекловолокне, Обусловленное материальной дисперсией Причины ослабления импульсных оптических сигналов в процессе их распространения по стекловолокнам Поглощение света в стекловолокне, Обусловленное материальной дисперсией

В окрестности резонансной частоты юр =^1 -2р2, располагающейся внутри интерва-

Ла ВС, амплитуда смещения Х0 центра масс валентного электрона резко возрастает за счет резонансного поглощения этим электроном световой энергии, и диапазон СВ становится не­прозрачным для стекловолокна в области аномальной дисперсии.

Во всех реальных стеклах, используемых для изготовления стекловолокон, число ва­лентных электронов в узлах структуры больше единицы и кривая дисперсии и (со) имеет бо­лее сложную зависимость, определяемую формулой (3.49) и рис. 3.20:

Причины ослабления импульсных оптических сигналов в процессе их распространения по стекловолокнам Поглощение света в стекловолокне, Обусловленное материальной дисперсией

Р,

подпись: р,

П( ю)

подпись: п( ю)

И(со)= 1+—— V

подпись: и(со)= 1+—— v(3.49)

Ю

 

Рис. 2.20. Резонансное поглощение световой энергии валентными электронами в узлах структуры стекловолокна вблизи частот юР1, ыР2, иРз

 

Причины ослабления импульсных оптических сигналов в процессе их распространения по стекловолокнам Поглощение света в стекловолокне, Обусловленное материальной дисперсией

В заключение заметим, что в процессе изготовления СВ в исходный материал БЮг вво­дятся примеси, повышающие АПП = пс, &г02, ТЮ2, А12Оз, 0е02, Р2О5) и понижающие АПП = п0 (В2Оз, Р). Каждая из введенных примесей имеет свои валентные электроны в цен­тральной части волокна, и число областей резонансного поглощение света увеличивается по сравнению с рис. 3.20.

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И УСТРОЙСТВА

Приобретаем- купить осциллограф, тепловизоры, источники питания

Тепловизионные камеры. Тепловизоры testo - полупроводниковые приборы, наделённые возможностью наблюдать тепловое либо световое излучение. Тепловизор flir на собственном мониторе изображает оранжевыми, красными и желтыми цветами объекты, источающие тепло, но прохладные …

Условные обозначения

А, Механический эквивалент света К Постоянная Больцмана В Сииий свет К, Коэффициент передачи по току С Скорость света в свободном простран­ Ку Коэффициент световой эффективности Стве Коэффициент усиления лазера Ся …

Список Сокращений

А Номинальная числовая апертура Мэв Монохроматическая АВС Активный волоконный световод Электромагнитная волна АИМ Амплитудно-импульсная Нжк Нематические жидкие кристаллы Модуляция Ов Оптическое волокно АПП Абсолютный показатель ОЗУ Оперативное запоминающее Преломления Устройство …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.