Оптоэлектроника

Время отклика фотопроводника

Время отклика фотопроводника, подверженного воздействию нестационарного оптического сигнала С7 (/), может быть получено из (11.3я, б). Существенные ха­рактеристики в рассматриваемом случае могут быть легко получены в предположе­нии однородного освещения. Интегрируя (11.3я) по толщине материала (от 0 до А как в (11.14л)) и учитывая квантовую эффективность, мы немедленно приходим к динамическому уравнению:

Время отклика фотопроводника

(11.29)

Ряд возможных случаев иллюстрируется рисунком 11.7:

• Световой импульс прямоугольной формы с началом при / = 0 и окончанием при / = Т « т (рис. 11.7л), Уравнение (11.29) показывает, что в этом случае отклик материала будет мгновенным, но не будет сопровождаться усилением: в материале сразу устанавливается концентрация Дл1о1, при этом она определяется полным числом поглощенных фотонов = ?]СорТ. После окончания импульса концентрация спадает экспоненциально с характеристическим временем жизни г.

• Световой импульс прямоугольной формы и большой длительности с началом при / = О (рис. 11.76). В этом случае концентрация носителей дается (11.29) в виде:

(11.30)

подпись: (11.30)А«,о, = ^Соре''/г

Таким образом, время отклика фотопроводника равно времени жизни носителей в материале.

• Синусоидально изменяющаяся засветка (7ор(0 = Соръпш. Интегрирование (11.29) следует сразу и приводит к синусоидальному отклику Ая1о1(0 = &пш(а))ьп(аХ + ф), при этом:

Время отклика фотопроводника

(11.31)

Таким образом, фотопроводник ведет себя как полосовой фильтр с частотой от­сечки 1/2ят.

<3

Ор

Время отклика фотопроводника

Т«т

-Г/т

Время отклика фотопроводника

 

ЧТОор

 

^Сор

(1 + <о2тТ

 

А

 

Б

 

В

 

Время отклика фотопроводника Время отклика фотопроводника

Рис. 11.7. Временная эволюция отклика фотопроводника при импульсной засветке (а), резком прерывании засветки (б) и синусоидально модулированной зас­ветке (в).

Эти три результата дают представление об особой дилемме, стоящей перед фо­топроводниками. Материалы с большей обнаружительной способностью одновре­менно обладают большими временами жизни носителей и худшими временными характеристиками.

Рисунок 11.8 показывает частотную зависимость фотопроводника для двух различных времен жизни носителей. Этот результат является иллюстрацией утвер­ждения: максимальное усиление х ширина полосы = const.

Время отклика фотопроводника

Частота (с ')

Рис. 11.8. Частотные характеристики фотопроводников с различными временами жиз­ни носителей заряда. Для фотопроводников произведение усиления на ши­рину полосы есть постоянная величина.

Оптоэлектроника

Приобретаем- купить осциллограф, тепловизоры, источники питания

Тепловизионные камеры. Тепловизоры testo - полупроводниковые приборы, наделённые возможностью наблюдать тепловое либо световое излучение. Тепловизор flir на собственном мониторе изображает оранжевыми, красными и желтыми цветами объекты, источающие тепло, но прохладные …

Конкуренция мод: перекрестные модуляторы

В дополнении 11.Д мы видели, что вблизи порога полупроводниковый лазер может генерировать в многомодовом режиме несмотря на то. что усиливающая среда яв­ляется однородной. При достаточно сильном возбуждении настолько выше порога, …

Униполярные квантово-каскадные лазеры

Одной из характерных особенностей полупроводниковых лазерных диодов являет­ся то, что в прямо смещенном диоде принимают участие два типа носителей (элек­троны и дырки). Это делает традиционные лазерные диоды биполярными приборами. Существует …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.