Оптоэлектроника

Сводка по скоростям межзонных и межподзонных переходов

Рисунок 8.16. суммирует качественные характеристики скорости межзонных и межпод­зонных переходов, определенные в двух предыдущих разделах. Существенным моментом является то, что межподзонные переходы приводят к резонансному характеру спектров поглощения для фотонов с энергией, равной энергетическому интервалу между параллель­ными подзонами.

С другой стороны, межзонные переходы приводят к ступенчатому характеру спектров поглощения, при этом каждая ступень соответствует порогу перехода «спаренных» элект­ронной и дырочной подзон.

Сводка по скоростям межзонных и межподзонных переходов

Рис. 8.16. Спектры поглощения фотонов при межзонных и межподзонных переходах качественно отличаются друг от друга. Поскольку электронные подзоны па­раллельны, все переходы между двумя электронными подзонами имеют ме­сто при одной и той же энергии. В случае межзонных переходов спектры поглощения приобретают ступенчатый характер, при этом каждая ступень соответствует энергии перехода вследствие связи между определенными дырочными подзонами.

Дипольные моменты, определяющие силу осцилляторов для переходов, также имеют различную природу, как это иллюстрируется рисунком 8.17.

При межзонных переходах дипольный момент возникает как результат набора атом­ных диполей между блоховскими функциями (смотрите (8.57)). Эффективный диполь­ный матричный элемент rcff= rvc(m, сп, v) имеет размеры порядка 0,6 нм в GaAs, если (т, сп, v) = 1. В альтернативном случае при межподзонных переходах диполь является результатом ортогональности огибающих функций (смотрите (8.75)). Эффективный ди­польный матричный элемент rcff = {mzn) в этом случае имеет размер порядка 5 нм для очень глубокой квантовой ямы GaAs / AlAs толщиной 8 нм. Таким образом, для данного объемного полупроводника, дипольные матричные элементы для межподзонных переходов могут быть существенно больше тех, которые соответствуют межзонным переходам.

+ + ■+

подпись: + + ■+ Сводка по скоростям межзонных и межподзонных переходовШх

+ + + + + +

А переход hh

подпись: а переход hhБ переход еЛ

Рис. 8.17. Дипольные моменты переходов являются результатом взаимодействия либо (а) диполей различных блоховских функций (межзонные переходы), либо (б) дипо­лей между различными огибающими функциями (межподзонные переходы).

Сводка по скоростям межзонных и межподзонных переходов

Оптоэлектроника

Приобретаем- купить осциллограф, тепловизоры, источники питания

Тепловизионные камеры. Тепловизоры testo - полупроводниковые приборы, наделённые возможностью наблюдать тепловое либо световое излучение. Тепловизор flir на собственном мониторе изображает оранжевыми, красными и желтыми цветами объекты, источающие тепло, но прохладные …

Конкуренция мод: перекрестные модуляторы

В дополнении 11.Д мы видели, что вблизи порога полупроводниковый лазер может генерировать в многомодовом режиме несмотря на то. что усиливающая среда яв­ляется однородной. При достаточно сильном возбуждении настолько выше порога, …

Униполярные квантово-каскадные лазеры

Одной из характерных особенностей полупроводниковых лазерных диодов являет­ся то, что в прямо смещенном диоде принимают участие два типа носителей (элек­троны и дырки). Это делает традиционные лазерные диоды биполярными приборами. Существует …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.