НАНОТЕХНОЛОГИЯ В БЛИЖАЙШЕМ ДЕСЯТИЛЕТИИ

Сборка наноструктур под влиянием механического напряжения

Р. Киль[23]

Как уже отмечалось, объединение физических методов сборки (типа «сверху - вниз») с химическими или биологическими методами (типа «снизу-вверх») мо­жет стать основой для изготовления и соединения проводов и переключателей в нанотехнологии. В качестве примера такого объединения на рис. 4.7 схематиче­ски показана сборка под влиянием механического напряжения, при которой фи­зический процесс «сверху-вниз» (литографически сформированная структура поверхности) объединен с химическим процессом сборки «снизу-вверх» (меха-

Рис. 4.7. Сборка под влиянием механиче­ского напряжения.

Ническое напряжение и осаждение, контролируемое составом). В более общем плане такая технология позволит связывать функциональные характеристики на­носимой матрицы с функциональными характеристиками подложки. На рис. 4.7 схематически показано формирование под влиянием механического напряжения полупроводниковой гетероструктуры AlGaAs/GaAs из осажденных соединений мышьяка. Горизонтальное положение частиц осадка размером 20 нм регулирует­ся поверхностными зажимами (размером 200 нм); вертикальное положение огра­ничивается слоем GaAs толщиной 10 нм. В результате сборки в этом слое образу­ются одномерные ряды из близко расположенных частиц осадка [13].