Изучение солнечных фотоэлектрических элементов

Типы солнечных элементов

Наибольшее распространение в фотоэлектрических установ­ках получили кремниевые элементы трех видов на основе моно- кристаллического (КПД до 21,5%), поликристаллического (КПД 14-17%) и аморфного кремния (КПД 5-8%) (рис. 1.11) [6]. Разли­чие между этими видами в том, как организованы атомы кремния в кристалле.

В фотоэлектрических элементах имеется задний контакт и 2 слоя кремния разной проводимости, сверху сетка из металличе­ских контактов и антибликовое просветляющее покрытие, кото­рое дает солнечному элементу характерный синий оттенок. Ти­пичные размеры солнечных элементов (СЭ) и их электрические параметры приведены в табл. 1.1

Таблица 1.1

Типичные размеры солнечных элементов и их электрические

параметры

Тип СЭ Размер СЭ, мм КПД, % Максималь­ная мощность (Ртмм)? Вт Напряжение холостого хода (t/xx), В Ток корот­кого замы­кания (/кз), А
6" п^Ш   16,4 3,99 0,618 8,27
156x156 16,2 3,94 0,616 8,21
ill   : і  
НИ   15,0 3,65 0,607 7,77
6” mono   17,6 4,21 0,624 8,63
156x156 17,4 4,16 0,623 8,57
      : :
' "   16,0 3,82 0,613 8,08
5” mono

m

  17,4 2,59 0,621 5,35
125x125 17,2 2,56 0,619 5,31
111       :
    16,0 2,38 0,607 5,08
 

 

В солнечной энергетике одним из перспективных материалов для создания высокоэффективных фотоэлектрических элементов является арсенид галлия (GaAs). Такие элементы обладают высо­ким КПД (для однопереходных элементов около 28 % [6]). От­дельно можно выделить элементы, использующие органические материалы. Фотоэлектрические элементы на основе диоксида ти­тана (ТЮ2), покрытые органическим красителем, имеют КПД около 11 % [6]. Принцип работы элемента основан на фотовоз­буждении красителя и быстрой инжекции электрона в зону про­водимости ТЮ2.

В последние годы разработаны новые типы материалов для тонкопленочных фотоэлектрических элементов, например, медь- индий-диселенид и теллурид кадмия (CdTe). Такие солнечные

 

элементы в последнее время широко используются. Технологии их производства постоянно развиваются, за последнее десятиле­тие КПД тонкопленочных элементов вырос примерно в 2 раза.

Последние технологии используют гибридные методы. Так появились элементы, которые имеют как кристаллический пере­ход, так и тонкий полупрозрачный аморфный, расположенный над кристаллическим. Так как кристаллы и аморфный кремний наибо­лее эффективно преобразуют только часть спектра света и эти спектры немного отличаются, применение таких гибридных эле­ментов позволяет повысить общий КПД солнечного элемента. В лабораториях уже получен КПД порядка 45% [6]. Конечно, до мас­сового использования такие технологии дойдут еще не скоро, но работа по удешевлению изготовления солнечных элементов по­стоянно ведется во всем мире.

Добавить комментарий

Изучение солнечных фотоэлектрических элементов

Выбор солнечных панелей для системы солнечного электроснабжения

При выборе солнечных панелей для системы солнечного элек­троснабжения следует обращать внимание на следующие техни­ческие характеристики [7,8]. Толеранс - это отклонение реальной мощности солнечной панели от ее номинального значения. Он может …

Ориентация солнечных панелей

Солнечный свет проходит путь от Солнца до Земли по прямой линии. Когда он достигает атмосферы, часть света преломляется, часть достигает Земли по прямой линии, а другая часть поглоща­ется атмосферой. Преломленный …

Инверторы для фотоэлектрических систем

Инверторы используются для преобразования постоянного тока от аккумуляторных батарей (АБ) или солнечных панелей в переменный, аналогичный току в сетях централизованного элек­троснабжения. В соединенных с сетью системах инверторы принимают энер­гию от …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия
+38 050 512 11 94 — гл. инженер-менеджер (продажи всего оборудования)

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Оперативная связь

Укажите свой телефон или адрес эл. почты — наш менеджер перезвонит Вам в удобное для Вас время.