ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ. НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Изготовление модулей СЭ на стеклянной подложке
Для промышленного производства модулей из СЭ на основе аморфных полупроводников могут использоваться стеклянные подложки (толщина 3 мм, ширина 0,5 м, длина 1 м), на которые наносится текстурированный слой TCO (SnO2) с помощью химического осаждения из газовой фазы
при атмосферном давлении. После этого слой TCO скрайбируется на полосы шириной порядка 9 мм, и подложки загружаются в установку плазмохимического осаждения для нанесения слоев полупроводников (шесть слоев для формирования структуры p—i-n/p—i-n в случае тандемного солнечного элемента a-Si:H/a-SiGe:H). Далее осаждается буферный слой ZnO и проводится следующее лазерное скрайбирование вблизи линий первого скрайбирования.
Свет
SnO2
a-S:Hi/a-SiGe:H Контакт
Солнечный фотоэлемент на стеклянной подложке
При этом мощность лазера подбирается таким образом, чтобы удалялись слои ZnO и полупроводников, но оставался слой SnO2. Далее осаждается Al в качестве заднего отражающего и контактного слоя и проводится третье скрайбирование вблизи второго, завершающее последовательное соединение соседних элементов на подложке, которое позволяет снизить потери на сопротивлении за счет увеличения выходного напряжения и уменьшения тока СЭ. Формирование соединения отдельных элементов проще осуществлять на стеклянной подложке, чем на стальной. Четвертое лазерное скрайбирование по периметру изолирует активную область от краев подложки. Формирование панели заканчивается спайкой с другой стеклянной пластиной с помощью этилвенилэтилена (ЭВЭ) как показано на рисунке.
