Энергия активации диффузионных процессов
Ввиду того, что молекулы или атомы при диффузионных процессах не изменяют своего строения, энергия активации диффузионных процессов ниже энергии активации химических реакций; она определяется диффузионной средой и ее строением. Наиболее высокие значения имеет энергия активации при диффузии в твердых металлах и других кристаллических веществах. В твердом теле диффузия может происходить по объему кристаллического зерна путем вакансионной замены одного атома в кристаллической решетке другим, но этот механизм диффузии требует очень высоких энергий активации, соизмеримых с энергией кристаллической решетки. Зависимость диффузии от энергии активации диффузии Q описывается уравнением
DT=D0e~QI(RT (8.89)
где Do - постоянный коэффициент.
|
Рис. 2.1. Статическая вольт-амперная характеристика различных видов газового разряда |
слабоионизованную неравновесную плазму. Это так называемый положительный столб тлеющего разряда. Температура атомов или молекул газа в тлеющем разряде практически не повышается и равна 300...350 К.
Затем через аномальный тлеющий разряд происходит переход к дуговому разряду (существующему, как правило, на токах более 1 А, низком общем напряжении - менее 100 В) с катодным падением потенциала UK < 20 В и большой плотностью тока на катоде: 2 5 2
ук ~ 10 ...10 А/см. Дуговой разряд, или дуга, характеризуется высокой температурой газа в проводящем плазменном канале (при атмосферном давлении Т= 5000...50000 К) и высокими концентрациями частиц в катодной области.
