ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕДИОДЫ

ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ

Успехи в области создания излучающих диодов обусловлены разработкой и совершенствованием эпи­таксиальных методов выращивания полупроводниковых соединений типа AnIBv и р—n-структур на их основе.

Эпитаксиальные методы (газовой и жидкостной эпи­таксии) в отличие от металлургических методов позво­ляют: 1) получать монокристаллические слои при тем­пературах значительно ниже температуры плавления полупроводника; благодаря этому возрастает совершен­ство кристаллографической структуры, снижается плот­ность дислокации, повышается чистота вещества вслед-

Для отображения цифро-буквенной информации при­меняют некоторые классы индикаторов на основе раз­личных физических явлений. Эти классы индикаторов