ГЛАВА 6 ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Введение
В главе 5 мы видели, что электроны в кристаллической среде распределены по зонам разрешенных энергий (валентным зонам и зонам проводимости) и что относительное положение уровня Ферми по отношению к экстремумам зон позволяет объяснить тип (изолятор, металл или полупроводник) характеристик данного материала. С использованием квантовой теории твердых тел мы также увидели, что приложенное извне электрическое поле заставляет электроны кристалла циркулировать периодическим образом по зоне Бриллюэна (Елоховские осцилляции), что является предсказанием, которое еще только предстоит продемонстрировать экспериментально в кристаллах (впрочем недавно этот эффект уже наблюдался в сверхрешетках). В этой главе мы проработаем несколько теоретических вопросов, что позволит нам найти корреляцию между квантовыми и классическими аспектами поведения электронов в среде. В частности, мы обсудим, каким образом механизмы рассеяния между различными состояниями в зонной структуре позволяют объяснить различные макроскопические электронные свойства полупроводников, например, законами Ома, Фика и т. д. В конце главы мы уже сможем представить систему уравнений, позволяющих понимать доминирующие механизмы переноса в полупроводниках.
