Оптоэлектроника

Демпфированные колебания

Предположим, что в момент времени / = 0 система находится в состоянии инверс­ной заселенности, при этом п(10 превышает л1Нге5Ьо|с1 (т. е. еще перед началом режима фиксации — в следующем разделе мы увидим, как все это точно происходит). Пе­репишем (4.34) и (4.35я) и введем следующие безразмерные константы:

X =

У =

*о=-

^threshold ^threshold ^threshold

В этом случае уравнения приобретают вид:

Гг t Тс

, Т = —, w =

-Г, Гл

П.

Демпфированные колебания

(4.36)

 

Dr

D Т dX

D Т

= y(Z-l)

= u(X0-X)-XY

Демпфированные колебания

(4.37)

 

Для того, чтобы описать поведение лазера вблизи равновесия, определим пере­менные х и у, описывающие выход системы из стационарного режима:

(4.38)

подпись: (4.38)[X = 1 + х 1Г = и(ЛГ0-1)+у

Пренебрегая членами второго порядка в ху, приходим к другой записи (4.37):

Dy

D Т dx

~dT

= и(Х o-l)

= - иХ0х - у

Демпфированные колебания

(4.39)

 

Эта система связанных линейных дифференциальных уравнений может быть легко проинтегрирована. В этом случае система ведет себя как демпфированный осцил­лятор с собственной частотой сог = 2п/Тг и временем релаксации г, определяемыми:

(4.40)

подпись: (4.40)Г = 2-

2 nyjr2Tc

Тг =

YlfadQ / ^threshold ) 1

Время релаксации и период генерации в лазерном резонаторе

Рис. 4.12 иллюстрирует демпфированные колебания с начальной плотностью

= 2. Указан-

подпись: = 2. указан-Носителей, вдвое превышающей пороговую величину, т. е. п /піУ

Ные колебания являются результатом попеременного обмена энергией между резо- наторными фотонами и носителями в двухуровневой системе.

Пример----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Рассмотрим полупроводниковый лазер с типичным значением т2 на уровне 1 не и фотонным временем жизни 3 пс. Предполагая, что первоначальная плот­ность инверсной заселенности составляет п^ = 2яІЬгЄ5Ііо1<І, находим период гене­рации Тг = 2лА(Ъ х Ю-12 х 1 х 10_9)/(2 — 1) или 0,34 не. В этом случае время релаксации составляет г = 2 х 10_9/2 или 1 не, как это показано на рис. 4.12.

Оптоэлектроника

Приобретаем- купить осциллограф, тепловизоры, источники питания

Тепловизионные камеры. Тепловизоры testo - полупроводниковые приборы, наделённые возможностью наблюдать тепловое либо световое излучение. Тепловизор flir на собственном мониторе изображает оранжевыми, красными и желтыми цветами объекты, источающие тепло, но прохладные …

Конкуренция мод: перекрестные модуляторы

В дополнении 11.Д мы видели, что вблизи порога полупроводниковый лазер может генерировать в многомодовом режиме несмотря на то. что усиливающая среда яв­ляется однородной. При достаточно сильном возбуждении настолько выше порога, …

Униполярные квантово-каскадные лазеры

Одной из характерных особенностей полупроводниковых лазерных диодов являет­ся то, что в прямо смещенном диоде принимают участие два типа носителей (элек­троны и дырки). Это делает традиционные лазерные диоды биполярными приборами. Существует …

Как с нами связаться:

Украина:
г.Александрия
тел./факс +38 05235  77193 Бухгалтерия

+38 050 457 13 30 — Рашид - продажи новинок
e-mail: msd@msd.com.ua
Схема проезда к производственному офису:
Схема проезда к МСД

Партнеры МСД

Контакты для заказов оборудования:

Внимание! На этом сайте большинство материалов - техническая литература в помощь предпринимателю. Так же большинство производственного оборудования сегодня не актуально. Уточнить можно по почте: Эл. почта: msd@msd.com.ua

+38 050 512 1194 Александр
- телефон для консультаций и заказов спец.оборудования, дробилок, уловителей, дражираторов, гереторных насосов и инженерных решений.